中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀一、第三代半導(dǎo)體行業(yè)概況第三代半導(dǎo)體是指化合物半導(dǎo)體，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化鎵）、ZnO（氧化鋅）、GaO（氧化鎵）、AlN（氮化鋁），以及金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料（導(dǎo)帶與禁帶間能隙差Eg>2.3eV），具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大等特性，主要應(yīng)用在光電子、電力電子和射頻芯片三大領(lǐng)域，其中光電子器件包括LED、激光器、探測器等，電力電子器件包括二極管、MOSFET等；微波射頻器件包括PA、LNA和濾波器等。二、第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀目前第三代半導(dǎo)體器件已經(jīng)迅速進(jìn)入了新能源汽車、光伏逆變、5G基站、PD快充等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅主要應(yīng)用在新能源汽車和工控等領(lǐng)域，氮化鎵器件主要應(yīng)用在5G基站等領(lǐng)域。2020年我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超100億元。其中，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)44.7億元，同比增長54.14%；GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到60.8億元，同比增長83.13%。三、第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策分析在SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈方面，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)也正在發(fā)力。由于下游領(lǐng)域關(guān)系國計(jì)民生（能源、交通等），并且下游大多是國內(nèi)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)（新能源車、光伏、高鐵等），國產(chǎn)替代意愿強(qiáng)、政策支持力度大。四、第三代半導(dǎo)體行業(yè)存在的主要問題分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)投入周期長，技術(shù)更新快，全球充分競爭，先行者有成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢，持續(xù)盈利支撐技術(shù)不斷進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)后進(jìn)入者追趕難度大。一方面，以美國為主導(dǎo)的逆全球化浪潮加劇、貿(mào)易戰(zhàn)頻發(fā)，全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈因非經(jīng)濟(jì)因素而面臨沖擊，中國亟需擺脫依賴；另一方面，5G、人工智能、新能源等發(fā)展提速，對半導(dǎo)體需求猛增，產(chǎn)業(yè)的關(guān)注度日益增高，國產(chǎn)化替代成為發(fā)展趨勢，也出現(xiàn)了各地方半導(dǎo)體項(xiàng)目一哄而上、部分低水平重復(fù)的現(xiàn)象，第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目估值過高，造成了非理性的市場表現(xiàn)和資源浪費(fèi)。中國在第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化方面主要存在以下問題：五、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望第三代半導(dǎo)體是5G/6G移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的核心材料與器件，是全球技術(shù)前沿和產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)，國際高端材料禁運(yùn)等問題對產(chǎn)業(yè)安全構(gòu)成極大風(fēng)險(xiǎn)。“十四五”是中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期，能否建立長期戰(zhàn)略優(yōu)勢至關(guān)重要，要著眼長遠(yuǎn)、把握大勢。聯(lián)盟將充分發(fā)揮橋梁作用，為政產(chǎn)學(xué)研合作搭建平臺，打通產(chǎn)業(yè)鏈上下游、促進(jìn)協(xié)同創(chuàng)新。圍繞粵港澳大灣區(qū)、長三角區(qū)域一體化、京津冀協(xié)同發(fā)展等國家重大發(fā)展戰(zhàn)略部署，瞄準(zhǔn)國家重大需求，推動(dòng)探索新型舉國體制，建立上中下游互融共生、分工合作、利益共享的一體化、市場化機(jī)制，聚焦核心技術(shù)和卡脖子問題，實(shí)現(xiàn)信息、能源、交通、智能制造等領(lǐng)域第三代半導(dǎo)體