




版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
第四節(jié)離子晶體1.了解離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。2.能根據(jù)離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)解釋其物理性質(zhì)。3.了解幾種常見(jiàn)的離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。4.了解晶格能的概念及意義。離子晶體的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。一、離子晶體1.離子晶體由_______和_______通過(guò)_______結(jié)合而成的晶體稱(chēng)為離子晶體。2.決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素
晶體中正負(fù)離子的_______()電荷因素晶體中正負(fù)離子的_______鍵性因素_______的純粹程度半徑比電荷比離子鍵陽(yáng)離子陰離子離子鍵3.常見(jiàn)離子化合物的晶體類(lèi)型晶體類(lèi)型CaF2型CsCl型NaCl型晶胞4.離子晶體的性質(zhì)(1)熔沸點(diǎn)_____。(2)硬度_____,難于壓縮。(3)不導(dǎo)電,但在_________或_______時(shí)可導(dǎo)電。較高較大熔融狀態(tài)溶于水二、晶格能1.離子晶體中一定含有金屬陽(yáng)離子嗎?提示:不一定。如銨鹽在固態(tài)時(shí)是離子晶體,其中就沒(méi)有金屬陽(yáng)離子。2.離子晶體是由帶電的陰、陽(yáng)離子形成的,為什么離子晶體不導(dǎo)電?提示:離子晶體雖然是由帶電的陰、陽(yáng)離子形成的,但由于不是自由移動(dòng)的離子,所以不導(dǎo)電,只有發(fā)生電離形成自由移動(dòng)離子后才能導(dǎo)電。
3.NaCl晶體的晶胞中是有1個(gè)Cl-和1個(gè)Na+嗎?提示:不是。NaCl是化學(xué)式,它表明Cl-和Na+的個(gè)數(shù)比是1∶1。
一、離子晶體及其常見(jiàn)類(lèi)型1.觀察NaCl、CsCl和CaF2的晶胞結(jié)構(gòu),思考以下問(wèn)題。(1)試計(jì)算NaCl晶胞、CsCl晶胞和CaF2晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)。提示:NaCl晶胞中Na+個(gè)數(shù)為:
Cl-個(gè)數(shù)為:
CsCl晶胞中Cs+個(gè)數(shù)為:1
Cl-個(gè)數(shù)為:
CaF2晶胞中Ca2+個(gè)數(shù)為:
F-個(gè)數(shù)為:8×1=8(2)分析(1)中所得的數(shù)據(jù),探究離子晶體的化學(xué)式與其晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)關(guān)系。提示:化學(xué)式陽(yáng)離子數(shù)陰離子數(shù)陽(yáng)、陰離子個(gè)數(shù)比NaCl441∶1
CsCl
1
11∶1CaF2
48
1∶2離子晶體中不存在單獨(dú)的“分子”,而化學(xué)式只是代表晶體中元素組成的比例關(guān)系。因此,離子晶體的化學(xué)式并不是其分子式,但習(xí)慣上常常把NaCl叫做氯化鈉的“分子式”。2.觀察NaCl和CsCl晶體中陰陽(yáng)離子的配位數(shù),以及CaF2的晶胞,探究以下問(wèn)題。(1)請(qǐng)分析圖中Na+、Cl-、Cs+、Cl-及Ca2+、F-的配位數(shù)。提示:
離子晶體
陽(yáng)離子的配位數(shù)
陰離子的配位數(shù)NaCl66CsCl
8
8CaF2
8
4(2)根據(jù)Na+、Cs+、Cl-的半徑計(jì)算NaCl和CsCl中陰陽(yáng)離子的半徑比。提示:
NaClCsCl=0.525
=0.934C.N.=6
C.N.=8(3)由(1)(2)中所得的數(shù)據(jù)探究影響離子晶體配位數(shù)的因素。提示:影響離子晶體配位數(shù)的因素有:①幾何因素:在NaCl晶體中,正負(fù)離子的半徑比=0.525,在CsCl晶體中,=0.934,由于
