1、 蠟，但是需要在圓片正面貼膜，磨片分為精磨和粗磨。對于大功率管常采用噴砂機噴砂進行減薄，通過金剛砂和水的混合液噴打在硅片背面將硅片減薄。圓片減薄清洗后，送入檢驗室檢驗：外觀檢：在顯微鏡或日光燈下檢驗碎片、缺角、崩邊，正面有無劃傷、沾污、芯片有無侵蝕，背面有無沾污、水印、微裂紋、損傷等；厚度：用千分表測試圓片中心點厚度，如果圓片厚度過大可能會影響封裝質量；表面粗糙度：用SURFCOM1400B粗糙度測試儀測試，粗糙度必須需要符合要求，如果粗糙度過大會影響后續的背面蒸金工序。二、拋光在自動粘片機上將硅片用電子蠟粘在承片盤上，將承片盤裝入拋光機上，啟動機器，開始拋光，此時必須保證拋光液（拋光液:純水

2、=1:10）一直流入轉盤上。磨片結束后將承片盤取下，此時可以用三腳的千分表測試圓片的厚度，看是否達到要求，一般硅片在減薄后通常拋光3um。可以在拋光前后用三腳千分表測量硅片的厚度以確定是否符合磨拋的要求，磨拋結束后需要檢查表明是否有劃傷、碎片等。拋光分為圓片拋光和、雙磨片拋光。拋光片QC檢查：1）平行度：用非接觸厚度測試儀測試；2）外觀檢：在顯微鏡或日光燈下檢驗碎片、缺角、崩邊、劃傷、沾污、裂縫、翹曲、桔皮、麻點、白霧、突起等；3）氧化層層錯：鉻酸腐蝕法。三、去蠟、清洗有蠟減薄和拋光的圓片需要去蠟清洗。首先將兩個清洗槽中的H-1清洗液加熱到至沸騰，再將盛有圓片的轉移盒依次放入兩個槽中浸泡，然后

3、將圓片在異丙醇溶液的槽中浸泡以去除H-1清洗液，最后放在超聲波清洗機中用純水超聲清洗以除去異丙醇，利用甩干機甩干后（加熱，通氮氣）送到檢驗室檢驗。對于拋光后（有蠟和無蠟）的圓片，在工序完成后需要清洗，在七槽清洗機中進行，每個槽中的溶液分別為：1）一槽：純水；2）二槽：NaOH溶液和界面活性劑的混合液；3）三槽：純水；4）四槽：NaOH溶液和界面活性劑的混合液；5）五槽：純水；7）七槽：純水。在每個槽中分別清洗（28020）S,清洗結束后需要在離心甩干機中甩干。四、檢驗圓片減薄清洗后,送入檢驗室檢查：1、外觀檢：在顯微鏡或日光燈下檢驗碎片、缺角、崩邊,正面有無劃傷、沾污、芯片有無侵蝕,背面有無沾

4、污、水印、微裂紋、損傷等（背面允許有劃痕）。2、厚度測量：用千分表測試圓片中心點厚度,厚度值需要達到要求。3、抽測表面粗糙度，用SURFCOM1400B粗糙度測試儀測試圓片背面中心一點，需要符合要求。背蒸一、前處理檢驗完成后送入背蒸間，蒸發工序接收圓片時要檢查片子表面有無異常情況，特別是鋁層有無減薄現象、中測針跡的深度等，檢驗合格后進行前處理。（1）清洗：各種圓片在減薄后，背面蒸發前都要清洗，步驟如下：1、一槽：ABZOL溶液，加熱至（555）C，加超聲；2、二槽：ABZOL溶液；3、三槽：甲醇，目的是去除ABZOL溶液；4、四槽：甲醇；5、溢流槽：沖水，去除甲醇；6、厚度大于200um的片子

5、在離心甩干機中甩干，角片有隱裂和厚度小于200um的片子用甲醇脫水后在氮氣烘箱烘干。（2）泡酸：對于減薄片用5%的HF水溶液，對于噴砂片用冰乙酸：氟化銨=1：3的氟化銨溶液。泡酸后必須充分沖水，使硅片上的酸液在極短的時間內沖走，以免部分酸液停留在引線孔內或中測點上導致部分地方過腐蝕。將片架放到離心甩干機中甩干。角片沖水后經甲醇脫水后在氮氣烘箱中烘干。（3）金砷工藝背蒸前處理：清洗同前，泡酸步驟為：1、背面單面泡5%的HF溶液16s左右；2、沖純水；3、甩干。金砷蒸發在背面蒸發專用金砷工藝蒸發臺中進行，金源要使用有坩堝套的。二、背蒸背蒸是在離子束蒸發臺中進行，背蒸工藝根據背面金屬化結構來命名，具

