電阻器電子元器件之一

教學內容1.電阻器

2.電位器重點電路中所起作用容量識別參數檢測

常用元器件之一電阻器電阻器作用電阻器種類電阻器識別電阻器檢測

主要教學內容分流限流分壓負載濾波(與電容器配合)電阻器

電阻器的作用固定電阻R可變電阻R敏感電阻：是指對溫度、光、電壓、外力、氣體濃度等反映敏感的電阻RTRU電阻器的種類電阻器

固定電阻的種類⑴碳膜電阻RT

⑵金屬電阻器RJ特點:穩定性好,高頻特性好，價廉等,但精度較低。應用比較廣泛性能優于碳膜電阻。電阻器

⑷片狀電阻主要用于SMT技術中，它的優點是體積小，節約空間，例如：手機、MP3等里面的用的都是片狀電阻。

⑶線繞電阻RX特點：功率大，熱穩定性好，耐高溫，溫度系數小，精度高，但高頻特性差,不能用于高頻電路使用場合：低頻，標準電阻等。固定電阻的種類電阻器

代表4.7Ω代表7.5kΩ⑵數字法4R77k5⑴直標法用三位數字表示阻值，它主要用于片狀電阻中。223代表阻值22×1000=22×103Ω=22kΩ電阻器的識別電阻器

電阻器的識別電阻器

⑶四色環法R=10×102±10%Ω棕黑紅銀黑棕紅橙黃綠藍紫灰白金銀無0123456789±5％±10％±20％1234有效數字倍率允許偏差電阻器的識別電阻器

⑷五色環法

(第四、五位距離比較寬）

黃紫黑黃紅有效數字12345倍率允許偏差R=470×104±2%Ω灰藍黑橙綠？黑0棕1±1％紅2±2％橙3黃4綠5±0.5%藍6±0.25%紫7±0.1%灰8±0.05%白9金0.1銀0.01注意：1）不能用手同時捏住電阻引腳。用數字萬用表電阻擋進行測量數字萬用表在測電阻以前需進行一次零歐姆測試檢查：將紅、黑表筆相互短接，表頭應顯示“000”；將紅、黑表筆開路，表頭應顯示“1”（超量程指示）。電阻器的檢測電阻器

2）不能在路檢測電阻。3）數字萬用表量程要大于被測電阻阻值。電位器電位器的作用電位器的種類電位器的檢測主要教學內容

變阻器分壓器

電位器13UiRUo2結構原理如圖所示R132

接1、2或2、3兩端電位器種類電位器

123415帶開關電位器數字電位器123123123⑴機械結構判斷注意：1）在量程正確情況下如出現“1”則內部開路

2）如出現“000”則內部短路

3）如讀數時高時低，則內部損壞。⑵測量電位器的標稱值選擇合適量程，用數字萬用表檢測電位器兩端阻值是否與標稱值相符。將數字表紅、黑表筆分別接中間端與電位器任何一端，然后緩慢旋轉電位器旋柄，看讀數是否平穩跳變。

表頭讀數應在0～標稱值之間或標稱值～0之間變化⑶檢測阻值變化情況電位器

電位器檢測標稱值讀取與電阻類似電阻器

⑴本課主要介紹了用色環法及數字表測量電阻器阻值、電阻器種類及應用⑵課后請同學們掌握用色環法判別測試板上電阻的阻值及允許的偏差。

小結⑶希望同學們通過理論課的學習，在實習產品的制作過程中，運用所學理論知識分析、排除所遇到的故障。中德實訓17電容器電子元器件之二

中德實訓18教學內容

電容器識別與測試重點電路中所起作用容量識別參數檢測常用元器件之二

中德實訓19電容器電路符號及特性電容器的種類電容器的作用電容器的識別電容器的檢測主要教學內容

中德實訓20加在電容兩端的電壓不能突變；電路符號：C電路符號及特性電解電容、鉭電容等電容器

通高頻，阻低頻，對直流電流，相當于開路。能夠充放電；主要參數：容量、額定工作電壓特性：電容容量中德實訓21注意：使用時，電源的正極接電解電容的正極，負極接電解電容的負極。容量大，價格低但誤差大，穩定性差。一般用于直流或低頻電路如電源濾波，耦合，旁路等。優點：體積小，穩定性高，壽命長。一般用于要求較高的電路定時、延時。⑴電解電容：有正、負極之分鉭電解電容鋁電解電容常用電容器種類電容器