值的不同,結(jié)果晶體中離子的配位數(shù)不同。NaCl晶體中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)都是6,CsCl晶體中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)都是8。數(shù)值越大,離子的配位數(shù)越高。
②電荷因素:在NaCl、CsCl晶體中,正負(fù)離子的配位數(shù)相同,是由于正負(fù)離子電荷(絕對(duì)值)相同,因而正負(fù)離子的個(gè)數(shù)相同。結(jié)果導(dǎo)致正負(fù)離子的配位數(shù)相同;若正負(fù)離子的電荷數(shù)不相同,正負(fù)離子的個(gè)數(shù)必定不相同,正負(fù)離子的配位數(shù)就不會(huì)相同。如CaF2晶體中,Ca2+的配位數(shù)為8,F(xiàn)-的配位數(shù)為4,離子所帶電荷數(shù)越多,配位數(shù)越大。(4)在NaCl晶體中每個(gè)Na+周?chē)瑫r(shí)吸引、距離相等且最近的Cl-有多少個(gè)?每個(gè)Na+周?chē)嚯x相等且最近的Na+有多少個(gè)?提示:在NaCl晶體中每個(gè)Na+周?chē)罱揖嚯x相等的Cl-有6個(gè)。每個(gè)Na+周?chē)嚯x相等且最近的Na+是小正方形對(duì)角線(xiàn)上的Na+,在三維空間的每個(gè)面上有4個(gè),共12個(gè)。
常見(jiàn)離子晶體的結(jié)構(gòu)(1)NaCl型晶體結(jié)構(gòu)模型(左下圖):配位數(shù)為6。①在NaCl晶體中,每個(gè)Na+周?chē)瑫r(shí)吸引著6個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-周?chē)餐瑫r(shí)吸引著6個(gè)Na+。②每個(gè)Na+周?chē)c它最近且等距的Na+有12個(gè),每個(gè)Na+周?chē)c它最近且等距的Cl-有6個(gè)。(2)CsCl型晶體結(jié)構(gòu)模型(右下圖):配位數(shù)為8。①在CsCl晶體中,每個(gè)Cs+周?chē)瑫r(shí)吸引著8個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-周?chē)餐瑫r(shí)吸引著8個(gè)Cs+。②每個(gè)Cs+與6個(gè)Cs+等距離相鄰,每個(gè)Cl-與6個(gè)Cl-等距離相鄰?!镜淅?xùn)練】下圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從NaCl晶體中分割出來(lái)的結(jié)構(gòu)圖是()A.(1)和(3)B.(2)和(3)C.(1)和(4)D.只有(4)
【解題指南】解答本題注意以下兩點(diǎn):(1)NaCl晶胞是簡(jiǎn)單立方體結(jié)構(gòu),CsCl晶胞是體心立方體結(jié)構(gòu);(2)在NaCl晶胞中,每個(gè)Na+周?chē)罱腃l-有6個(gè),圍成一個(gè)正八面體形狀?!窘馕觥窟xC。NaCl晶胞是簡(jiǎn)單立方體結(jié)構(gòu),CsCl晶胞是體心立方體結(jié)構(gòu),(4)符合題意;在NaCl晶胞中,每個(gè)Na+周?chē)罱腃l-有6個(gè),圍成一個(gè)正八面體形狀,(1)符合題意。
【變式備選】根據(jù)下圖推測(cè),CsCl晶體中兩距離最近的Cs+間距離為a,則每個(gè)Cs+周?chē)c其距離為a的Cs+數(shù)目為
,每個(gè)Cs+周?chē)嚯x相等且次近的Cs+數(shù)目為
,距離為
,每個(gè)Cs+周?chē)嚯x相等且第三近的Cs+數(shù)目為
,距離為
,每個(gè)Cs+周?chē)o鄰且等距的Cl-數(shù)目為
?!窘馕觥恳詧D中大立方體中心的Cs+為基準(zhǔn),與其最近的Cs+分別位于其上、下、前、后、左、右六個(gè)方位;與其次近的Cs+分別位于通過(guò)中心Cs+的三個(gè)切面的大正方形的頂點(diǎn),個(gè)數(shù)為4×3=12;與其第三近的Cs+分別位于大立方體的8個(gè)頂點(diǎn)上;每個(gè)Cs+周?chē)o鄰且等距的Cl-數(shù)目為8。答案:二、晶格能1.離子晶體的晶格能與哪些因素有關(guān)?離子晶體的晶格能與物理性質(zhì)有什么關(guān)系?提示:離子所帶電荷越多,離子核間距越小,晶格能越大。離子晶體晶格能越大,離子晶體的熔點(diǎn)越高,硬度越大。
