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文檔簡介

1電源管理芯片樣品模組

結構分析2017年4月芯片內部結構一電源管理芯片樣品結構二擬研發的模組結構三對比2芯片內部結構3正面底面激光打標AGRG22-191未搜到芯片datasheet整版鍍錫后再切割一、電源管理樣片結構1.外觀芯片內部結構4CT201205尺寸功率電感半導體IC2.內部結構芯片內部結構53.底部焊盤結構只有1層,16um厚,成分為錫;與銅電極界面無其他金屬工藝可能是電極顯露后直接鍍錫放大芯片內部結構64.內部電極電路電極總厚200um,成分為銅,無層狀分界界面;形貌上有2個弧形,高度分別是130um/70um;推測是整版銅片正反兩次蝕刻形成;芯片內部結構75.封裝樹脂封裝樹脂為硅基,PCB電極平面處未發現層狀界面,推測為一次封裝成型;芯片內部結構8模組尺寸3.0*2.5*0.9mm功率電感尺寸2.0*1.2*0.5mm半導體IC尺寸(加引腳)1.4*0.9*0.3mm6.內部器件及尺寸芯片內部結構97.內部功率電感端留邊0.12mm,側留邊0.14mm,電極寬0.2mm,電極厚0.02mm,產品高度<0.5mm,有效圈數4.5(推測RDC在75-95mΩ)從引出端及連接點方式推測,疑似FDK的功率電感MIPSUZ2012GR47,0.47uH,RDC100mΩ±30%,Isat1.5A;3層夾層磁體為鎳銅鋅鐵氧體芯片內部結構108.電感端頭及焊盤結構沾銀層鎳層錫層焊接錫錫-銅層PCB銅電極內部焊盤結構推測:無專用焊盤,直接在銅電極上點錫焊接電感及半導體芯片;芯片內部結構119.半導體IC半導體IC尺寸(加引腳)1.4*0.9*0.26mm半導體部分:180um電極接口部分:15um電極引出部分:65um樹脂形貌相同,推測IC未做樹脂封裝,直接焊接在銅電極上樹脂有層界面,上邊無顆粒層應為IC引出電路保護層;銅柱引出電極應是與IC一體;半裸IC芯片內部結構12推測芯片焊接方式與電感一致,即將裸芯片放置在錫膏上,過回流焊爐完成焊接;10.半導體IC電極引出銅柱焊接Sn-Cu界面層Sn焊接樹脂有界面,推測上部無顆粒部分為IC引出電路保護層高純度Cu芯片內部結構12345671311.半導體IC電極引出封裝結構IC半導體主體電極引出觸點——Al金屬層微電路——W金屬層隔層——Al金屬層隔層——Al金屬層微電路——W金屬層引出電路保護——碳層芯片內部結構141234PCB銅電極層PCB內部焊接點——各層磨片尺寸器件層底部焊盤芯片內部結構15一、電源管理樣片結構12.總結銅片正反兩面蝕刻點錫貼器件回流焊塑封鍍底部

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