不能用于高頻電路。中德實訓22容量比較小,適用于超高頻信號的旁路，耦合，濾波等。⑶滌綸電容⑵瓷介電容器

常用電容器種類獨石電容器：具有耐高溫，體積小，電容容量大，穩定性好等優點，廣泛用于精密儀器中高頻電路作諧振，耦合，濾波，旁路用。電容器

（無極性電容）（無極性電容）用于中低頻電路，如信號耦合，旁路，隔直等，不宜在高頻電路中使用。中德實訓23電容器作用電容器

根據電容在電路中的使用，有常見的五種功能

★濾波C1：電解電容：低頻濾波C2：高頻信號濾波uc中德實訓24電容器作用電容器

★

旁路作用+EcR2R1R4CNPN-R3★

交流耦合（通交流隔直流）中德實訓25★

RC定時作用根據電容兩端的充電電壓可以控制后面的電路電容器作用電容器

中德實訓26具體應用電容器

低通濾波器fof0RLC二階低通濾波器中德實訓27具體應用電容器

高通濾波器中德實訓28⑵數字法：適用于瓷介，滌綸電容例如：224表示電容容量為：⑴直標法：適用于電解電容把容量、耐壓、精度直接標在電容體上容量識別電容器

205=？224=22×104pF=220nF=0.22uF中德實訓29用數字RLC電橋可以直接測電容的容量

被測量工作方式頻率

C并聯電解電容100Hz

其他電容器10kHz電容容量直讀RLC電橋表頭左邊讀數,注意單位。電容器測量電容器

按RLC按鈕中德實訓30電容器

⑴本節課主要介紹了常見電容器的種類、應用及檢測方法。⑵課后請同學們用RLC電橋測量所提供電容的容量小結⑶希望同學們通過理論課的學習，在實習產品的制作過程中，運用所學理論知識分析、排除所遇到的故障。中德實訓31電容器

⑴220uF/50V電解電容可以替代200uF/16V電解電容?⑵瓷片電容器能否用于低頻信號的耦合與濾波？⑶電解電容器能否用于高頻信號的耦合與濾波？思考題中德實訓32電感器電子元器件之三

中德實訓33電感的外形及電路符號電感的特性及作用電感器的檢測

電感器主要教學內容中德實訓34電感器

電感器外形及種類中德實訓35電路符號空心電感器磁芯電感器可調電感器

電感器電感器的電感大小與線圈的結構有關,線圈繞的匝數越多,電感愈大。在同樣匝數情況下，線圈增加了磁芯后，電感量增大。中德實訓36電感器特性流過電感器的電流不能突變通低頻信號，阻高頻信號通直流信號，阻交流信號電容兩端電壓不能突變

電感器通交流信號，阻直流信號通高流信號，阻低流信號電感器主要用于電源濾波電路,與電容構成LC諧振電路當流過線圈的電流大小發生變化時，線圈會產生一個感應電動勢來維持原電流的大小不變。中德實訓37⑴與C形成并聯諧振電路Ud↑→Cd↓→f↑

