1、半導體發光二極管1 范圍本標準規定了冰箱事業部半導體發光二極管的設計選用要求、試驗方法、檢驗規則和包裝、貯存。本標準適用于冰箱事業部控制器、照明指示燈等所選用的半導體發光二極管。2 規范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修改版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T 191 包裝儲運圖示標志GB/T 2423.3-1993 電工電子產品基本環境試驗規程 試驗Ca:恒定濕熱試驗方法(idt IEC 68-2

2、-3:1984)GB/T 4937-1995 半導體分立器件機械和氣候試驗方法(idt IEC 749:1995)GB/T 4938-1985 半導體分立器件接收和可靠性GB/T 17626.2-1998 電磁兼容 試驗和測量技術 靜電放電抗擾度試驗(idt IEC 61000-4-2:1995)QMB-J10.010 關于規范RoHS標識的操作指引QMB-J10.011 逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表3 半導體發光二極管分類3.1 按顏色分類a) 紅色發光二極管（lD ：620-660nm）b) 橙色發光二極管（lD ：600-620nm）c) 黃色發光二極管（lD ：580-600nm）d)

3、 綠色發光二極管（lD ：500-577nm）e) 蘭色發光二極管（lD ：430-480nm）f) 紫色發光二極管（lP ：380-410nm）g) 白色發光二極管（TC：3000-25000K）3.2 按芯片材料分類a) InGaAlP/GaAsb) GaN/ Al2O3或SiC襯底c) InGaN/ Al2O3或SiC襯底4 要求4.1 靜電防護工藝要求因產品易受靜電破壞，生產及運輸過程中應做好靜電防護工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC襯底系列靜電等級要求控制在500V以下， GaN基/藍寶石襯底系列靜電等級要求控制在100V以下。4.2 封裝形式及外觀要求4.2.1

4、 封裝形式采用環氧樹脂全包封的封裝形式。4.2.2 外觀要求目測環氧表面無明顯發花、劃傷，出光面無明顯氣泡、黑點，無多缺料，無明顯偏支架，外引線平整，無明顯銹蝕、變色及鍍層脫落現象。4.3 極限值（絕對最大額定值）極限值（絕對最大額定值）見表1。表1 極限值參 數符號條件額定值單位正向電流IFMTamb=（25±5）15amA 20b25c30d正向脈沖電流eIFPTamb=（25±5）100mA反向電壓VR5V貯存溫度TStg-40+100工作溫度Tamb-25+85耗散功率PMTamb=（25±5）75mW焊接溫度Tsd10s260 抗靜電電壓InGaAlPE

5、SDC=150PF，R=330±500VGaN基/Al2O3±100GaN基/SiC±1000GaN基加齊納±5000a： IF=15mA： GaN/InGaN芯片12×12mil以下的發光二極管。b：IF=20mA： InGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的發光二極管（白色除外）;c：IF=25mA： GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的白色發光二極管；d：IF=30mA： InGaAlP芯片9×9mil

6、至12×12mil的發光二極管；e：脈沖寬度0.1ms，占空比1/10。注：除非另有規定，下表的值在整個工作溫度范圍內適用。4.4 光電特性4.4.1 InGaAlP系列紅色發光二極管光電參數InGaAlP系列紅色發光二極管光電參數應符合表2的規定。 表2 InGaAlP系列紅色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFR8B3×C/T×15005000mcdJS

7、,LX,CPHFR863×××1001000HFR883×××1001000HFR803×××C/T×-××500-5000HFR803×××M×-××100-5000F5HFR8B5×C/T×400020000HFR865×××1001000HFR8E5×××××2003500HFR885××&#

8、215;1001000HFR805×××C/T×-××150-15000HFR805×××M×-××100-15000F8HFR808×C/T×1000-25000HFR808×M×10020000F10HFR8010×C/T×1000-30000HFR8010×M×100-30000HFR8B10×C/T×1500-50000 HFR84×××C

