第十章正弦波振蕩電路（1）掌握正弦波振蕩電路的組成和振蕩原理。（2）掌握RC橋式正弦波振蕩電路的組成、工作原理。（3）了解LC正弦波振蕩電路和石英晶體正弦波振蕩電路的組成、工作原理和性能特點(diǎn)。1/9/20231模擬電子技術(shù)第十章正弦波振蕩電路（1）掌握正弦波振蕩電路的組成和振蕩10-1振蕩的基本原理一、反饋放大器的基本方程二、起振過程和平衡條件10.2RC正弦波振蕩器10.2.1RC移相振蕩器

10.2.2RC選頻振蕩器1/9/20232模擬電子技術(shù)10-1振蕩的基本原理一、反饋放大器的基本方程二、起振過程10.3LC正弦波振蕩器10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器10.3.2電容反饋式振蕩電路10.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/20233模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)10.4.2石英晶體的物理特性和電特性10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器1/9/20234模擬電子技術(shù)10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)1文氏電橋振蕩電路LC并聯(lián)諧振回路的特性LC正弦波振蕩電路分析穩(wěn)頻措施串聯(lián)晶體振蕩器舉例附錄1/9/20235模擬電子技術(shù)文氏電橋振蕩電路LC并聯(lián)諧振回路的特性LC正弦波振蕩電路分析振蕩電路是指在沒有輸入信號的條件下,能夠自行產(chǎn)生一定幅度、一定頻率的輸出信號的電路。張弛振蕩電路（產(chǎn)生方波、鋸齒波形等）正弦振蕩電路反饋型負(fù)阻型RC振蕩器LC振蕩器晶體振蕩器1/9/20236模擬電子技術(shù)振蕩電路是指在沒有輸入信號的條件下,能夠自行產(chǎn)生一定幅一、反饋放大器的基本方程圖10.1反饋放大器10-1振蕩的基本原理F·oX·fX·'iX

A·iX··1/9/20237模擬電子技術(shù)一、反饋放大器的基本方程圖10.1反饋放大器10-1振F·oX·fX·'iX

A·iX··1/9/20238模擬電子技術(shù)F·oX·fX·'iXA·iX··1/9/20238模擬電二、起振過程和平衡條件圖10.1‘反饋型振蕩器組成方框圖F·oU·fU

A·iU··1/9/20239模擬電子技術(shù)二、起振過程和平衡條件圖10.1‘反饋型振蕩器組成方框圖1．起振過程及起振條件相位起振條件幅度起振條件F·oU·fU

A·iU··1/9/202310模擬電子技術(shù)1．起振過程及起振條件相位起振條件幅度起振條件F·oU2.平衡條件振幅平衡條件相位平衡條件F·oU·fU

A·iU··1/9/202311模擬電子技術(shù)2.平衡條件振幅平衡條件相位平衡條件F·oU·fUA·(取n=0)令則1/9/202312模擬電子技術(shù)(取n=0)令則1/9/202312模擬電子技術(shù)圖10.5LC并聯(lián)回路負(fù)載相角與頻率的關(guān)系1/9/202313模擬電子技術(shù)圖10.5LC并聯(lián)回路負(fù)載相角與頻率的關(guān)系1/9/20起振平衡反饋振蕩器的振蕩過程1/9/202314模擬電子技術(shù)起振平衡反饋振蕩器的振蕩過程1/9/202314模擬電子技術(shù)10.2RC正弦波振蕩器RC電路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩器。振蕩頻率較低，一般在幾十kHz以下。RC移相振蕩器RC選頻振蕩器選頻網(wǎng)絡(luò)采用RC超前或滯后移相網(wǎng)絡(luò)。選頻網(wǎng)絡(luò)采用RC串并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。1/9/202315模擬電子技術(shù)10.2RC正弦波振蕩器RC電路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩器。10.2.1RC移相振蕩器圖10.17RC串聯(lián)移相網(wǎng)絡(luò)超前移相網(wǎng)絡(luò)滯后移相網(wǎng)絡(luò)1/9/202316模擬電子技術(shù)10.2.1RC移相振蕩器圖10.17RC串聯(lián)移圖10.18RC串聯(lián)超前網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線截止頻率τ=RC

