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文檔簡介

15.5.1基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型15.5半導體三極管1BECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高2BECNNP基極發射極集電極發射結集電結3ICmAAVVUCEUBERBIBECEB一.一個實驗15.5.2電流分配和放大原理5結論:1.IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.要使晶體管放大,發射結必須正偏,集電結必須反偏。6二.電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區空穴向發射區的擴散可忽略。IBE進入P區的電子少部分與基區的空穴復合，形成電流IBE

，多數擴散到集電結。發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。7IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE9ICE與IBE之比稱為電流放大倍數10一.輸入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死區電壓，硅管0.5V，鍺管0.1V。15.5.3特性曲線11IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中UCEUBE,集電結正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區。13IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓，稱為截止區。14輸出特性三個區的特點:放大區：發射結正偏，集電結反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)飽和區：發射結正偏，集電結正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區：

UBE<死區電壓，IB=0，IC=ICEO

0

15例：UCE=6V時：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在工程計算中，一般作近似處理：=172.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。18BECNNPICBOICEO=

IBE+ICBO

IBEIBEICBO進入N區，形成IBE。根據放大關系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。196.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC

流過三極管，所發出的功率為：PC=ICUCE必定導致結溫上升，所以PC

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