附件7：南昌大學本科生畢業設計（論文）書寫式樣一、頁面設置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁眉1.5cm,頁腳1.75cm，行間距1.35倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號宋體加粗，目錄內容小四號宋體，頁碼數字對齊。三、頁眉和頁碼：頁眉和頁碼從中文摘要開始，頁眉為相應內容的標題，頁碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數字(I，II，III……)編排，從正文第一章開始按照阿拉伯數字（1，2，3……）編排。四、摘要中文摘要：標題小二號宋體加粗，“專業、學號、姓名、指導教師”五號宋體，“摘要”兩字四號宋體，摘要內容小四號宋體，“關鍵詞”三字小四號宋體加粗，英文摘要：標題小二號TimesNewRoman體加粗，“Abstract”四號TimesNewRoman體；“Abstract”內容小四號TimesNewRoman體，“Keyword”小四號TimesNewRoman體加粗。五、正文：標題四號宋體，正文內容小四號宋體。六、圖表：圖表內容五號宋體。七、參考文獻：“參考文獻”四字四號宋體，參考文獻內容小四號宋體，其中英文用小四號TimesNewRoman體。八、致謝：“致謝”兩字四號宋體，致謝內容小四號宋體。具體書寫式樣如下：

密級：校名標識（cm）1.88×6.59，居中校名標識（cm）1.88×6.59，居中校名外文（大寫）TimesNewRoman，四號，居中NANCHANGTimesNewRoman，四號，居中宋體，30磅，居中學TimesNewRoman，四號，居中宋體，30磅，居中THESISOFBACHELOR中文：宋體；數字：TimesNewRoman四號，居中（20中文：宋體；數字：TimesNewRoman四號，居中宋體，四號，居右頁面設置：上2.54cm,下宋體，四號，居右頁面設置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，頁眉1.5cm,頁腳1.75cm,1.35倍行距，應用于整篇文檔校徽標識（cm）3.33×3.33，居中宋體，三號，居中宋體，三號，居中題目宋體，四號，居中宋體，四號，居中注意線條長度一致學院：系專業班級：學生姓名：學號：指導教師：職稱：起訖日期：Abstract頁眉：外文TimesNewRoman頁眉：外文TimesNewRoman，五號，居中TimesNewRoman，小二號，居中nitridesandhighbrightnessblueLEDwafersAbstract標題：TimesNewRoman，四號，兩端對齊，1.35倍行距內容：TimesNewRoman標題：TimesNewRoman，四號，兩端對齊，1.35倍行距內容：TimesNewRoman，小四，兩端對齊，1.35倍行距關鍵詞：“Keyword”三字加粗，關鍵詞用“；”分隔MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.…………Thisworkwassupportedby863programinChina.Keyword:Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Opticalabsorption目錄宋體，小三號，居中目錄宋體，小三號，居中摘要 ⅠAbstract Ⅱ第一章GaN基半導體材料及器件進展（多數文章為“緒論”） 11.1III族氮化物材料及其器件的進展與應用 11.2III族氮化物的基本結構和性質 41.3摻雜和雜質特性 121.4氮化物材料的制備 131.5氮化物器件 191.6GaN基材料與其它材料的比較 221.7本論文工作的內容與安排 24第二章氮化物MOCVD生長系統和生長工藝 312.1MOCVD材料生長機理 312.2本論文氮化物生長所用的MOCVD設備 32…………目錄內容：中文宋體，英文和數字TimesNewRoman，小四頁碼編號：目錄內容：中文宋體，英文和數字TimesNewRoman，小四頁碼編號：摘要,Abstract使用頁碼“I,II,…”；正文開始使用頁碼“1,2,3,…”；小節標題左側縮進1字符；頁碼數字居中對齊參考文獻（References） 138致謝 150第一章GaN基半導體材料及器件進展節標題：中文宋體，英文節標題：中文宋體，英文TimesNewRoman，四號居左章標題：中文宋體，英文TimesNewRoman，四號居中1.1III族氮化物材料及其器件的進展與應用正文文字：中文宋體，英文TimesNewRoman，小四，正文文字：中文宋體，英文TimesNewRoman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進2個漢字符，行距1.35倍（段落中有數學公式時，可根據表達需要設置該段的行距），段前0行，段后0行。…………表標題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNewRoman表標題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNewRoman，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個漢字符寬度；內容：中文宋體，英文TimesNewRoman，五號，行距1.35。…………表1-1用不同技術得到的帶隙溫度系數、Eg0、c和T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c(eV/K)T0(K)參考文獻GaN/Al2O3光致發光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致發光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致發光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-4~3.471-9.310-477263……圖標題置于圖的下方，中文宋體，圖標題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNewRoman，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內容：中文宋體，英文TimesNewRoman，五號，行距1.35。加熱電阻―――□―――■■―――□――→氣流測溫元件測溫元件圖1-1熱風速計原理…………第二章氮化物MOCVD生長系統和生長工藝第二章氮化物MOCVD生長系統和生長工藝2.1MOCVD材料生長機理…………轉換控制頻率信號源頻率控制器地址發生器波形存儲器Ｄ／Ａ轉換器濾波器頻率設置波形數據設置圖2-1DDS方式AWG的工作流程…………參考文獻-151-標題：標題：中文宋體，四號，居中[1]Well．Multiple-modulatorfraction-ndivider[P]．USPatent，5038117．1986-02-02參考文獻內容：中文宋體，英文參考文獻內容：中文宋體，英文TimesNewRoman，四號，1.35倍行距，參考文獻應在文中相應地方按出現順序標引。[3]萬心平，張厥盛．集成鎖相環路——原理、特性、應用[M]．北京：人民郵電出版社，1990．302-307．[4]Miler．Frequencysynthesizers[P]．USPatent，4609881．1991-08-06．[5]CandyJC．Auseofdouble-integretioninsigma-deltamodulation[J]．IEEETransCommun，1985，33(COM)：249-258．[6]丁孝永．調制式小數分頻鎖相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．常見參考文獻格式：①常見參考文獻格式：①科技書籍和專著：編著者．譯者．書名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．頁碼．②科技論文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷號（期號）：頁碼．