1/9/202317模擬電子技術(shù)圖10.18RC串聯(lián)超前網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線截止頻率τ=圖10.19RC超前移相網(wǎng)絡(luò)振蕩器1/9/202318模擬電子技術(shù)圖10.19RC超前移相網(wǎng)絡(luò)振蕩器1/9/202318模10.2.2RC選頻振蕩器圖10.20RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)1/9/202319模擬電子技術(shù)10.2.2RC選頻振蕩器圖10.20RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)圖10.21RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線1/9/202320模擬電子技術(shù)圖10.21RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線1/9/2023圖10.22文氏電橋振蕩器1/9/202321模擬電子技術(shù)圖10.22文氏電橋振蕩器1/9/202321模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器采用LC諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的反饋式振蕩器稱為LC正弦波振蕩器。可以產(chǎn)生幾十兆赫以上的正弦波信號。

變壓器耦合反饋式電感或電容反饋式1/9/202322模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器采用LC諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的反饋10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器圖10.23三種不同接法的變壓器耦合反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法：“射基（集）同名”規(guī)則(CE)(CB)(CB)CE：射基同名；-CB：射集同名。CC：射基同名。1/9/202323模擬電子技術(shù)10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器圖10.23三種不同接法LC2cbeCICILUbUf

Uo10.3.2.電容反饋式振蕩電路圖10.24電容反饋式振蕩器的交流通路（CE）1．．．．．1/9/202324模擬電子技術(shù)LC2cbeCICILUbUfUo10.3.2.電容反饋10.25電容反饋式振蕩器電矢量關(guān)系IL．Uo．IC．Uf．LC2cbeCICILUbUf

Uo1．．．．．1/9/202325模擬電子技術(shù)10.25電容反饋式振蕩器電矢量關(guān)系IL．Uo．IC．UfLC2cbeCICILUbUf

Uo1．．．．．1/9/202326模擬電子技術(shù)LC2cbeCICILUbUfUo1．．．．．1/9/20圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）

1/9/202327模擬電子技術(shù)圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）1/9/2圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）

1/9/202328模擬電子技術(shù)圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）1/9/210.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/202329模擬電子技術(shù)10.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/202329模擬電子(b)UfUb

UoIL

ICRBRLcL1L2Cbe圖10.26電感反饋式振蕩電路及其交流通路．．．．．1/9/202330模擬電子技術(shù)(b)UfUbUoILICRBRLcL1L2Cbe圖10注：L1與L2之間無互感。(b)UfUb

UoIL

ICRBRLcL1L2Cbe．．．．．1/9/202331模擬電子技術(shù)注：L1與L2之間無互感。(b)UfUbUoILICRB電感或電容反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法“射同基反”規(guī)則EB,EC:同性質(zhì)電抗元件;

BE,BC:異性質(zhì)電抗元件.