9、/T×1001000 HFR8F××C/T5004000 HVR84××C/T100-1500峰值發射波長lDIF=20mA620-660nmJS,LX,CP光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFR8B3×C/T×515度CHFR863×××100HFR883×××120HFR803×××C/T×-××10-120HFR803×××M

10、×-××10-180F5HFR8B5×C/T×5-15HFR865×××100HFR8E5×××××15/50-40/110HFR885×××-120-HFR805×××C/T×-××10-120HFR805×××M×-××10-180F8HFR808×C/T×10-120HFR808×M

11、×10-180F10HFR8010×C/T×10-120HFR8010×M×10-180HFR8B10×C/T×5-15 HFR84×××C/T×120 HFR8F××C/T3080 HVR84××C/T-120-注：LX例行試驗最后測試參數；JS交收檢驗測試參數；CP成品測試參數；C參考參數。以下同。4.4.2 InGaAlP系列黃色發光二極管光電參數InGaAlP系列黃色發光二極管光電參數應符合表的規定。 表 InGaAlP系列黃色發光二極管

12、光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFY8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFY863×××1001000HFY883×××1001000HFY803×××C/T×-××500-5000HFY803×××M×

13、-××100-5000F5HFY8B5×C/T×400020000HFY865×××1001000HFY8E5×××××2003500HFY885×××1001000HFY805×××C/T×-××150-15000HFY805×××M×-××100-15000F8HFY808×C/T×1000-25000H

14、FY808×M×10020000F10HFY8010×C/T×1000-30000HFY8010×M×10030000HFY8B10×C/T×1500-50000 HFY84×××C/T100-1000 HFY8F××C/T5004000 HVY84××C/T100-1500峰值發射波長lDIF=20mA580600nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-15-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFY8B3×C/T×5-1

15、5度CHFY863×××100HFY883×××120HFY803×××C/T×-××10120HFY803×××M×-××10180F5HFY8B5×C/T×515HFY865×××100HFY8E5×××××15/5040/110HFY885×××120HFY805×

16、5;×C/T×-××10120HFY805×××M×-××10180F8HFY808×C/T×10120HFY808×M×10180F10HFY8010×C/T×10120HFY8010×M×10120HFY8B10×C/T×515 HFY84×××C/T120 HFY8F××C/T3080 HVY84××C/T-120-4.4

17、.3 InGaAlP系列橙色發光二極管光電參數InGaAlP系列橙色發光二極管光電參數應符合表的規定。 表 InGaAlP系列橙色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFO8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFO863×××1001000HFO883×××1001000HFO803×

18、15;×C/T×-××500-5000HFO803×××M×-××100-5000F5HFO8B5×C/T×400020000mcdJS,LX,CPHFO865×××1001000HFO8E5×××××2003500HFO885×××1001000HFO805×××C/T×-××150-15000HFO805

19、×××M×-××100-15000F8HFO808×C/T×1000-25000HFO808×M×10020000F10HFO8010×C/T×1000-30000HFO8010×M×10030000HFO8B10×C/T×1500-50000 HFO84×××C/T100-1000 HFO8F××C/T5004000 HVO84××C/T100-1500峰值發射波長

20、lDIF=20mA600620nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFO8B3×C/T×5-15度CHFO863×××100HFO883×××120HFO803×××C/T×-××10120HFO803×××M×-××10180F5HFO8B5×C/T×515HFO865×××100HFO8E5

21、15;××××15/5040/110HFO885×××120HFO805×××C/T×-××10120HFO805×××M×-××10180F8HFO808×C/T×10120HFO808×M×10180F10HFO8010×C/T×10120HFO8010×M×10120HFO8B10×C/T×515 HF

22、O84×××C/T120 HFO8F××C/T3080 HVO84××C/T-120-4.4.4 InGaAlP系列綠色發光二極管光電參數InGaAlP系列綠色發光二極管光電參數應符合表的規定。 表 InGaAlP系列綠色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFG8B3×C/T×6002500mcdJS,LX