6、體工藝如下工藝名稱工藝方法材料名J方式五層工藝(1.2-1.6)umVNiAuGeAuGeSbAuS方式四層工藝(2.4-3.0)umTiNiSnCuSnCuSnCuAuN方式二層工藝最外層為金Y方式二層工藝最外層為銀(0.75-1.05)umTiNiAgYA方式二層工藝最外層為銀(0.6-0.9)umTiNiAgMC方式新四層工藝(1.1-1.4)umTiAuGeAuGeSbAuLT方式四層工藝最外層為銀(3.50.3)umTiNiSnAgAu單層金工藝(800100)AAu金砷工藝單層金工藝要摻入砷(1.41.6)umAu以上工藝的真空度要求小于4X10-4a,V、Ni、AuGe、SnCu

7、、AuGeSb的純度為99.99%,Au、Ag的純度為99.999%。采用多層金屬工藝主要是為了節約成本,其他金屬相對金來說價格便宜,但是有些金屬不能和硅共熔,所以要淀積中間金屬進行過渡。進行單層金工藝和金砷工藝的背金硅片需要進行金擴散。金砷工藝是在背面蒸發的金中含有微量的砷。三、金擴散為了使金層與硅片結合更牢固，在背面蒸金后還需要在擴散爐進行金擴散，金擴散比較重要的控制參數有：溫度（一般為ioooc左右）、時間、氣流速度等，金擴散后需要在王水中浸泡進行后處理；而金砷工藝背蒸后需要進行合金化，金砷合金是在氮氣和氫氣氣氛下進行，工藝溫度在425c左右，合金后在HF溶液中進行后處理。背面蒸金后都是

8、擴散爐中進行。為了防止重金屬（金等）污染，金擴散工藝專業在一個獨立的車間內進行，并且片架、轉移盒都不能用在其他產品上。1、金擴散及其后處理：將背面已蒸金的圓片進行金擴散以及擴散后背面金屬的去除，具體步驟如下：（1）前處理：將圓片放入清洗槽中沖水后甩干。（2）將待擴散的圓片背向進氣口方向按一定間距擺放在石英舟中，將石英舟推至爐管恒溫區；按工藝條件進行金擴散。（3）工藝設定時間達到后出爐。（4）后處理：將腐蝕柜中槽中的王水（濃鹽酸：濃硝酸=3：1）加熱至沸騰，將金擴散后的圓片在王水中浸泡后放入沖水槽中沖水，甩干后放入專用片架內。2、金砷工藝合金金砷工藝中圓片背面合金作業步驟：（1）前處理：用5%的

9、HF溶液浸泡十幾秒后沖水，甩干。（2）操作步驟和金擴散步驟相同，按照工藝條件進行。（3）后處理：用5%的HF溶液浸泡后沖水，甩干。四、背蒸后QC檢驗背蒸后要進行QC檢驗，主要有：1）蒸金屬厚度：通常用Alpha-stepIQ臺階測試儀測試陪片的金屬厚度，從而得到圓片背蒸金屬的厚度；2）粘附性測試：通常利用蘸錫來測試背面金屬的潤濕性，如果潤濕性太差會影響裝片的牢度；通過貼藍膜熱處理之后揭膜來測試背面金屬的粘附性，以防止在劃片貼膜時由于膜的粘性將背部金屬揭去（蘸錫實驗已經取消，現改做揭膜試驗）。3）表面檢驗：主要是背面金屬層是否劃傷、沾污、白霧、突起、銀層表面發黃等，以免影響裝片質量。五、背蒸返工

10、處理背面蒸發片檢查不合格以及由于其他原因造成沒有完成蒸發全過程的返工處理。步驟為：1、將圓片正面貼上藍膜或者UV膜（大功率管是涂上光刻膠），以防止酸腐蝕硅片正面鋁層。2、將帶膜硅片放入王水中腐蝕，以去除背面蒸發層直至干凈為止。3、取出硅片放入沖水槽中，將上面的酸沖去。4、去除膜或者膠，裝入專用清洗片架內，繼續沖水。5、放入烘箱內烘干。出廠檢驗所有芯片工序結束后，進行出廠檢驗，檢驗的項目有：1、圓片的正反面。2、抽測每批芯片的參數：二極管：正向電流，反向漏電流，擊穿電壓三極管：電流特性，擊穿特性，飽和特性，HFE,ts等檢查完畢后進入中轉庫后出廠。專業術語CVD：ChemicalVapourDeposition化學氣相淀積APCVD:常壓CVDLPCVD:低壓CVDPECVD:等離子增強CVDPVD：physicalVapourDeposition,物理氣相淀積PSG:磷硅玻璃BSG：硼硅玻璃LTO：低溫二氧化硅UDO：不摻雜二氧化硅SIPOS:半絕緣摻氧多