1/9/202332模擬電子技術(shù)電感或電容反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法“射同基反”規(guī)則例1在振幅條件已滿足的前提下，用相位條件去判斷如下振蕩器是否能震蕩？(b)(a)1/9/202333模擬電子技術(shù)例1在振幅條件已滿足的前提下，用相位條件去判斷如下振蕩器是10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)1.頻率的準(zhǔn)確性2.頻率的穩(wěn)定性中波廣播發(fā)射機(jī)：10-5；電視發(fā)射機(jī)：10-7測量值設(shè)計(jì)值1/9/202334模擬電子技術(shù)10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)110.4.2石英晶體的物理特性和電特性1.石英諧振器的物理特性1)正壓電效應(yīng)正壓電效應(yīng)：把機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能。2）反壓電效應(yīng)反壓電效應(yīng)：把電能轉(zhuǎn)化成機(jī)械能。1/9/202335模擬電子技術(shù)10.4.2石英晶體的物理特性和電特性1.石英諧振器的物交變電場機(jī)械形變振動.通常機(jī)械振動振幅和外加交變電場的振幅都非常微小。只有在外加交變電壓的頻率為某一特定頻率時(shí)，振幅才突然增加，機(jī)械振動最強(qiáng)，電路里高頻電流最大，此現(xiàn)象稱為壓電諧振。通常說石英晶體就是指石英諧振器。諧振在晶體的基音(Fundamental)或奇次泛音(Overtone)(3、5、7次泛音)。1/9/202336模擬電子技術(shù)交變電場機(jī)械形變振動.通常機(jī)械振動振圖10.30石英晶體的等效電路和電抗特性(a)晶體符號；(b)某振動模式的電等效電路2.石英諧振器的電特性(a)(b)頻率豐富的諧振系統(tǒng)支架電容幾個(gè)pF亨利0.001pF百歐1/9/202337模擬電子技術(shù)圖10.30石英晶體的等效電路和電抗特性2.石英諧振器的圖10.30(c)某一頻率等效電路；(d)電抗特性其它支路失諧，近似開路1/9/202338模擬電子技術(shù)圖10.30(c)某一頻率等效電路；(d)電抗特性其它支1/9/202339模擬電子技術(shù)1/9/202339模擬電子技術(shù)其值約為10-3量級1/9/202340模擬電子技術(shù)其值約為10-3量級1/9/202340模擬電子技術(shù)10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.31串聯(lián)型晶體振蕩器T1

T2

R1

R2

R3

R4

R5R6

晶體

+VCC

C

uo

串聯(lián)型石英晶體振蕩器把石英晶體用作選頻短路線1/9/202341模擬電子技術(shù)10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.31串聯(lián)型晶體振蕩10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.32并聯(lián)型石英晶體振蕩器(a)原理電路;(b)交流通路并聯(lián)型石英晶體振蕩器把石英晶體用作電感元件

1/9/202342模擬電子技術(shù)10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.32并聯(lián)型石英1/9/202343模擬電子技術(shù)1/9/202343模擬電子技術(shù)圖10.32并聯(lián)型晶體振蕩器振蕩頻率的圖解確定