23、,CPHFG863×××50500HFG883×××50500HFG803×××C/T×-××200-2500HFG803×××M×-××50-2500F5HFG8B5×C/T×10008000HFG865×××50500HFG8E5×××××1002000HFG885×××50500HF

24、G805×××C/T×-××100-8000HFG805×××M×-××50-8000F8HFG808×C/T×100-10000HFG808×M×5010000F10HFG8010×C/T×100-10000HFG8010×M×5010000HFG8B10×C/T×100-10000 HFG84×××C/T50-500 HFG8F×&#

25、215;C/T2002000 HVG84××C/T50-800峰值發射波長lDIF=20mA565577nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFG8B3×C/T×5-15度CHFG863×××100HFG883×××120HFG803×××C/T×-××10120HFG803×××M×-××10180F5HFG8B5×C

26、/T×515HFG865×××100HFG8E5×××××15/5040/110HFG885×××120HFG805×××C/T×-××10120HFG805×××M×-××10180F8HFG808×C/T×10120HFG808×M×10180F10HFG8010×C/T×10120HFG801

27、0×M×10120HFG8B10×C/T×515 HFG84×××C/T120 HFG8F××C/T3080 HVG84××C/T-120-4.4.5 GaN基系列綠色發光二極管光電參數GaN基系列綠色發光二極管光電參數應符合表6的規定。 表6 GaN系列綠色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=

28、5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFG9/A63×××1001000HFG9/A83×××1001000HFG9/A03×××C/T×-××500-5000HFG9/A03×××M×-××100-5000F5HFG9/A B5×C/T×400020000HFG9/A 65×&#

29、215;×1001000HFG9/A E5×××××2003500HFG9/A 85×××1001000HFG9/A 05×××C/T×-××150-15000HFG9/A 05×××M×-××100-15000F8HFG9/A 08×C/T×1000-25000HFG9/A 08×M×10020000F10HFG9/A 010×C/T&

30、#215;1000-30000HFG9/A 010×M×10030000HFG9/A B10×C/T×1500-50000 HFG9/A 4×××C/T100-1000 HFG9/A F××C/T5004000 HVG9/A 4××C/T100-1500峰值發射波長lDIF=20mA500540nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×5-15度CHFG9/A63×××

31、100HFG9/A83×××120HFG9/A03×××C/T×-××10120HFG9/A03×××M×-××10180F5HFG9/A B5×C/T×515HFG9/A 65×××100HFG9/A E5×××××15/5040/110HFG9/A 85×××120HFG9/A 05××

32、5;C/T×-××10120HFG9/A 05×××M×-××10180F8HFG9/A 08×C/T×10120HFG9/A 08×M×10180F10HFG9/A 010×C/T×10120HFG9/A 010×M×10120HFG9/A B10×C/T×515 HFG9/A 4×××C/T120 HFG9/A F××C/T3080 HVG9/A 4&#

33、215;×C/T-120-4.4.6 GaN基系列藍色發光二極管光電參數GaN基系列藍色發光二極管光電參數應符合表7的規定。 表7 GaN系列藍色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5002500mcdJS,LX,CPHFB9/A63×××20500HFB9/

34、A83×××20500HFB9/A03×××C/T×-××50-2500HFB9/A03×××M×-××10-2500F5HFB9/A B5×C/T×3008000HFB9/A 65×××20500HFB9/A E5×××××802000HFB9/A 85×××20500HFB9/A 05××

35、15;C/T×-××50-8000HFB9/A 05×××M×-××10-8000F8HFB9/A 08×C/T×50-10000HFB9/A 08×M×1010000F10HFB9/A 010×C/T×50-10000HFB9/A 010×M×1010000HFB9/A B10×C/T×50-10000 HFB9/A 4×××C/T20-500 HFB9/A F×&