電感器電感器作用中德實訓38⑵高頻扼流：L2、L1，阻高頻，通低頻L2：磁環電感，測量時L1：色環電感電感量不能太小

電感器電感器作用中德實訓39⑶濾波①與C形成高通濾波器76MHzfA

電感器電感器作用中德實訓40②與C形成二階低通濾波器fo幅頻特性

電感器電感器作用中德實訓41用RLC直流測試電橋直接測量電感器的電感量

被測量工作方式頻率

L(按LCR)串聯10kHzRLC電橋調零開路清零表頭顯示SH(右邊表)短路清零表頭顯示OP開路清零開始測量

電感容量直讀RLC電橋左邊表頭讀數,注意單位。電感器電感器容量檢測中德實訓42

電感器小結⑴本節課主要介紹了常見電感器的種類、應用及檢測方法。⑵課后請同學們用RLC電橋測量所提供電感的容量(1-43)電子技術

第一章

半導體器件模擬電路部分(1-44)第一章半導體器件§1.1

半導體的基本知識§1.2

PN

結及半導體二極管§1.3

特殊二極管§1.4

半導體三極管§1.5

場效應晶體管(1-45)§1.1半導體的基本知識1.1.1導體、半導體和絕緣體導體：自然界中很容易導電的物質稱為導體，金屬一般都是導體。絕緣體：有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導體：另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。(1-46)半導體的導電機理不同于其它物質，所以它具有不同于其它物質的特點。例如：

當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。

往純凈的半導體中摻入某些雜質，會使它的導電能力明顯改變。(1-47)1.1.2

本征半導體一、本征半導體的結構特點GeSi通過一定的工藝過程，可以將半導體制成晶體。現代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。(1-48)本征半導體：完全純凈的、結構完整的半導體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。硅和鍺的晶體結構：(1-49)硅和鍺的共價鍵結構共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示除去價電子后的原子(1-50)共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定結構。共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。+4+4+4+4(1-51)二、本征半導體的導電機理在絕對0度（T=0K）和沒有外界激發時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為0，相當于絕緣體。在常溫下，由于熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。1.載流子、自由電子和空穴(1-52)+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子(1-53)2.本征半導體的導電機理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。(1-54)溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。本征半導體中電流由兩部分組成：

1.自由電子移動產生的電流。

2.空穴移動產生的電流。(1-55)1.1.3

雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。P型半導體：空穴濃度大大增加的雜質半導體，也稱為（空穴半導體）。N型半導體：自由電子濃度大大增加的雜質半導體，也稱為（電子半導體）。(1-56)一、N型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。(1-57)+4+4+5+4多余電子磷原子N型半導體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2、本征半導體中成對產生的電子和空穴。摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為多數載流子（多子），空穴稱為少數載流子（少子）。(1-58)二、P型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導體原子形成共價鍵時，產生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。+4+4+3+4空穴硼原子P型半導體中空穴是多子，電子是少子。(1-59)三、雜質半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體雜質型半導體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。近似認為多子與雜質濃度相等。(1-60)§1.2PN結及半導體二極管2.1.1PN

結的形成在同一片半導體基片上，分別制造P型半導體和N型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結。(1-61)P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E漂移運動擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。空間電荷區，也稱耗盡層。(1-62)漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度固定不變。(1-63)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空間電荷區N型區P型區電位VV0(1-64)1、空間電荷區中沒有載流子。2、空間電荷區中內電場阻礙P中的空穴、N區

中的電子（都是多子）向對方運動（擴散運動）。3、P

區中的電子和N區中的空穴（都是少），數量有限，因此由它們形成的電流很小。注意:(1-65)2.1.2PN結的單向導電性

PN結加上正向電壓、正向偏置的意思都是：P區加正、N區加負電壓。

PN結加上反向電壓、反向偏置的意思都是：P區加負、N區加正電壓。(1-66)－－－－++++RE一、PN結正向偏置內電場外電場變薄PN+_內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。(1-67)二、PN結反向偏置－－－－++++內電場外電場變厚NP+_內電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數量有限，只能形成較小的反向電流。RE(1-68)2.1.3