Xewwpwg1wC1C2C1C2ws+晶體的標(biāo)稱頻率CL1/9/202344模擬電子技術(shù)圖10.32并聯(lián)型晶體振蕩器振蕩頻率的圖解確定Xeww文氏電橋振蕩電路A+-RRCC1/9/202345模擬電子技術(shù)文氏電橋振蕩電路A+-RRCC1/9/202345模擬電子技A+-RRCC文氏電橋多用于產(chǎn)生20HZ~200kHZ的低頻信號發(fā)生器中。1/9/202346模擬電子技術(shù)A+-RRCC文氏電橋多用于產(chǎn)生20HZ~200kHZ的低頻1.振蕩頻率因?yàn)檎袷庪娐返南辔粭l件為圖中，所以2.起振條件即3.引入構(gòu)成的串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路，能起到穩(wěn)定輸出幅度的作用。提高了輸入電阻，減小了輸出電阻。1/9/202347模擬電子技術(shù)1.振蕩頻率因?yàn)檎袷庪娐返南辔粭l件為圖中，所以2.起振條A+-RRCC1/9/202348模擬電子技術(shù)A+-RRCC1/9/202348模擬電子技術(shù)LC并聯(lián)諧振回路的特性CrL電路圖Z1/9/202349模擬電子技術(shù)LC并聯(lián)諧振回路的特性CrL電路圖Z1/9/202349模擬令1/9/202350模擬電子技術(shù)令1/9/202350模擬電子技術(shù)一諧振時(shí)回路參數(shù)1.諧振角頻率（固有角頻率）2.品質(zhì)因數(shù)3.諧振阻抗1/9/202351模擬電子技術(shù)一諧振時(shí)回路參數(shù)1.諧振角頻率（固有角頻率）2.品質(zhì)因數(shù)3二LC并聯(lián)回路的頻率特性并令考慮附近情況，則可認(rèn)為；則1/9/202352模擬電子技術(shù)二LC并聯(lián)回路的頻率特性并令考慮附近情況，則可認(rèn)|Z|(b)幅頻特性感性容性(c)相頻特性1/9/202353模擬電子技術(shù)|Z|(b)幅頻特性感性容性(c)相頻特性1/9/20235考察不同的Ｑ值時(shí)頻率特性，Q越大，幅頻特性越尖銳，說明選頻特性越好。時(shí)，純阻性時(shí)，Z顯容性，時(shí)，Z顯感性，1/9/202354模擬電子技術(shù)考察不同的Ｑ值時(shí)頻率特性，Q越大，幅頻特性越尖銳，說明選頻特LC正弦波振蕩電路分析一電感反饋式(電感三點(diǎn)式)++圖1電感反饋式振蕩器2311/9/202355模擬電子技術(shù)LC正弦波振蕩電路分析一電感反饋式(電感三點(diǎn)式)++圖1(b)交流電路1/9/202356模擬電子技術(shù)(b)交流電路1/9/202356模擬電子技術(shù)1.相位平衡條件(LC回路呈純阻性,即滿足該條件)(同名端設(shè)置正確)1/9/202357模擬電子技術(shù)1.相位平衡條件(LC回路呈純阻性,即滿足該條件)(2.起振條件和振蕩頻率為折合到L1兩端的等效并聯(lián)總電阻。其中為互感。1/9/202358模擬電子技術(shù)2.起振條件和振蕩頻率為折合到L1兩端的等效并聯(lián)總電阻。其中3.缺點(diǎn)波形較差。因?yàn)榉答伻∽噪姼性礁撸答佋綇?qiáng)，反饋和輸出信號中含高次諧波。1/9/202359模擬電子技術(shù)3.缺點(diǎn)波形較差。因?yàn)榉答伻∽噪姼性礁撸答佋綇?qiáng)，反饋和輸出二.電容反饋式振蕩電路(電容三點(diǎn)式)圖10-14SMB-10示波器中LC振蕩器－原理圖1/9/202360模擬電子技術(shù)二.電容反饋式振蕩電路(電容三點(diǎn)式)圖10-14SMB-(b)交流通路1/9/202361模擬電子技術(shù)(b)交流通路1/9/202361模擬電子技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：波形較好。因?yàn)榉答伻∽噪娙莘答伜洼敵鲂盘栔兄C波分量小。1/9/202362模擬電子技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：波形較好。因?yàn)榉答伻∽噪娙莘答伜洼敵鲂盘栔兄C波分量一影響頻率穩(wěn)定度的主要因素1.電源電壓或溫度變化，使振蕩管的工作點(diǎn)變化，導(dǎo)致諧振回路等效電阻值變化，另外使管子的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)等效電容改變，它們都引起振蕩頻率的變化。2.回路L、C元件的老化，引起振蕩頻率的變化。3.負(fù)載變化引起振蕩頻率的變化。穩(wěn)頻措施1/9/202363模擬電子技術(shù)一影響頻率穩(wěn)定度的主要因素1.電源電壓或溫度變化，使振蕩管二穩(wěn)頻措施1.采用穩(wěn)定電源，穩(wěn)定直流工作點(diǎn)，以減小極間電容變化。2.在負(fù)載和振蕩電路間加緩沖級，隔離負(fù)載對振蕩的影響。3.對決定振蕩頻率的元件要保證其精確度和穩(wěn)定性。4.采用高Q值LC振蕩電路，Q越高，選頻特性越好。實(shí)際LC回路的Q值最高僅達(dá)數(shù)百，頻率穩(wěn)定度很難突破數(shù)量級。石英晶體振蕩電路頻率穩(wěn)定度可達(dá)左右，甚至。1/9/202364模擬電子技術(shù)二穩(wěn)頻措施1.采用穩(wěn)定電源，穩(wěn)定直流工作點(diǎn)，以減小極間電容[例題]對圖10-19晶體振蕩器，已知晶體串聯(lián)諧振頻率為10MHz.(1)說明該電路屬于哪種形式的晶體振蕩電路。(2)求所需L值.(3)求等幅振蕩時(shí)的值.1/9/202365模擬電子技術(shù)[例題]對圖10-19晶體振蕩器，已知晶體串聯(lián)諧振頻率為1圖10-19晶振電路1/9/202366模擬電子技術(shù)圖10-19晶振電路1/9/202366模擬電子技術(shù)解:(1)該電路為串聯(lián)型晶體振蕩器，晶體等效為短路元件，為反饋電容，兩端反饋電壓與運(yùn)放輸出端電壓相同，在晶體串聯(lián)諧振頻率滿足正反饋條件。(2).由于,回路諧振頻率應(yīng)為10MHz。求得:1/9/202367模擬電子技術(shù)解:(1)該電路為串聯(lián)型晶體振蕩器，晶體等效為短路元件，(3)由圖10-19根據(jù)振蕩器振幅平衡條件得到因此:1/9/202368模擬電子技術(shù)(3)由圖10-19根據(jù)振蕩器振幅平衡條件得到因此:1/9圖10.28晶體的形狀及橫斷面(a)晶體外形；(b)橫斷面光軸電軸機(jī)械軸六棱柱錐體對頂點(diǎn)連線對邊法線1/9/202369模擬電子技術(shù)圖10.28晶體的形狀及橫斷面(a)晶體外形；(b)橫圖10.29石英諧振器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1/9/202370模擬電子技術(shù)圖10.29石英諧振器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1/9/202370第十章正弦波振蕩電路（1）掌握正弦波振蕩電路的組成和振蕩原理。（2）掌握RC橋式正弦波振蕩電路的組成、工作原理。（3）了解LC正弦波振蕩電路和石英晶體正弦波振蕩電路的組成、工作原理和性能特點(diǎn)。1/9/202371模擬電子技術(shù)第十章正弦波振蕩電路（1）掌握正弦波振蕩電路的組成和振蕩10-1振蕩的基本原理一、反饋放大器的基本方程二、起振過程和平衡條件10.2RC正弦波振蕩器10.2.1RC移相振蕩器