36、#215;C/T503000 HVB9/A 4××C/T20-500峰值發射波長lDIF=20mA430480nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5-15度CHFB9/A63×××100HFB9/A83×××120HFB9/A03×××C/T×-××10120HFB9/A03×××M×-××10180F5

37、HFB9/A B5×C/T×515HFB9/A 65×××100HFB9/A E5×××××15/5040/110HFB9/A 85×××120HFB9/A 05×××C/T×-××10120HFB9/A 05×××M×-××10180F8HFB9/A 08×C/T×10120HFB9/A 08×M×1018

38、0F10HFB9/A 010×C/T×10120HFB9/A 010×M×10120HFB9/A B10×C/T×515 HFB9/A 4×××C/T120 HFB9/A F××C/T3080 HVB9/A 4××C/T-120-4.4.7 GaN基系列白色發光二極管光電參數GaN基系列白色發光二極管光電參數應符合表7的規定。 表8 GaN系列白色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=2

39、0mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFW9/AB3×C×15005000mcdJS,LX,CPHFW9/A63×××1001000HFW9/A83×××1001000HFW9/A03×××C×-××500-5000HFW9/A03×××M×-××100-5000F5HF

40、W9/A B5×C×400020000HFW9/A 65×××1001000HFW9/A E5×××××2003500HFW9/A 85×××1001000HFW9/A 05×××C×-××150-15000HFW9/A 05×××M×-××100-15000F8HFW9/A08××1000-25000F10HFW9/A010&

41、#215;C1000-25000HFW9/AB10×C1500-50000 HFW9/A 4×××C100-1000 HFW9/A F××C5004000 HVW9/A 4××C100-1500色坐標XIF=20mA0.2000.3000.400nmJS,LX,CPY0.2000.3000.400色溫TcIF=20mA300025000KC半強度角q1/2IF=20mAF3HFW9/AB3×C×5-15度CHFW9/A63×××100HFW9/A83×&#

42、215;×120HFW9/A03×××C×-××10120HFW9/A03×××M×-××10180F5HFW9/A B5×C×515HFW9/A 65×××100HFW9/A E5×××××15/5040/110HFW9/A 85×××120HFW9/A 05×××C×-××1

43、0120HFW9/A 05×××M×-××10180F8HFW9/A08××10120F10HFW9/A010×C10120HFW9/AB10×C515 HFW9/A 4×××C120 HFW9/AF××C3080 HVW9/A 4××C-120-4.4.8 GaN基系列紫色發光二極管光電參數GaN基系列紫色發光二極管光電參數應符合表8的規定。 表9 GaN系列紫色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號

44、測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O2-3.53.8VJS,LX,CPGaN基/SiC-2.84.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發光強度IVIF=20mAF3HFWAB3×C×10200mcdJS,LX,CPHFVA63×××5100HFVA03×××C×-××5-150F5HFVA B5×C×20300HFVA 65×××5100HFVA 05××&

45、#215;C×-××5-200峰值發射波長lPIF=20mA380-410nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFWAB3×C×5-15度CHFVA63×××120HFVA03×××C×-××10120F5HFVA B5×C×5-15HFVA 65×××120HFVA 05×××C×-××101204

46、.4.9 HFT系列多色發光二極管光電參數HFT系列多色發光二極管光電參數應符合表9的規定。 表10 HFT系列多色發光二極管光電參數表 Tamb=（25±5）參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別正向電壓VFIF=20mAGaAsP/GaAlAs1.82.5VJS,LX,CPInGaAlP/GaAs1.82.5GaN基/Al3O22.9-3.8GaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5VGaAsP/GaAlAs10mAJS,LX,CPInGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC-10發光強度IVIF=20mAF3GaAsP/GaAlAs5mcdJS,LX,

47、CPInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC5F5GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-F8GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30GaN基/Al2O3或SiC15-F10GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-方形GaAsP/GaAlAs3InGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC5-表10 (續)參數符號測試條件最小值典型值最大值單位參數類別峰值發射波長lD紅色620660nmC橙色600620黃色580600綠色500577蘭色430480光譜

