電子技術考核方式1、平時成績：30％作業、出勤、課堂表現：10％實驗：20％2、期終考試：70％第一章半導體分立器件及其基本電路第一章半導體分立器件及其基本電路1.1半導體的基本知識與PN結1.2半導體二極管及其應用電路1.3放大電路的基本概念及其性能指標1.4三極管及其放大電路1.6多級放大電路§1.1半導體的基本知識與PN結1.1.1半導體的導電特性半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的材料。常見的半導體材料有硅、鍺、硒及許多金屬的氧化物和硫化物等。半導體材料的特性：純凈半導體的導電能力很差；溫度升高——導電能力增強；光照增強——導電能力增強；摻入少量雜質——導電能力增強。現代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。GeSi一、

本征半導體硅和鍺的共價鍵結構共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子+4+4+4+4+4+4形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定結構。共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。+4+4+4+4完全純凈的、結構完整的半導體晶體，稱為本征半導體。硅和鍺的晶體結構在絕對0度（T=0K）和沒有外界激發時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為0，相當于絕緣體。當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導電，成為自由電子。

自由電子產生的同時，在其原來的共價鍵中就出現了一個空位，原子的電中性被破壞，呈現出正電性，其正電量與電子的負電量相等，人們常稱呈現正電性的這個空位為空穴。

這一現象稱為本征激發，也稱熱激發。本征半導體的導電機理+4+4+4+4本征半導體的導電機理自由電子空穴束縛電子本征半導體的導電機理本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。N型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻）二、雜質半導體Negative+4+4+5+4N型半導體多余電子磷原子N型半導體N型半導體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2、本征半導體中成對產生的電子和空穴。3、摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為多數載流子（多子），空穴稱為少數載流子（少子）。？+4+4+3+4空穴P型半導體硼原子在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦）Positive雜質半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體空穴正離子負離子電子1.1.2PN結及其單向導電性半導體器件的核心是PN結，是采取一定的工藝措施在一塊半導體晶片的兩側分別制成P型半導體和N型半導體，在兩種半導體的交界面上形成PN結。各種各樣的半導體器件都是以PN結為核心而制成的，正確認識PN結是了解和運用各種半導體器件的關鍵所在。擴散運動:物質從濃度高的地方向濃度低的地方運動,即由于濃度差產生的運動.漂移運動:在電場力作用下,載流子的運動.P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E漂移運動空間電荷區一、PN結形成擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。

最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。對于P型半導體和N型半導體結合面，離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。在空間電荷區，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。又稱阻擋層。

圖PN結的形成過程

1.空間電荷區中沒有載流子。2.空間電荷區中內電場阻礙P中的空穴.N區

中的電子（都是多子）向對方運動（擴散運動）。3.P

區中的電子和N區中的空穴（都是少子），數量有限，因此由它們形成的電流很小。注意:二、PN結的單向導電性

如果外加電壓使PN結中：

P區的電位高于N區的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；

P區的電位低于N區的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。PN結具有單向導電性:若外加電壓使電流從P區流到N區，PN結呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。－－－－++++內電場外電場變薄PN+_內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。

(1)PN結加正向電壓圖PN結加正向電壓時的導電情況－－－－++++內電場外電場變厚NP+_內電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數量有限，只能形成較小的反向電流。

(2)PN結加反向電壓圖PN結加反向電壓時的導電情況1.2半導體二極管及其應用電路

在PN結上加上引線和管殼，就成為一個二極管。二極管按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。1.2.1半導體二極管(a)點接觸型

PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(b)面接觸型(c)平面型符號：D陽極陰極PN

PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。PN結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。UI死區電壓硅管0.5V,鍺管0.1V。導通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)死區電壓正向反向外電場不足以克服內電場,電流很小外電場不足以克服內電場,電流很小一、伏安特性當外加電壓大于死區電壓內電場被大大減削弱,電流增加很快。UI死區電壓硅管0.5V,鍺管0.1V。導通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)死區電壓反向由于少子的漂移運動形成很小的反向電流,在且U<U(BR)內,其大小基本恒定,稱反向飽和電流IS,其隨溫度變化很大。一、伏安特性UI死區電壓硅管0.5V,鍺管0.1V導通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)死區電壓反向當U>U(BR)時,其反向電流突然增大,反向擊穿。一、伏安特性二、主要參數1）最大整流電流IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2）反向擊穿電壓UBR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓UDRM一般是UBR的一半。3）反向電流IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，一般在幾uA以下；鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。三、二極管的模型1、理想模型2、恒壓降模型等效電路等效電路硅管:0.7V鍺管:0.3V1.2.2二極管的應用檢波作用整流作用二極管的應用是主要利用它的單向導電性,包括整流、限幅、保護、檢波、開關等。例tuituoRuiuoD單向脈動電壓例已知E=5V，ui=10sintV,試畫出輸出電壓波形。限幅作用E限幅作用E例RRLuiuRuotttuiuRuo檢波作用檢波作用例：電路如圖，求Y點的電位。ABY+3V0V-12VDADBRVA>VB,DA優先導通，若D的壓降為0.3V，則：VY=2.7VDA導通DB截止DA：鉗位作用DB：隔離作用一、伏安特性曲線UIUZIZIZmaxUZIZ穩壓誤差曲線越陡，電壓越穩定。-+1.2.3特殊二極管穩壓管是特殊的面接觸型半導體硅二極管,其反向擊穿是可逆的,且反向電壓較穩定.1.穩壓管：二、穩壓過程：-ˉˉˉ?ˉ?ˉ?RLIZ+uCCUOuRRLUOIZUO?穩壓二極管的參數（1）穩定電壓UZ（2）電壓溫度系數U（%/℃）穩壓值受溫度變化影響的系數。UZ=5.6V左右，受溫度影響小，有較好的溫度穩定性。（3）動態電阻穩壓二極管反向擊穿后穩定工作的電壓。（4）穩定電流IZ（5）最大允許功耗管子不致產生熱擊穿的最大功率損耗工作電壓等于穩定電壓時的工作電流，即管子的正常工作電流。2.發光二極管(LED)有正向電流流過時，發出一定波長范圍的光，目前的發光管可以發出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。陽極陰極3.光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。IU照度增加陽極陰極1.3放大電路的基本概念及其性能指標放大電路：也叫放大器，是一種能量轉換電路，能將微弱的電信號放大，其能量來源于供電電源。性能指標放大電路信號源負載放大電路1、輸入電阻ri從輸入端口看進去的電阻riri

是衡量放大電路對信號源衰減程度2、輸出電阻ro從輸出端口看進去的電阻放大電路riroro是衡量放大電路帶負載能力3、放大倍數：描述放大電路的放大能力放大電路riro電壓放大倍數：電流放大倍數：源電壓放大倍數：§1.4三極管及其放大電路1.4.1三極管BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型一、三極管結構和符號BECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高BECNNP基極發射極集電極發射結集電結BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管三極管的符號ICmAAVVUCEUBERBIBECEB1、實驗線路二、電流分配和放大作用00.020.040.060.080.10<0.0010.71.52.33.103.95<0.0010.721.542.363.184.05ICIBIE2.實驗數據(1)IE=IB+IC(2)IC(或IE)?IB

這就是晶體管的電流放大作用(4)要使晶體管起放大作用,外部條件:發射結正偏,集電結反偏.(3)當IB=0時,IC=ICEO<0.001mA=1uABECNNPEBRBEc發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。IE基區空穴向發射區的擴散可忽略。IBE進入P區的電子少部分與基區的空穴復合，形成電流IBE，多數擴散到集電結。三、晶體管內部載流子運動規律BECNNPEBRBEcIE集電結反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBO從基區擴散來的電子作為集電結的少子，漂移進入集電結而被收集，形成ICE。IC=ICE+ICBOICEIBEICEIB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBEcIEICBOICEIC=ICE+ICBOICEIBE要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。ICE與IBE之比稱為電流放大倍數ICmAAVVUCEUBERBIBECEB測量電路四、特性曲線三極管各極電流與電壓的關系（1）輸入特性：IB=f（UBE）UCE=CUCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死區電壓，硅管0.5V，鍺管0.1V。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域滿足IC=IB稱為線性區（放大區）。（2）輸出特性：IC=f(UCE)IB=C集電結正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區。此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓，稱為截止區。輸出特性三個區域的特點:放大區：發射結正偏，集電結反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)飽和區：發射結正偏，集電結正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區：