10.2.2RC選頻振蕩器1/9/202372模擬電子技術(shù)10-1振蕩的基本原理一、反饋放大器的基本方程二、起振過程10.3LC正弦波振蕩器10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器10.3.2電容反饋式振蕩電路10.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/202373模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)10.4.2石英晶體的物理特性和電特性10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器1/9/202374模擬電子技術(shù)10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)1文氏電橋振蕩電路LC并聯(lián)諧振回路的特性LC正弦波振蕩電路分析穩(wěn)頻措施串聯(lián)晶體振蕩器舉例附錄1/9/202375模擬電子技術(shù)文氏電橋振蕩電路LC并聯(lián)諧振回路的特性LC正弦波振蕩電路分析振蕩電路是指在沒有輸入信號的條件下,能夠自行產(chǎn)生一定幅度、一定頻率的輸出信號的電路。張弛振蕩電路（產(chǎn)生方波、鋸齒波形等）正弦振蕩電路反饋型負(fù)阻型RC振蕩器LC振蕩器晶體振蕩器1/9/202376模擬電子技術(shù)振蕩電路是指在沒有輸入信號的條件下,能夠自行產(chǎn)生一定幅一、反饋放大器的基本方程圖10.1反饋放大器10-1振蕩的基本原理F·oX·fX·'iX

A·iX··1/9/202377模擬電子技術(shù)一、反饋放大器的基本方程圖10.1反饋放大器10-1振F·oX·fX·'iX

A·iX··1/9/202378模擬電子技術(shù)F·oX·fX·'iXA·iX··1/9/20238模擬電二、起振過程和平衡條件圖10.1‘反饋型振蕩器組成方框圖F·oU·fU