48、輻射帶寬DlGaAsP/GaAlAs30nmCInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC-30-半強度角q1/2IF=20mAF3HFT503C×××-×-15-度CHFT503M×××-×30F5HFT505C×××-×-15-HFT505M×××-×30F8HFT508C×××-×15HFT508M×××-×-30-F10HFT5010C&

49、#215;××-×-15-HFT5010M×××-×-30-方形HFT54×C×××-×120HFT54×M×××-×120-4.5 型式檢驗要求4.5.1 引出端強度通過5.4試驗后，引出端無斷裂、松動，與環氧體之間無相對移動或脫落現象。4.5.2 引出端可焊性通過5.5試驗后，濕潤表面應覆蓋一層平滑而光亮的焊料涂層，浸潤面積應大于或等于浸漬面積的95%。4.5.3 耐焊接熱通過5.6試驗后，樣品環氧體無明顯溶化及變色現象，

50、光電特性參數應符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）（VFO：試驗前電壓測試值，以下同。）IR10uA；（VR=5V）IV0.9IVO。（IF=20mA）（IVO：試驗前光強測試值，以下同。）4.5.4 快速溫度變化及恒定濕熱通過5.7試驗后，樣品無開裂及引線松動現象，環氧體無明顯變色，光電特性參數應符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5.5 電耐久性通過5.8試驗后，光電特性參數應符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5

51、.6 高溫貯存通過5.9試驗后，樣品環氧體無明顯溶化及變色現象，光電特性參數應符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V） IV0.8IVO。（IF=20mA）4.5.7 靜電放電抗擾度通過5.10試驗后，光電特性參數應符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V）IV-IVO±5%IVO。（IF=20mA）5 試驗方法5.1 外形測試用游標卡尺或顯微鏡測量，尺寸測量結果符合4.2.1中規定。5.2 外觀測試目測及顯微鏡下鏡檢，外觀符合4.2.2及4.2.3中規定。5.3 光電特性測試方法：按如下方法測試，測試結果符合

52、4.4中規定。電特性測試一般在相應的恒流恒壓源供電下，利用電壓電流表進行測試；光特性的測試主要包括光通量和顏色。光通量的測試可采用積分球法或變角光度計法；顏色特性測試可采用分光光度法或積分法。5.4 引出端強度試驗5.4.1 拉力試驗按GB/T 4937-1995第II篇1.1、試驗Ua1的規定：a） 外加力：5N；b） 時間：（10±1）s。c） 樣品測試符合4.5.1中規定。5.4.2 彎曲試驗按GB/T 4937-1995第II篇1.2、試驗Ub第3.4.2.1方法2的規定：a） 加力：2.5N；b） 次數：2次；c） 樣品測試符合4.5.1中規定。5.5 引出端可焊性試驗本試

53、驗只針對無鉛焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.1，試驗Ta方法1的規定：a） 焊錫溫度：（245±5）；b） 浸錫時間：（2±0.5）s；c） 浸入到離器件本體（11.2）mm；d） 焊劑：松香25%，酒精75%；e） 樣品測試符合4.5.2中規定。5.6 耐焊接熱試驗本試驗只針對無鉛焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.2，試驗Tb方法1A的規定：a） 焊錫溫度：（280±5）；b） 浸錫時間：（10±1）s；c） 浸入到離器件本體（22.5）mm；d） 焊劑：松香25%，酒精75%；e） 恢復：試驗樣品在標準大氣條件下恢復1h，然后在4h內測完光電參數，并應符合4.5.3中規定。5.7 快速溫度變化及恒定濕熱試驗溫度快速變化按GB/T 4937-1995第III篇1.1，試驗Na的規定。a）TA=（-40±3），TB=（100±2）；b）暴露時間：10min；c）轉移時間：（23）min；d）循環次數：5次。溫度快速變化結束后，試驗樣品的外觀顏色應無明顯變化，在標準大氣條件下恢復