1、（ITL）ITL初測、確定補償片及補償結果編制： 黃 俊昂 納 信 息 技 術（深 圳）有 限 公 司二九年七月三十日目 錄緒論31.工作內容概要32.ITL初測33.理論分析53.1 補償片厚薄方向53.2 補償片厚度數值64.補償結果65.結論8緒論在前期理論分析中，為得到理想ISO，需要ITL的長、短臂嚴格配合在最優長度。但在實際加工過程中，組成ITL的各部分都存在誤差。雖說可通過抽氣與充氣調節兩臂的光程，但其調節量有限，當兩臂光程偏離優化長度較大時，則需引進補償片先對其兩臂光程進行初步調節。1. 工作內容概要下面，將從實際工作的插損曲線出發，結合理論分析，得出確定補償片的方法。同時，在

2、前期分析中，知道ITL的長臂調節為確定插損對準ITU中心，而短臂的調節為確定插損隔離度是否滿足要求，而本工作的內容是確定所以在下面的分析中，不再考慮長臂及插損是否對準ITU，2. ITL初測組裝出ITL（以50GHz/100GHz為例)，對其進行初步調試并測量，當不能調至最優光程時，通常是在C-Band僅有某段波長的插損隔離度符合要求，而在充氣與抽氣范圍內無法使插損隔離度在整個C-Band都符合要求，如圖1所示。圖1 ITL的C-Band初測結果為配合理論敘述，通過對ITL抽、充氣，使其插損隔離度調節出圖1的形態，即插損在C-Band的中波段滿足要求，而在短、長波段都不滿足要求。仔細觀察插損在

3、短、中、長波段的性能（分別示于圖24），發現對這一特定ITL，在中波段（圖3）插損隔離度(30dB)滿足要求，且谷值處形態較對稱；而在短波段（圖2），插損隔離度(24dB)不滿足要求，且谷值處含兩不同小谷，在短波方向的小谷較寬；在圖3所示的長波段，插損隔離度同樣不滿足要求，而谷值形態則與圖2所示的短波段相反。以此為依據，結合理論分析，可以初步判定ITL的短臂（100GHz）相對最優光程是長是短，進而確定長、短臂補償片的厚薄方向。23.5dB圖2 初測時ITL在短波段的插損31.5dB圖3 初測時ITL在中波段的插損23.5dB圖4 初測ITL時在長波段的插損3. 理論分析下面，設短臂位于最優相

4、位處的厚度為LshortOpt（nm），而實際短臂厚度為Lshort(nm)。3.1 補償片厚薄方向當短臂更長，令LShort= LShortOpt+1550(nm)時，通過仿真，ITL在C-Band短、長波段的插損曲線分別示于圖5、6。圖5 短臂長時ITL在短波段的插損 圖6短臂長時ITL在長波段的插損從上兩圖可以看出，當短臂更長，在短波段（圖5），插損谷值處兩不同小谷，在長波方向的小谷較寬；在圖6所示的長波段，插損谷值形態則相反。基于此結論，可以判斷前面提到的實際ITL在初測時短臂更短，即在選擇補償片時，短臂的補償片需要厚于長臂。3.2 補償片厚度數值為確定補償片厚度值，需知使ITL插損曲

5、線變化一周期對應的短臂變化量。圖7三條曲線分別是LShort= LshortOpt、LShort= LShortOpt +1550/2、LShort= LShortOpt +1550/4時ITL在C-Band中波段的插損曲線。圖8為LShort= LShortOpt +1550/8時ITL在C-Band中波段的插損曲線。圖7 ITL周期圖 圖8 ITL半周期圖從此兩圖可以看出，當短臂變化量為1550/4的整數倍時，插損在C-Band中波段呈周期變化。此時觀察如圖5、6所示的短、長波段的插損隔離度，可得表1的數據。表1 Lshort不同偏差下ITL在C-Band的插損隔度度Lshort(nm)L

6、ShortOptLshortOpt1550/4LshortOpt1550/2LshortOpt1550*3/4ISO(dB)30292523.5表1可以看出，短臂在優化長度的左右一周期，ITL的插損隔離度仍較高，而通過抽、充氣方式可使ITL插損曲線至少調節上下一周期，所以，在確定補償片厚度時，不妨多調一周期。同時，由于補償片采用熔石英材料，所以具體厚度值應除以熔石英在C-Band的折射率1.45。4. 補償結果通過前面的分析，對舉例的這一特定ITL采用補償片，插損在C-Band的結果示于圖912。此時，插損在C-Band的隔離度達到28dB。圖9 補償后ITL時在C-Band的插損28.5dB圖10 補償后ITL時在短波段的插損31.5dB圖