A·iU··1/9/202379模擬電子技術(shù)二、起振過程和平衡條件圖10.1‘反饋型振蕩器組成方框圖1．起振過程及起振條件相位起振條件幅度起振條件F·oU·fU

A·iU··1/9/202380模擬電子技術(shù)1．起振過程及起振條件相位起振條件幅度起振條件F·oU2.平衡條件振幅平衡條件相位平衡條件F·oU·fU

A·iU··1/9/202381模擬電子技術(shù)2.平衡條件振幅平衡條件相位平衡條件F·oU·fUA·(取n=0)令則1/9/202382模擬電子技術(shù)(取n=0)令則1/9/202312模擬電子技術(shù)圖10.5LC并聯(lián)回路負(fù)載相角與頻率的關(guān)系1/9/202383模擬電子技術(shù)圖10.5LC并聯(lián)回路負(fù)載相角與頻率的關(guān)系1/9/20起振平衡反饋振蕩器的振蕩過程1/9/202384模擬電子技術(shù)起振平衡反饋振蕩器的振蕩過程1/9/202314模擬電子技術(shù)10.2RC正弦波振蕩器RC電路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩器。振蕩頻率較低，一般在幾十kHz以下。RC移相振蕩器RC選頻振蕩器選頻網(wǎng)絡(luò)采用RC超前或滯后移相網(wǎng)絡(luò)。選頻網(wǎng)絡(luò)采用RC串并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。1/9/202385模擬電子技術(shù)10.2RC正弦波振蕩器RC電路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的振蕩器。10.2.1RC移相振蕩器圖10.17RC串聯(lián)移相網(wǎng)絡(luò)超前移相網(wǎng)絡(luò)滯后移相網(wǎng)絡(luò)1/9/202386模擬電子技術(shù)10.2.1RC移相振蕩器圖10.17RC串聯(lián)移圖10.18RC串聯(lián)超前網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線截止頻率τ=RC

1/9/202387模擬電子技術(shù)圖10.18RC串聯(lián)超前網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線截止頻率τ=圖10.19RC超前移相網(wǎng)絡(luò)振蕩器1/9/202388模擬電子技術(shù)圖10.19RC超前移相網(wǎng)絡(luò)振蕩器1/9/202318模10.2.2RC選頻振蕩器圖10.20RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)1/9/202389模擬電子技術(shù)10.2.2RC選頻振蕩器圖10.20RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)圖10.21RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線1/9/202390模擬電子技術(shù)圖10.21RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的頻率特性曲線1/9/2023圖10.22文氏電橋振蕩器1/9/202391模擬電子技術(shù)圖10.22文氏電橋振蕩器1/9/202321模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器采用LC諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的反饋式振蕩器稱為LC正弦波振蕩器。可以產(chǎn)生幾十兆赫以上的正弦波信號。

變壓器耦合反饋式電感或電容反饋式1/9/202392模擬電子技術(shù)10.3LC正弦波振蕩器采用LC諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)的反饋10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器圖10.23三種不同接法的變壓器耦合反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法：“射基（集）同名”規(guī)則(CE)(CB)(CB)CE：射基同名；-CB：射集同名。CC：射基同名。1/9/202393模擬電子技術(shù)10.3.1變壓器耦合反饋式振蕩器圖10.23三種不同接法LC2cbeCICILUbUf

Uo10.3.2.電容反饋式振蕩電路圖10.24電容反饋式振蕩器的交流通路（CE）1．．．．．1/9/202394模擬電子技術(shù)LC2cbeCICILUbUfUo10.3.2.電容反饋10.25電容反饋式振蕩器電矢量關(guān)系IL．Uo．IC．Uf．LC2cbeCICILUbUf