半導體二極管一、基本結構PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。引線外殼線觸絲線基片點接觸型PN結面接觸型PN二極管的電路符號：(1-69)

二、伏安特性UI死區電壓硅管0.6V,鍺管0.2V。導通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓UBR(1-70)三、主要參數1.最大整流電流IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向擊穿電壓UBR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓UWRM一般是UBR的一半。(1-71)3.反向電流IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數，二極管的應用是主要利用它的單向導電性，主要應用于整流、限幅、保護等等。下面介紹兩個交流參數。(1-72)4.微變電阻rDiDuDIDUDQiDuDrD是二極管特性曲線上工作點Q附近電壓的變化與電流的變化之比：顯然，rD是對Q附近的微小變化區域內的電阻。(1-73)5.二極管的極間電容二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢壘電容CB和擴散電容CD。勢壘電容：勢壘區是積累空間電荷的區域，當電壓變化時，就會引起積累在勢壘區的空間電荷的變化，這樣所表現出的電容是勢壘電容。擴散電容：為了形成正向電流（擴散電流），注入P區的少子（電子）在P

區有濃度差，越靠近PN結濃度越大，即在P區有電子的積累。同理，在N區有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產生的電容就是擴散電容CD。P+-N(1-74)CB在正向和反向偏置時均不能忽略。而反向偏置時，由于載流子數目很少，擴散電容可忽略。PN結高頻小信號時的等效電路：勢壘電容和擴散電容的綜合效應rd(1-75)二極管：死區電壓=0.5V，正向壓降0.7V(硅二極管)理想二極管：死區電壓=0，正向壓降=0RLuiuouiuott二極管的應用舉例1：二極管半波整流(1-76)二極管的應用舉例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo(1-77)§1.3特殊二極管1.3.1

穩壓二極管UIIZIZmaxUZIZ穩壓誤差曲線越陡，電壓越穩定。+-UZ動態電阻：rz越小，穩壓性能越好。(1-78)（4）穩定電流IZ、最大、最小穩定電流Izmax、Izmin。（5）最大允許功耗穩壓二極管的參數:（1）穩定電壓UZ（2）電壓溫度系數U（%/℃）

穩壓值受溫度變化影響的的系數。（3）動態電阻(1-79)穩壓二極管的應用舉例uoiZDZRiLiuiRL穩壓管的技術參數:負載電阻。要求當輸入電壓由正常值發生20%波動時，負載電壓基本不變。解：令輸入電壓達到上限時，流過穩壓管的電流為Izmax。求：電阻R和輸入電壓ui的正常值。——方程1(1-80)令輸入電壓降到下限時，流過穩壓管的電流為Izmin。——方程2uoiZDZRiLiuiRL聯立方程1、2，可解得：(1-81)1.3.2光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。IU照度增加(1-82)1.3.3發光二極管有正向電流流過時，發出一定波長范圍的光，目前的發光管可以發出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。(1-83)§1.4半導體三極管1.4.1

基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型(1-84)BECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高(1-85)BECNNP基極發射極集電極發射結集電結(1-86)1.4.2電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區空穴向發射區的擴散可忽略。IBE進入P區的電子少部分與基區的空穴復合，形成電流IBE

，多數擴散到集電結。發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。(1-87)BECNNPEBRBECIE集電結反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE從基區擴散來的電子作為集電結的少子，漂移進入集電結而被收集，形成ICE。(1-88)IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE(1-89)ICE與IBE之比稱為電流放大倍數要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。(1-90)BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管(1-91)1.4.3

特性曲線ICmAAVVUCEUBERBIBECEB

實驗線路(1-92)一、輸入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V

死區電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。(1-93)二、輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域滿足IC=IB稱為線性區（放大區）。當UCE大于一定的數值時，IC只與IB有關，IC=IB。(1-94)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中UCEUBE,集電結正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區。(1-95)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓，稱為截止區。(1-96)輸出特性三個區域的特點:放大區：發射結正偏，集電結反偏。即：IC=IB,且

