1LiteraturesReviewSingle-crystallineNiCo2O4nanoneedlearraysgrownonconductivesubstratesasbinder-freeelectrodesforhigh-performancesupercapacitors(在導電基底上生長單晶鈷酸鎳納米針陣列作為不含粘合劑的高性能超級電容器電極)2Literaturesource3ContentsIntroduction12

Experimentalsection1Conclusions234Resultsanddiscussion41.Introduction介孔二氧化硅微球介孔材硅系非硅系結構中空特性介孔壁結構六方相（hexagonal）MCM-41立方相（cubic）的MCM-48層狀（lamellar）穩定的MCM-50層層自組裝過程復雜粒徑不均勻壁厚難整改層層自組裝（layer-by-layerself-assembly，LBL）是上世紀90年代快速發展起來的一種簡易、多功能的表面修飾方法。LBL最初利用帶電基板（substrate）在帶相反電荷中的交替沉積制備聚電解質自組裝多層膜（polyelectrolyteself-assembledmultilayer）。應用藥物傳輸藥物緩釋51.Introduction本文獻的方法

通過該法獲得的二氧化硅微球顯示出均勻的空心結構，具有可控的壁厚（25-95nm）。

單分散相的聚苯乙烯（PS）微球硬模板空孔結構CTAB（十六烷基三甲基溴化銨）結構導向劑在壁上生成介孔結構中空二氧化硅微球HSS（hollowsilicaspheres6

Experimentalsection272.Experimentalsection采用不同表面電荷的單分散相聚苯乙烯微球作為模板。2.1HHS的制備

+2.0g的CTAB

50ml乙醇+5ml的PS懸浮液

混合液8.5ml氨水18ml的水定量TEOS攪拌24h固體550℃干燥煅燒6hHSS-xPs:這里的x代表TEOS和PS懸浮液的體積比2.2HHS的吸附+20mg的HSS甲基藍（MB）V=50mlC=50ppm震蕩UV-vis溶液l=664nm測定吸光度+823Resultsanddiscussion93.ResultsanddiscussionFigureS1.FESEMimagesofPSsphereswith(a)negativeand(b)positivesurfacecharges.負電荷正電荷800nm260nm3.1采用帶不同表面電荷的PS微球對合成HSS的影響103.ResultsanddiscussionFig.1.FESEMimagesoftheHSSsamplespreparedwithnegativelycharged(a,b)andpositivelychargedPSspheres(c,d)astemplates113.ResultsanddiscussionFig.1TEMimageoftheHSSsamples(e,f)preparedwithaTEOS/PSratioof2.25.內徑=200nm壁厚=60nm壁孔徑=3nm123.Resultsanddiscussion3.2樣品HSS-7.2的熱重分析

FigureS2TGAandDTGcurvesofsampleHSS-7.2.在較低溫度（200~400）的失重是由于CTAB的脫除而在較高溫度(400-650)的失重是由PS微球的燃燒導致的

13Fig.2.TEMimagesoftheHSSsamplespreparedwithTEOS/PSratiosof0.6(a),2.25(b),3.6(c),and7.2(d).3.Resultsanddiscussion3.3不同的TEOS和PS懸浮液的比例對HSS壁厚的影響14SampleTEOS/PSa(V/V)Shellthicknessb(nm)WBJH(nm)SBETc(m2/g)Vtotald(cm3/g)HSS-0.60.6252.59971.17HSS-2.252.25602.17320.67HSS-3.63.6822.25050.45HSS-7.27.2952.21860.203.ResultsanddiscussionTableS1.

TexturalpropertiesofthesilicahollowspherespreparedwithdifferentvolumeratiosofTEOS/PSsuspension.返回153.ResultsanddiscussionFigureS3.ParticlesizedistributionofHSSsynthesizedwithdifferentTEOS/PSratio.隨著TEOS/PS的比例從0.6到7.2，HSS的壁厚幾乎呈線性增長（25-90nm）

163.4不同的TEOS/PS的比例合成的HSS樣品的氮氣吸脫附等溫線

3.ResultsanddiscussionH4型的滯后回線滯后回線樣品HSS-0.6沒有H4型滯后回線可能與中孔的結構缺陷有關，這有利于氮氣在較高壓力的脫附。Fig.3(a).Nitrogenadsorption/desorptionisothermsoftheHSSsamplespreparedwithTEOS/PSratiosof0.6(a),2.25(b),3.6(c),and7.2(d).173.ResultsanddiscussionFig.3(b)

PSDcurves(b)oftheHSSsamplespreparedwithTEOS/PSratiosof0.6(a),2.25(b),3.6(c),and7.2(d).同樣，表S1一個在2.5nm的寬峰的BJH孔徑分布曲線確認了孔缺陷的存在返回183.Resultsanddiscussion3.5甲基藍在樣品HSS-0.6和HSS-0.5的吸附動力學曲線Fig.4.AdsorptionkineticsofMBonsamplesHSS-0.6andHSS-2.25.28mg/g8.1mg/g介孔徑圖3b19Conclusions4204.conclusions在PS微球模板和表面活性劑CTAB存在的情況下，通過溶膠-凝膠法合成具有可控介孔厚壁的空心二氧化硅微球。帶負電荷的硅酸鹽物質和