UBE<死區電壓，IB=0，IC=ICEO

0

BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管UC>UB>UEUE>UB>UC符號：（1）V1=3.5V，V2=2.9V，V3=12V。例1：測得工作在放大電路中幾個晶體管三個極電位值V1、V2、V3，判斷管子的類型、材料及三個極。NPN型硅管，1、2、3依次為B、E、C（2）V1=3V，V2=2.8V，V3=12V。（3）V1=6V，V2=11.4V，V3=12V。（4）V1=6V，V2=11.8V，V3=12V。NPN型鍺管，1、2、3依次為B、E、CPNP型硅管，1、2、3依次為C、B、EPNP型鍺管，1、2、3依次為C、B、E四、主要參數___b1.電流放大倍數和：工作于動態的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為IB，相應的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數為：直流放大倍數例：UCE=6V時：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計算中，一般作近似處理：=2.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。越小越好。3.集-射極反向截止電流ICEOAICEO5.集-射極反向擊穿電壓當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。4.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值的下降，當值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過三極管，所發出的焦耳熱為：PC=ICUCE必定導致結溫上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區五、復合三極管β=β1β2

1.4.2共發射極放大電路三極管放大電路有三種形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器為例講解工作原理放大電路的結構示意框圖見圖3、元件選擇要使信號不失真地放大。放大電路的組成原則：1、有直流電源，保證E結正偏，C結反偏。2、元件安排要保證信號傳輸，即信號能從輸入端加到三極管上（有信號輸入回路），經放大后從輸出端輸出（有輸出回路）。一、共射極放大電路組成RB+ECEBRCC1C2T放大元件iC=iB，工作在放大區，要保證集電結反偏，發射結正偏。uiuo輸入輸出？參考點使發射結正偏，并提供適當的靜態工作點,RB為幾十K至幾百K。基極電源與基極電阻RB+ECEBRCC1C2T集電極電源，為電路提供能量。并保證集電結反偏。RB+ECEBRCC1C2T集電極電阻,將變化的電流轉變為變化的電壓,實現電壓放大。Rc=幾K幾十KRB+ECEBRCC1C2T隔離輸入輸出與電路直流的聯系，同時能使信號順利輸入輸出。C1、C2值較大,幾uF至幾十uF的電解電容.RB+ECEBRCC1C2T耦合電容：電解電容，有極性。大小為10F~50F單電源供電可以省去RB+ECEBRCC1C2TRB單電源供電+ECRCC1C2T二、靜態分析放大電路分析靜態分析動態分析估算法圖解法微變等效電路法圖解法

靜態是放大電路沒有輸入信號時的工作狀態,靜態分析所要確定的是放大電路的靜態值IB、IC、UBE、UCE,其值直接影響放大電路的質量。

動態分析是要確定放大電路的電壓放大倍數Au、輸入電阻ri、輸出電阻ro。ui=0時由于電源的存在IB0IC0IBQICQIEQ=IBQ+ICQRB+VCCRCC1C2TIBQICQUBEQUCEQ(ICQ,UCEQ)(IBQ,UBEQ)RB+ECRCC1C2T直流通道和交流通道電容對交、直流的作用不同。如果電容容量足夠大，可以認為它對交流不起作用，即對交流短路。而對直流可以看成開路，這樣，交直流所走的通道是不同的。這樣就有了交流通道（只考慮交流信號的分電路）和直流通道（只考慮直流信號的分電路）。不同的信號可以分別在不同的通道分析。RB+ECRCC1C2開路開路原則:對直流信號電容可看作開路RB+ECRC直流通道直流通道1、估算法確定靜態值RB+ECRCIBUBEICUCE2、用圖解法確定靜態值：RB+ECRCIBUBEICUCE+ECRCICUCEUCE=EC-ICRC先估算IB，然后在輸出特性曲線上作出直流負載線，與IB對應的輸出特性曲線與直流負載線的交點就是Q點。ICUCEQEC由直流通路列出:UCE=EC-ICRC據此做出直流負載線,與輸出特性曲線交點為Q.(IBQ,UBEQ)