2.結(jié)合晶格能的知識(shí),推測(cè)MgO和CaO的熔點(diǎn)的相對(duì)高低和硬度的相對(duì)大小。提示:MgO和CaO比較,O2-相同,Mg2+與Ca2+所帶電荷數(shù)相同,但Mg2+半徑小,所以晶格能MgO>CaO,熔點(diǎn)MgO>CaO,硬度MgO>CaO。正確理解離子晶體(1)構(gòu)成離子晶體的微粒是陰離子和陽(yáng)離子。(2)離子晶體中微粒之間的作用力是離子鍵。離子鍵沒(méi)有方向性,也沒(méi)有飽和性,離子晶體中,陽(yáng)離子周?chē)梢员M可能多地吸引陰離子,陰離子周?chē)M可能多地吸引陽(yáng)離子。離子晶體中,離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng)。(3)離子晶體的化學(xué)式只表示晶體中陰陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比,而不是表示分子的組成。
【典例訓(xùn)練】NaF、NaI和MgO均為離子晶體,有關(guān)數(shù)據(jù)如表:物質(zhì)①NaF②NaI③MgO離子電荷數(shù)112鍵長(zhǎng)(10-10m)2.313.182.10試判斷,這三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是()A.①>②>③B.③>①>②C.③>②>①D.②>①>③【解題指南】【解析】選B。本題考查離子晶體熔點(diǎn)高低的判斷方法。離子晶體的熔點(diǎn)與晶格能有關(guān)。晶格能越大,晶體的熔點(diǎn)就越高。晶格能與離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陽(yáng)離子間的距離成反比。在上述三種晶體中,MgO的鍵長(zhǎng)最短,離子電荷又高,故其晶格能最大,熔點(diǎn)最高;NaF的鍵長(zhǎng)小于NaI,故NaF的晶格能大于NaI,熔點(diǎn)高于NaI?!咀兪絺溥x】氧化鈣在2973K時(shí)熔化,而氯化鈉在1074K時(shí)熔化,兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似,有關(guān)它們?nèi)埸c(diǎn)差別較大的原因敘述不正確的是()A.氧化鈣晶體中陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)多
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 【7歷期末】安徽省合肥市2023-2024學(xué)年七年級(jí)下學(xué)期6月期末歷史試題(含解析)
- 2025年中國(guó)香薰蠟燭行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)研及十三五盈利空間預(yù)測(cè)報(bào)告
- DB62T 4240-2020 油菜品種 冬油1號(hào)
- DB62T 4228-2020 灌區(qū)啤酒大麥寬幅勻播栽培技術(shù)規(guī)程
- 桑植縣2024-06號(hào)地塊第一階段土壤污染狀況調(diào)查報(bào)告
- 部編版一年級(jí)語(yǔ)文下冊(cè)第八單元教學(xué)反思
- 2025部編版小學(xué)語(yǔ)文二年級(jí)上冊(cè)教材閱讀理解心得體會(huì)
- DB62T 4028-2019 河西綠洲灌區(qū)甜高粱栽培技術(shù)規(guī)程
- 新華書(shū)店2024年市場(chǎng)推廣計(jì)劃
- 房地產(chǎn)銷(xiāo)售的標(biāo)準(zhǔn)化流程
- 飲品店培訓(xùn)及管理制度
- 2025至2030年中國(guó)網(wǎng)絡(luò)分析儀市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及前景預(yù)測(cè)報(bào)告
- 小學(xué)生朗讀指導(dǎo)課件
- DB32-T 5079-2025 城鎮(zhèn)供水水表安裝及維護(hù)技術(shù)規(guī)程
- 種畜禽場(chǎng)管理制度類(lèi)
- 雷雨劇本文件完整版電子書(shū)下載
- 外墻保溫施工考核試卷
- 除顫儀使用的試題及答案
- 儲(chǔ)料倉(cāng)施工方案
- 風(fēng)機(jī)葉片故障診斷-深度研究
- 新版統(tǒng)編版七年級(jí)下冊(cè)道德與法治四單元課件 11.1 法不可違
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論