ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T14847—2010

代替

GB/T14847—1993

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson

heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance

2011-01-10發布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

GB/T14847—2010

*

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街號

16

郵政編碼

:100045

網址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20118

*

書號

:155066·1-42666

版權專有侵權必究

GB/T14847—2010

前言

本標準代替重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847—1993《》。

本標準與相比主要技術內容變化如下

GB/T14847—1993,:

修改原標準主題內容與適用范圍中襯底和外延層室溫電阻率明確為在下電阻率增

———“1”23℃,

加在降低精度情況下該方法原則上也適用于測試之間的型和型外延層

,0.5μm~2μmNP

厚度

;

修改原標準引用標準為規范性引用文件增加有關的引用標準

———“2”“”,;

增加術語和定義部分

———“3”;

補充和完善測試方法原理內容

———“4”;

增加干擾因素部分

———“5”;

原標準改為刪除襯底和外延層導電類型及襯底電阻率應是已知的內容增加防止

———57,“5.1”,

試樣表面大面積晶格不完整以及要求測試前表面進行清潔處理的內容

;

原標準改為對選取試樣的外延厚度的要求改為對襯底電阻率和譜圖波數位置的要求并

———68,,

增加采用中規定的方法在對應的反面位置測試襯底電阻率

8.3.5GB/T1552;

原標準改為增加極值波數和波長的轉換公式刪除原經驗計算法內容

———79,。7.2;

原標準改為增加多個實驗室更廣范圍的測試數據分析結果

———810,;

原標準改為試驗報告中要求增加紅外儀器的波數范圍掩模孔徑波數掃描速度波長

———911,、、、

和極值級數等內容

。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位寧波立立電子股份有限公司信息產業部專用材料質量監督檢驗中心

:、。

本標準主要起草人李慎重何良恩許峰劉培東何秀坤

:、、、、。

本部分所代替的歷次版本標準發布情況為

:

———GB/T14847—1993。

Ⅰ

GB/T14847—2010

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

1范圍

本標準規定重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

。

本標準適用于襯底在電阻率小于和外延層在電阻率大于且外

23℃0.02Ω·cm23℃0.1Ω·cm

延層厚度大于的型和型硅外延層厚度的測量在降低精度情況下該方法原則上也適用于測

2μmnp;,

試之間的型和型外延層厚度

0.5μm~2μmnp。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅外延層擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T1552、

測量方法與結果的準確度正確度與精密度第部分確定標準測量方法重復

GB/T6379.2()2:

性與再現性的基本方法

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

折射率indexofrefraction

入射角的正弦相對折射角的正弦的比率這里的入射角和折射角是指表面法線和紅外光束的夾

。

角對電阻率大于硅材料當波長范圍為時相對空氣的該比值為該

。0.1Ω·cm,6μm~40μm,3.42,

值可由斯涅爾定律求出

(Snell)。

4方法提要

41襯底和外延層光學常數的差異導致試樣反射光譜出現連續極大極小特征譜的光學干涉現象根據

.,

反射光譜中極值波數外延層與襯底光學常數和紅外光束在試樣上的入射角計算外延沉積層厚度

、。

42假設外延層的反射率n相對波長是獨立的

.1。

43當外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長的整數倍時反射光譜中可以

.