ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標準

GB/T42975—2023

半導體集成電路驅動器測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—Testmethodofdriverdevice

2023-09-07發布2024-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T42975—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

靜態參數測試

5……………2

輸入高電平電壓V

5.1(IH)………………2

輸入低電平電壓V

5.2(IL)………………3

輸入鉗位電壓V

5.3(IK)…………………3

輸入高電平電流I

5.4(IH)………………4

輸入低電平電流I

5.5(IL)………………5

輸入阻抗R

5.6(IN)………………………6

輸出高電平電壓V

5.7(OH)……………6

輸出低電平電壓V

5.8(OL)………………7

輸出阻抗R

5.9(OUT)……………………8

輸出漏電流I

5.10(LK)…………………9

輸出短路電流I

5.11(OS)………………10

峰值電流I

5.12(PK)……………………10

差分輸出電壓V

5.13(OD)………………12

差分輸出電壓變化V

5.14(ΔOD)………………………14

共模輸出電壓V

5.15(OS)………………14

共模輸出電壓變化V

5.16(ΔOS)………………………15

靜態電流I

5.17(DDQ)…………………15

動態參數測試

6……………16

電源電流I

6.1(DD)……………………16

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時間t

6.2(PLH)……………………17

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間t

6.3(PHL)……………………20

輸出上升時間t

6.4(r)…………………20

輸出下降時間t

6.5(f)…………………21

輸出偏斜t

6.6(SK)……………………21

時鐘抖動j

6.7(ADD)……………………22

輸入電容C和輸出電容C

6.8(i)(O)……………………23

GB/T42975—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院中國電子科技集團公司第二十四研究所安徽大華

:、、

半導體科技有限公司中國電子科技集團公司第十三研究所廣東省中紹宣標準化技術研究院有限公

、、

司中國電子科技集團公司第五十八研究所中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所成都

、、、

振芯科技股份有限公司

。

本文件主要起草人劉芳周俊楊曉強縱雷劉凡霍玉柱林瑜攀陸堅梁希王會影

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T42975—2023

半導體集成電路驅動器測試方法

1范圍

本文件規定了半導體集成電路驅動器以下簡稱器件的電特性測試方法的基本原理和測試程序

()。

本文件適用于系列驅動器總線驅動器開關驅動器達林頓驅動器時鐘驅動器

74/54、、PIN、、、

驅動器驅動器和差分驅動器等各種半導體工藝制造的驅動器的電性能測試其他類

LVDS、MOSFET。

別驅動器的測試參考使用

。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

集成電路術語

GB/T9178—1988

半導體器件集成電路第部分數字集成電路

GB/T17574—19982:

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T9178—1988。

4一般要求

41測試環境條件

.

除另有規定外電測試環境溫度為+3環境氣壓如果環境濕度對試驗有影

,25-5℃;86kPa~106kPa。

響應在相關文件中規定

,。

42測試事項

.

測試期間符合以下要求

,:

若無特殊說明環境或參考點溫度偏離規定值的范圍應符合器件詳細規范的規定

a),;

外界干擾不應影