Uo1．．．．．1/9/202395模擬電子技術(shù)10.25電容反饋式振蕩器電矢量關(guān)系IL．Uo．IC．UfLC2cbeCICILUbUf

Uo1．．．．．1/9/202396模擬電子技術(shù)LC2cbeCICILUbUfUo1．．．．．1/9/20圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）

1/9/202397模擬電子技術(shù)圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）1/9/2圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）

1/9/202398模擬電子技術(shù)圖10.25電容三點(diǎn)式振蕩器及其交流通路（CB）1/9/210.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/202399模擬電子技術(shù)10.3.3電感反饋式振蕩電路1/9/202329模擬電子(b)UfUb

UoIL

ICRBRLcL1L2Cbe圖10.26電感反饋式振蕩電路及其交流通路．．．．．1/9/2023100模擬電子技術(shù)(b)UfUbUoILICRBRLcL1L2Cbe圖10注：L1與L2之間無互感。(b)UfUb

UoIL

ICRBRLcL1L2Cbe．．．．．1/9/2023101模擬電子技術(shù)注：L1與L2之間無互感。(b)UfUbUoILICRB電感或電容反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法“射同基反”規(guī)則EB,EC:同性質(zhì)電抗元件;

BE,BC:異性質(zhì)電抗元件.

1/9/2023102模擬電子技術(shù)電感或電容反饋式振蕩器是否滿足正反饋判斷方法“射同基反”規(guī)則例1在振幅條件已滿足的前提下，用相位條件去判斷如下振蕩器是否能震蕩？(b)(a)1/9/2023103模擬電子技術(shù)例1在振幅條件已滿足的前提下，用相位條件去判斷如下振蕩器是10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)1.頻率的準(zhǔn)確性2.頻率的穩(wěn)定性中波廣播發(fā)射機(jī)：10-5；電視發(fā)射機(jī)：10-7測量值設(shè)計(jì)值1/9/2023104模擬電子技術(shù)10.4石英晶體振蕩器10.4.1關(guān)于振蕩頻率的幾個(gè)指標(biāo)110.4.2石英晶體的物理特性和電特性1.石英諧振器的物理特性1)正壓電效應(yīng)正壓電效應(yīng)：把機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能。2）反壓電效應(yīng)反壓電效應(yīng)：把電能轉(zhuǎn)化成機(jī)械能。1/9/2023105模擬電子技術(shù)10.4.2石英晶體的物理特性和電特性1.石英諧振器的物交變電場機(jī)械形變振動.通常機(jī)械振動振幅和外加交變電場的振幅都非常微小。只有在外加交變電壓的頻率為某一特定頻率時(shí)，振幅才突然增加，機(jī)械振動最強(qiáng)，電路里高頻電流最大，此現(xiàn)象稱為壓電諧振。通常說石英晶體就是指石英諧振器。諧振在晶體的基音(Fundamental)或奇次泛音(Overtone)(3、5、7次泛音)。1/9/2023106模擬電子技術(shù)交變電場機(jī)械形變振動.通常機(jī)械振動振圖10.30石英晶體的等效電路和電抗特性(a)晶體符號；(b)某振動模式的電等效電路2.石英諧振器的電特性(a)(b)頻率豐富的諧振系統(tǒng)支架電容幾個(gè)pF亨利0.001pF百歐1/9/2023107模擬電子技術(shù)圖10.30石英晶體的等效電路和電抗特性2.石英諧振器的圖10.30(c)某一頻率等效電路；(d)電抗特性其它支路失諧，近似開路1/9/2023108模擬電子技術(shù)圖10.30(c)某一頻率等效電路；(d)電抗特性其它支1/9/2023109模擬電子技術(shù)1/9/202339模擬電子技術(shù)其值約為10-3量級1/9/2023110模擬電子技術(shù)其值約為10-3量級1/9/202340模擬電子技術(shù)10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.31串聯(lián)型晶體振蕩器T1

