ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T25186—2010/ISO181142003

:

表面化學分析二次離子質譜

由離子注入參考物質確定

相對靈敏度因子

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—

Determinationofrelativesensitivityfactorsfrom

ion-implantedreferencematerials

(ISO18114:2003,IDT)

2010-09-26發布2011-08-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T25186—2010/ISO181142003

:

前言

本標準等同采用表面化學分析二次離子質譜由離子注入參考物質確定相對

ISO18114:2003《

靈敏度因子

》。

為了方便使用本標準做了下列編輯性修改

,:

用本標準代替本國際標準

———“”“”。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

。

本標準起草單位信息產業部專用材料質量監督檢驗中心

:。

本標準主要起草人馬農農何友琴何秀坤

:、、。

Ⅰ

GB/T25186—2010/ISO181142003

:

引言

在二次離子質譜分析中常使用離子注入物質校準儀器

,。

本標準將提供一種統一的方法由離子注入參考物質來確定某種元素在特定基體中的相對靈敏度

:

因子并說明如何確定具有相同基體材料的不同樣品中該元素的濃度

,。

Ⅱ

GB/T25186—2010/ISO181142003

:

表面化學分析二次離子質譜

由離子注入參考物質確定

相對靈敏度因子

1范圍

本標準指定了一種由離子注入參考物質確定二次離子質譜分析中相對靈敏度因子的方法

。

本標準適用于基體化學成分單一的樣品其中注入物質的峰值原子濃度不超過

,1%。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學分析詞匯

GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T22461—2008。

4符號及縮略語

AM

Ci,深度剖析的第i個周期時被分析元素A在基體M中的原子濃度用單位體積原子個數

,,

表示

;

d深度剖析中求積分用的深度用長度單位表示

,;

Aj

Ii在測試的第i周期時同位素Aj的被分析離子檢測計數率用計數表示

,,/s;

Mk

Ii在測試的第i周期時參考同位素Mk的檢測計數率用計數表示

,,/s;

IAj的被分析離子的平均本底計數率用計數表示

BG,/s;

NAj未知樣品中被分析同位素Aj的豐度值

,;

n深度剖析中求積分用的深度所包含的周期數

;

?同位素Aj的注入劑量用單位面積原子個數表示

,;

相對靈敏度因子用單位體積原子個數表示

RSF,;

二次離子質譜

SIMS。

5原理

可以從離子注入外標準物質的深度剖析中得出特定的元素基體組合中某一同位素的相對

SIMS,-

靈敏度因子該可以用來定量給出基體材料相同的不同樣品中同一特定元素濃度隨深度

(RSF)。RSF

的變化公式如下

,:

AMkA

j,j

AMi

,