晶圓的反面研磨工藝會產生應力并傳導到晶圓本體上導致晶圓變脆。這種晶圓變脆的效應可以用等離子應力去除工藝來去除。反面研磨帶在減薄工藝〔725μm75μm〕時用以保護晶圓高活性的一面。之后，用遠程等離子對3μm70°C例如30μm50μm3D4刀片切割就是用機械的方式對晶圓進展切割1:使用一般磨粒的磨輪刀片(#2023)2:使用微細磨粒的磨輪刀片(#4800)1、21:使用一般磨粒的磨輪刀片(#2023)2:使用微細磨粒的磨輪刀片(#4800)(Low-k)膜及銅質材料，由于難以使用一般的金剛石磨輪刀片進展切割加工，所以有時無法到達電子元件廠家所要求的加工標準。為此，迪思科公司的工程師開發了可解決這種問題的加工應用技術。激光開槽加工工藝2全切割加工。通過承受該項加工工藝，能夠提高生產效率，削減甚至解決因崩裂、分層(薄膜剝離)等不良因素造成的加工質量問題。例如π象。激光切割加工質量DFL7160將短脈沖激光聚焦到晶片外表后進展照耀。激光脈沖被Low-k膜連續吸取，當會消耗掉晶片的熱能，所以可以進展熱影響極少的加工。設備DEL7160上承受了非發熱加工方式即短Low-kLCD屏和圖形化用戶界面(GUI)，使操作更為便利。激光全切割工藝1膠帶實現晶片全切割的切割方法。由于激光全切割可以加快進給速度，從而可以提高生產效率。加工實例GaAs片切割的進給速度。假設利用激光全切割技術，加工進給速度可以到達磨輪刀片切割10工晶片的不同會有所差異。)1◆薄型化硅晶片的全切割加工隨著晶片的薄型化，切割時的崩裂和裂縫對芯片強度的影響也越來越大，切割的難度DAF(DieAttachFilmDAF抑制毛邊等現象發生的高質量切割，也成為一個重要的課題。UPHDAFDAFDBG＋DAFDBG(DicingBeforeGrinding)*1工藝利用研削來分割芯片，故能夠降低反面崩裂，并能因此提高芯片抗折強度。另外，由于是在研削完畢階段分割成芯片，所以有望在加工薄形芯片時減小晶片破損的風險。今后如能在這種DBG工藝中承受DAF(DieAttachinPackage〕等薄型芯片的疊層封裝制造方面DBGDAFDBG(DicingBeforeGrinding):這種技術將傳統的“反面研削→晶片切斷”的工藝倒過來，先將晶片半切割，然后利用反面研削進展芯片分割。DAF(DieAttachFilm):這是一種薄膜狀的接合材料，用于薄型芯片疊層等。DBGDAF進展全切割。晶片已經分別成了芯片，所以就可以從芯片間照耀激光，只將DAFDAF1DAF承受激光切割技術可以抑制承受磨輪刀片切割DAF時產生的毛邊。1.SEMDAF〔70μmSi+20μmDAF〕2、能夠進展高速切割，提高生產效率與磨輪刀片切割相比，可以提高DAF全自動切割時的加工速度。加工實例： 加工進給速度100mm/sec～300mm/sec，以1pass進展DAF切割〔加工條件因DAF的種類、DAF〕3、利用特別校準，可以解決芯片錯位問題DBG錯位