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文檔簡介

緒論

高職微電子技術專業定位

集成電路發展歷史

課程簡介及專業學習方法

微電子器件工藝發展歷程什么是微電子？電子微電子

50m100m頭發絲粗細

30m1m1m(晶體管的大小)30~50m(皮膚細胞的大小)什么是微電子？WaferPackageSingleICSMA/PCBAElectronicEquipment

電子整機制作流程課程簡介與學習方法

微電子技術專業選修課，是學習相關專業理論和技能的組成部分。主要任務對集成電路制造工藝的相關理論和技術有一個較為系統地認知和了解。

類比學習法

理解>>記憶

積極利用各種資源—網絡、圖書館專業學習方法

融“學會”與“會學”微電子發展歷程電子產業——1998年以來，超過了汽車和鋼鐵產業成為世界銷售額最大產業（>1萬億美元）半導體行業——電子產業的基石微電子器件=半導體器件，又稱集成電路元器件集成電路的戰略地位—當代國民經濟的“食物鏈”關系。據美國半導體協會（SIA）預測

電子信息服務業30萬億美元相當于1997年全世界GDP總和電子裝備6-8萬億元集成電路產值1萬億美元GDP≈50萬億美元2012年無源器件：不需外加電源條件下可顯示特性的電子元件。無源器件主要包括電阻類、電感類和電容類器件。有源器件：需外加電源顯示特性的器件，常用于信號放大、轉換等。集成電路定義及分類集成電路：IntegratedCircuit—IC，通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連方式，“集成”在一塊半導體單晶片（如硅、砷化鎵）或陶瓷等基片上后封裝在一個外殼內，執行特定電路或系統功能。集成電路分類按集成電路規模分類SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI和GSI按電路功能分類數字集成電路模擬集成電路數字-模擬集成電路微電子器件工藝發展三階段一、生長法：20世紀30、40年代，在半導體材料（硅、鍺等）單晶體拉制過程中，通過改變摻雜濃度（放入受主雜質或施主雜質），然后將混有P、N型晶體的單晶進行切割，在交界面處形成p-N結。單晶硅的制備（晶圓）微電子器件工藝發展三階段（續）合金法：20世紀50年代起，在半導體材料（硅、鍺等）晶片表面放置施主雜質（或受主雜質）的小球，然后經過高溫加熱過程使小球熔化，那么雜質就以合金的形式與半導體晶片相融合。微電子器件工藝發展歷程（續）擴散法：提高晶體管的電學特性，在硅平面工藝基礎上發展出了擴散法。隨著氧化、蒸發、光刻和外延等技術的引入，硅平面工藝技術飛速發展，使擴散法制造的硅晶體管性能大大提高。1958年：第一塊集成電路誕生-美國德克薩斯儀器公司

基爾比(ClairKilby)G.W.A.DummerClairKilby趨勢：集成度不斷增加20世紀60年代中期，MSI出現20世紀70年代前期，LSI出現20世紀70年代后期，VLSI出現20世紀90年代，ULSI出現……集成度變遷集成電路的發展趨勢1、集成電路制造工藝流程十分復雜，且隨集成電路種類、功能和結構改變而大不相同。2、衡量集成電路制造工藝發展水平的標

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