ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T41325—2022

集成電路用低密度晶體原生凹坑

硅單晶拋光片

Lowdensitycrystaloriginatedpitpolishedmonocrystallinesiliconwafersfor

integratedcircuit

2022-03-09發布2022-10-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T41325—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司山東有研半導體材料有限公司杭州中欣晶圓半導

:、、

體股份有限公司南京國盛電子有限公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司浙江金瑞泓科技股

、、、

份有限公司中環領先半導體材料有限公司浙江海納半導體有限公司

、、。

本文件主要起草人孫燕寧永鐸鐘耕杭李洋徐新華駱紅楊素心李素青張海英由佰玲

:、、、、、、、、、、

潘金平

。

Ⅰ

GB/T41325—2022

集成電路用低密度晶體原生凹坑

硅單晶拋光片

1范圍

本文件規定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片以下簡稱拋光片的技術要求試驗

(Low-COP)、

方法檢驗規則包裝標志運輸貯存隨行文件及訂貨單內容

、、、、、、。

本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為和晶向電阻

200mm300mm、<100>、

率的拋光片

0.1Ω·cm~100Ω·cmLow-COP。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶

GB/T12962

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

半導體材料術語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅單晶切割片和磨削片

GB/T29508300mm

硅片翹曲度和彎曲度的測試自動非接觸掃描法

GB/T32280

硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法

GB/T39145

硅片包裝

YS/T28

非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試表面光電壓法

YS/T679

晶片納米形貌報告指南

SEMIM43(Guideforreportingwafernanoyopgraphy)

晶片近邊緣幾何形態的評價法

SEMIM67ESFQR、ESFQD、ESBIR(Testmethodfor

determiningwafernear-edgegeometryfromameasuredthicknessdataarrayusingtheESFQR,ES-

FQD,andESBIRmetrics)

晶片近邊緣幾何形態的評價高度徑向二階導數法

SEMIM68(Testmethodfordetermining

wafernear-edgegeometryfromameasuredheightdataarrayusingacurvaturemetric,ZDD)

晶片近邊緣幾