和(ICQ,UCEQ

)分別對應于輸入輸出特性曲線上的一個點稱為靜態工作點。IBUBEQIBQUBEQICUCEQUCEQICQ例：確定靜態工作點。已知：EC=12V，RC=4K，RB=300K，=37.5。解：請注意電路中IB和IC的數量級估算法(1)作直流負載線UCE=EC-ICRC所以IC=0時,UCE=EC=12VUCE=0時,EmARICCC3==做出直流負載線(2)由得出交點Q其靜態值為IB=40uA,IC=1.5mA,UCE=6VICUCEEC36912123020uA406080100QIB1.56圖解法RB為偏置電阻。RB發射結“地”Q'

Q''

RB+ECRCIBUBEICUCE若改變RB,則IB改變,Q點在直流負載曲線上移動,如圖所示。ICUCEEC36912123020uA406080100QIB為偏置電流，簡稱偏流。產生偏流的電路為偏置電路，其路徑為EC動態分析是在靜態值確定后分析信號的傳輸情況,考慮的是交流信號或稱信號分量.所要確定的參數為Au、ri、ro等。方法有微變等效電路法和圖解法。UA大寫字母、大寫下標，表示直流量。uA小寫字母、大寫下標，表示全量。ua小寫字母、小寫下標，表示交流分量。Ua大寫字母、小寫下標，表示交流分量的有效值。符號規定三、動態分析uAua全量交流分量tUA直流分量1、微變等效電路法將晶體管線性化,把放大電路等效為線性電路。線性化條件,就是晶體管在小信號(微變量)情況下工作。這樣在Q點附近的小范圍內用直線段近似地代替晶體管的特性曲線。晶體管的微變等效電路輸入回路iBuBE當信號很小時，將輸入特性在小范圍內近似線性。uBEiB對輸入的小交流信號而言，三極管相當于電阻rbe。rbe的量級從幾百歐到幾千歐。對于小功率三極管：輸出回路iCuCE所以：輸出端相當于一個受ib控制的電流源。在線性工作區內：為一受控源iciB晶體管的微變等效電路uceuberbeibibicBECibicCBEubeuceRB+ECRCC1C2短路短路置零交流通路的原則:*電容可忽略,以短路代替。*直流電源可認為是短路。uiRBRCRLuoibicuceCubeBE交流通路放大電路的微變等效電路uiRBRCRLuoibicuceCubeBE交流通路放大電路的微變等效電路rbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC放大電路的微變等效電路1）電壓放大倍數計算rbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC設輸入信號為正弦,可用相量表示當RL=時,(1)ri小,則ii值愈大,增加信號源負擔。(2)經RS和ri分壓,ri小,ui值亦減小,從而使uo減小。(3)后級的ri即為前級的RL,ri小會降低前級的AurirbeibibiiicuiuoRBRCRLBEC2）輸入電阻計算0rbeRBRC0所以：通常希望ro愈小愈好。因為對負載來說,放大電路即為信號源,ro即為內阻。若ro較大,帶負載能力就較差。求ro的方法:加壓求流法將信號源短路(ui=0,但Rs保留)將RL去掉,在輸出端加一交流電壓,遂產生電流。則:RS3）輸出電阻計算iBuBEQiCuCEuiiBiBiCuCE怎么變化？假設uBE有一微小的變化2、圖解法iCuCEiCucEuCE相位如何？uCE與uBE反相uCE的變化沿一條直線RB+ECRCC1C2uiiBiCuCuo各點波形四、失真分析：為了得到盡量大的輸出信號，要把Q設置在交流負載線的中間部分。如果Q設置不合適，信號進入截止區或飽和區，造成非線性失真。失真：輸出信號的波形不象輸入信號的波形iCuCEuo可輸出的最大不失真信號合適的靜態工作點ibiCuCEuoQ點過低，信號進入截止區稱為截止失真信號波形iCuCEuoQ點過高，信號進入飽和區稱為飽和失真信號波形五、靜態工作點的穩定為了保證放大電路的穩定工作，必須有合適的、穩定的靜態工作點。但是，溫度的變化嚴重影響靜態工作點。QTICICEOUBE對于前面的電路（固定偏置電路）而言，靜態工作點由UBE、和ICEO決定，這三個參數隨溫度而變化，溫度對靜態工作點的影響主要體現在這一方面。iCuCEQQ′溫度上升時，輸出特性曲線上移，造成Q點上移。常采用分壓式偏置電路來穩定靜態工作點。電路如下圖。RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuo分壓式偏置電路I1I2IB(固定)TUBE(UB-UE)IBIC(IE)UE(IERE)IC本電路穩壓的過程實際是由于加了RE形成了負反饋過程RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB穩定Q點的物理過程ICIEBEC例、已知EC=12V,RC=2K,RE=2K,RB1=20K,RB2=10K,晶體管的=37.5。