IC

=

IB(2)飽和區：發射結正偏，集電結正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區：

UBE<死區電壓，IB=0，IC=ICEO

0

(1-97)例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當USB

=-2V，2V，5V時，晶體管的靜態工作點Q位于哪個區？當USB

=-2V時：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大飽和電流：Q位于截止區

(1-98)例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當USB

=-2V，2V，5V時，晶體管的靜態工作點Q位于哪個區？IC<

ICmax(=2mA)

，

Q位于放大區。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V時：(1-99)USB

=5V時:例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當USB

=-2V，2V，5V時，晶體管的靜態工作點Q位于哪個區？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIC>

Icmax(=2mA)，Q位于飽和區。(實際上，此時IC和IB

已不是的關系）(1-100)三、主要參數前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數：工作于動態的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為IB，相應的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數為：1.電流放大倍數和(1-101)例：UCE=6V時：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計算中，一般作近似處理：=(1-102)2.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。(1-103)BECNNPICBOICEO=

IBE+ICBO

IBEIBEICBO進入N區，形成IBE。根據放大關系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。(1-104)4.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值的下降，當值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。5.集-射極反向擊穿電壓當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。(1-105)6.集電極最大允許功耗PCM

集電極電流IC

流過三極管，所發出的焦耳熱為：PC=ICUCE

必定導致結溫上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(1-106)§1.5場效應晶體管場效應管與雙極型晶體管不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩定性好。結型場效應管JFET絕緣柵型場效應管MOS場效應管有兩種:(1-107)N基底：N型半導體PP兩邊是P區G(柵極)S源極D漏極一、結構1.5.1結型場效應管:導電溝道(1-108)NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結型場效應管DGSDGS(1-109)PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結型場效應管DGSDGS(1-110)二、工作原理（以P溝道為例）UDS=0V時PGSDUDSUGSNNNNIDPN結反偏，UGS越大則耗盡區越寬，導電溝道越窄。(1-111)PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V時NNUGS越大耗盡區越寬，溝道越窄，電阻越大。但當UGS較小時，耗盡區寬度有限，存在導電溝道。DS間相當于線性電阻。(1-112)PGSDUDSUGSNNUDS=0時UGS達到一定值時（夾斷電壓VP）,耗盡區碰到一起，DS間被夾斷，這時，即使UDS0V，漏極電流ID=0A。ID(1-113)PGSDUDSUGSUGS<Vp且UDS>0、UGD<VP時耗盡區的形狀NN越靠近漏端，PN結反壓越大ID(1-114)PGSDUDSUGSUGS<Vp且UDS較大時UGD<VP時耗盡區的形狀NN溝道中仍是電阻特性，但是是非線性電阻。ID(1-115)GSDUDSUGSUGS<VpUGD=VP時NN漏端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。UDS增大則被夾斷區向下延伸。ID(1-116)GSDUDSUGSUGS<VpUGD=VP時NN此時，電流ID由未被夾斷區域中的載流子形成，基本不隨UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID(1-117)三、特性曲線UGS0IDIDSSVP飽和漏極電流夾斷電壓轉移特性曲線一定UDS下的ID-UGS曲線(1-118)予夾斷曲線IDUDS2VUGS=0V1V3V4V5V可變電阻區夾斷區恒流區輸出特性曲線0(1-119)N溝道結型場效應管的特性曲線轉移特性曲線UGS0IDIDSSVP(1-120)輸出特性曲線IDUDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN溝道結型場效應管的特性曲線(1-121)

結型場效應管的缺點：1.柵源極間的電阻雖然可達107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。3.柵源極間的PN結加正向電壓時，將出現較大的柵極電流。絕緣柵場效應管可以很好地解決這些問題。2.在高溫下，PN結的反向電流增大，柵源極間的電阻會顯著下降。(