T2

R1

R2

R3

R4

R5R6

晶體

+VCC

C

uo

串聯(lián)型石英晶體振蕩器把石英晶體用作選頻短路線1/9/2023111模擬電子技術(shù)10.4.3串聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.31串聯(lián)型晶體振蕩10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.32并聯(lián)型石英晶體振蕩器(a)原理電路;(b)交流通路并聯(lián)型石英晶體振蕩器把石英晶體用作電感元件

1/9/2023112模擬電子技術(shù)10.4.4并聯(lián)型石英晶體振蕩器圖10.32并聯(lián)型石英1/9/2023113模擬電子技術(shù)1/9/202343模擬電子技術(shù)圖10.32并聯(lián)型晶體振蕩器振蕩頻率的圖解確定

Xewwpwg1wC1C2C1C2ws+晶體的標(biāo)稱頻率CL1/9/2023114模擬電子技術(shù)圖10.32并聯(lián)型晶體振蕩器振蕩頻率的圖解確定Xeww文氏電橋振蕩電路A+-RRCC1/9/2023115模擬電子技術(shù)文氏電橋振蕩電路A+-RRCC1/9/202345模擬電子技A+-RRCC文氏電橋多用于產(chǎn)生20HZ~200kHZ的低頻信號發(fā)生器中。1/9/2023116模擬電子技術(shù)A+-RRCC文氏電橋多用于產(chǎn)生20HZ~200kHZ的低頻1.振蕩頻率因?yàn)檎袷庪娐返南辔粭l件為圖中，所以2.起振條件即3.引入構(gòu)成的串聯(lián)電壓負(fù)反饋電路，能起到穩(wěn)定輸出幅度的作用。提高了輸入電阻，減小了輸出電阻。1/9/2023117模擬電子技術(shù)1.振蕩頻率因?yàn)檎袷庪娐返南辔粭l件為圖中，所以2.起振條A+-RRCC1/9/2023118模擬電子技術(shù)A+-RRCC1/9/202348模擬電子技術(shù)LC并聯(lián)諧振回路的特性CrL電路圖Z1/9/2023119模擬電子技術(shù)LC并聯(lián)諧振回路的特性CrL電路圖Z1/9/202349模擬令1/9/2023120模擬電子技術(shù)令1/9/202350模擬電子技術(shù)一諧振時(shí)回路參數(shù)1.諧振角頻率（固有角頻率）2.品質(zhì)因數(shù)3.諧振阻抗1/9/2023121模擬電子技術(shù)一諧振時(shí)回路參數(shù)1.諧振角頻率（固有角頻率）2.品質(zhì)因數(shù)3二LC并聯(lián)回路的頻率特性并令考慮附近情況，則可認(rèn)為；則1/9/2023122模擬電子技術(shù)二LC并聯(lián)回路的頻率特性并令考慮附近情況，則可認(rèn)|Z|(b)幅頻特性感性容性(c)相頻特性1/9/2023123模擬電子技術(shù)|Z|(b)幅頻特性感性容性(c)相頻特性1/9/20235考察不同的Ｑ值時(shí)頻率特性，Q越大，幅頻特性越尖銳，說明選頻特性越好。時(shí)，純阻性時(shí)，Z顯容性，時(shí)，Z顯感性，1/9/2023124模擬電子技術(shù)考察不同的Ｑ值時(shí)頻率特性，Q越大，幅頻特性越尖銳，說明選頻特LC正弦波振蕩電路分析一電感反饋式(電感三點(diǎn)式)++圖1電感反饋式振蕩器2311/9/2023125模擬電子技術(shù)LC正弦波振蕩電路分析一電感反饋式(電感三點(diǎn)式)++圖1(b)交流電路1/9/2023126模擬電子技術(shù)(b)交流電路1/9/202356模擬電子技術(shù)1.相位平衡條件(LC回路呈純阻性,即滿足該條件)(同名端設(shè)置正確)1/9/2023127模擬電子技術(shù)1.相位平衡條件(LC回路呈純阻性,即滿足該條件)(2.起振條件和振蕩頻率為折合到L1兩端的等效并聯(lián)總電阻。其中