試求靜態值，并進行動態分析。RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IBRB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB直流通路：+ECRB1RCRB2REI1I2IBICUCEUBE靜態分析+ECRB1RCRB2REI1I2IBICUCEUBE靜態分析RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IBRCRLRB2RB1RS動態分析交流通路RCRLRB2RB1RSRB2RB1RSrbeRCRL微變等效電路RB2RB1RSrbeRCRLriRB2RB1RSrbeRCRLRB2RB1RSrbeRCRLroRB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoI1I2IB旁路電容如果去掉CE，Au，ri，ro?電壓放大倍數：rbeBCEReRB2RB1RCRL65輸出電阻：輸入電阻：ri'rirbeBCERERB2RB1RCRL66r0U.無旁路電容CE有旁路電容CEAu減小分壓式偏置電路ri提高ro不變ReRb1Rb2I2I1IBQCe改進：串聯小電阻Re’。Re”>>Re’Re’Re”ReRb1Rb2I2I1IBQCeRe’Re”rbeBCERb2Rb1RCRLR’e注意:1.4.3射極輸出器因對交流信號而言，集電極是輸入與輸出回路的公共端，所以是共集電極放大電路。因從發射極輸出，所以稱射極輸出器。RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRB+ECREIBIE直流通道一、靜態分析：RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRB+ECREIBIE折算二、動態分析：交流通路RB+ECC1C2RERLui+–uo+–++es+–RSRBRERLuiuoes+–RS微變等效電路RBRERLuiuoes+–RSrbeRBRLEBC+-+-+-RSRE1、電壓放大倍數rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE1、所以但是，輸出電流Ie增加了。2、輸入輸出同相，輸出電壓跟隨輸入電壓，故稱電壓跟隨器。討論rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE2、輸入電阻輸入電阻高，對前級有利。ri與負載有關3、輸出電阻用外加壓求流法求輸出電阻。rorbeRERs置0rbeRERsrbeRERs射極輸出器的輸出電阻很小，帶負載能力強。共集電極放大電路(射極輸出器)的特點：1.電壓放大倍數小于1，約等于1;2.輸入電阻高；3.輸出電阻低；4.輸出與輸入同相。1、將射極輸出器放在電路的首級，可以提高輸入電阻，減輕信號源負擔。2、將射極輸出器放在電路的末級，可以降低輸出電阻，提高帶負載能。3、將射極輸出器放在電路的兩級之間，可以起到電路的匹配作用。（稱為中間隔離級或緩沖級）射極輸出器的應用主要利用它輸入電阻高和輸出電阻低的特點。耦合方式：信號源與放大電路之間、兩級放大電路之間、放大器與負載之間的連接方式。

常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和變壓器耦合。動態:傳送信號減少壓降損失靜態：保證各級有合適的Q點波形不失真第二級

推動級

輸入級輸出級輸入輸出多級放大電路的框圖對耦合電路的要求§1.6多極放大電路第一級第二級負載信號源兩級之間通過耦合電容C與下級輸入電路連接。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+++++–RS+–RC2C3CE2RE2RL+++UCC+––T1T2一、阻容耦合（1）靜態分析

由于電容有隔直作用，所以每級放大電路的直流通路互不相通，每級的靜態工作點互相獨立，互不影響，可以各級單獨計算。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1–RS+–RC2C3CE2RE2RL+UCC+–T1T2（2）動態分析關鍵:考慮級間影響RB1RC1C1C2RB2CE1RE1–RS+–RC2C3CE2RE2RL+UCC+–T1T2Uo1ri2=RL1ri2第一級第二級rbeRB2RC1EBC+-+-+-RSrbeRC2RLEBC+-RB112ri