標準解讀

《GB/T 34481-2017 低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法》是一項國家標準，該標準規定了使用化學腐蝕法測定低位錯密度鍺單晶片中位錯密度的方法。它適用于評估和控制鍺單晶材料的質量。

標準首先明確了術語定義，如“腐蝕坑”指的是在特定條件下通過化學或電化學腐蝕過程，在晶體表面形成的與位錯相關的微小凹陷；“腐蝕坑密度”則表示單位面積上腐蝕坑的數量，通常用來間接反映材料內部位錯線的數量。

接著，《GB/T 34481-2017》詳細描述了測試所需設備、試劑及樣品準備要求。例如，推薦使用氫氟酸作為主要腐蝕劑，并給出了具體的濃度配比建議；同時對實驗環境條件也做了相應規定，以確保結果的一致性和準確性。

對于實際操作流程，標準提供了詳細的步驟指導，包括如何正確處理樣品、進行腐蝕處理以及后續觀察分析等環節。此外，還特別強調了安全注意事項，比如操作時應佩戴適當的個人防護裝備，避免直接接觸有害化學品。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-10-14 頒布
  • 2018-07-01 實施
?正版授權
GB/T 34481-2017低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法_第1頁
GB/T 34481-2017低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法_第2頁
GB/T 34481-2017低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法_第3頁
免費預覽已結束，剩余5頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 34481-2017低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS77040

H25.

中華人民共和國國家標準

GB/T34481—2017

低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度

EPD的測量方法

()

TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit

gpy()y

monocrystallinegermaniumslices

2017-10-14發布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34481—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位云南中科鑫圓晶體材料有限公司云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司中科院半導

:、、

體研究所

。

本標準主要起草人惠峰普世坤董汝昆

:、、。

Ⅰ

GB/T34481—2017

低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度

EPD的測量方法

()

1范圍

本標準規定了低位錯密度鍺單晶片的腐蝕坑密度的測量方法

(EPD)。

本標準適用于測試位錯密度小于個2直徑為的圓形鍺單晶片的位錯

1000/cm、75mm~150mm

腐蝕坑密度

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法

GB/T5252

3方法提要

鍺單晶片經化學腐蝕法顯示位錯腐蝕坑后用顯微鏡可觀察視場面積內的腐蝕坑數目位錯腐蝕

,。

坑密度等于穿過視場面積的腐蝕坑數目除以視場面積鍺單晶片主要有偏和偏

。0°、(100)(111)6°(100)

三種其位錯圖像分別如圖圖圖所示

(111)9°,1、2、3。

圖10°200×圖2100偏1116°200×

()()

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論