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文檔簡介
1、10ghz低相噪擴頻時鐘發生器的設計與實現 摘要:基于55 nm cmos工藝設計并制造了一款小數分頻鎖相環低相噪10 ghz擴頻時鐘發生器(sscg). 該sscg采用帶有開關電容陣列的壓控振蕩器實現寬頻和低增益,利用3階mash調制技術對電路噪聲整形降低帶內噪聲,使用三角波調制改變分頻系數使擴頻時鐘達到5 00010-6.測試結果表明:時鐘發生器的中心工作頻率為10 ghz,擴頻模式下峰值降落達到16.46 db;在1 mhz頻偏處的相位噪聲為-106.93 dbc/hz.芯片面積為0.7 mm0.7 mm,采用1.2 v的電源供電,核心電路功耗為17.4 mw. 關鍵詞:擴頻時鐘發生器;
2、鎖相環;調制器;相位噪聲 中圖分類號:tn432, tn74 文獻標識碼:a 文章編號:1674-2974(2016)02-0109-06 當前,隨著半導體工藝的不斷發展,電子產品工作頻率越來越高,高頻信號的輻射也越來越強,芯片間的電磁干擾(emi)變成了一個不容忽視的問題1-2.在無線通信系統中,當數據處理與傳輸的速率達到gbps的水平時,電路輻射產生的噪聲大小直接決定了傳輸數據信號的優劣.為了抑制emi對傳輸通道、設備及系統性能的影響,傳統上使用金屬屏蔽盒以及rcl無源器件的濾波來實現,但隨著電路系統的復雜度和集成度不斷提高,上述方法已很難達到目的,而基于鎖相環的擴頻時鐘技術(sscg)3
3、-7 作為有效的低成本片內解決方案正在迅速發展中,它通過將信號能量擴展到一個較寬的范圍內,有效地減小峰值和諧波的功率,從而從信號的源頭減小了emi,降低了系統產品的設計難度. 近年來,國內外提出了多種不同的擴頻時鐘電路抑制emi.hsieh等采用的vco直接調制方式需要極大的濾波電容,會增加電路的功耗和面積3;cheng等使用的多相時鐘相位插入方式很難達到相位的良好匹配,會加大電路的設計難度4;wong 和caro等采用的調制方式引入的量化噪聲大,對emi的抑制能力不夠,會惡化其相位噪聲5-6. 目前對于sscg的研究大多集中于6 ghz頻率以下,而對于6 ghz以上的較少涉及.本文針對ssc
4、g在頻率、相位噪聲等方面的問題,設計了一款10 ghz的超高頻率低相噪擴頻時鐘發生器,其在1 mhz頻偏處的相位噪聲為-106.93 dbc/hz,通過采用全數字電路的3階mash調制器改善電路相位噪聲,相比于其余的調制方式,實現簡單,對emi的抑制能力更強,且有較強的抗噪聲能力. 1擴頻時鐘發生器電路設計 圖1所示為本設計提出的擴頻時鐘發生器整體結構圖,其中包括鑒頻鑒相器(pfd)、電荷泵(cp)、環路濾波器(lpf)、壓控振蕩器(vco)、多模分頻器、調制器(dsm)及三角波發生器. 在鎖相環中,低頻噪聲主要由pfd/cp決定,而高頻噪聲由vco決定.為了獲得低相噪的時鐘發生器,vco中采
5、用了開關電容陣列技術把vco的諧振頻率范圍分成若干個子頻帶7,子頻帶的選擇可以保證vco的電壓增益(kvco)較小,避免了過大的kvco通過am-fm噪聲轉化導致vco相位噪聲的惡化;使用可編程差分電荷泵結構來提高充放電電流的匹配,減小雜散,以及滿足工藝偏差的變化;通過采用小數分頻技術,保證電路在很高的參考頻率下也能獲得很高的頻率精度.通過 dsm對分頻器的分頻系數進行調制,隨著分頻系數的改變,鎖相環的輸出頻率隨之改變,并獲得具有一定頻率寬度的時鐘信號,完成擴頻的過程.同時dsm也能對輸出噪聲整形,大幅改善時鐘發生器的相位噪聲. 1.1寬帶vco的設計 vco設計的優劣直接決定整個時鐘發生器的
6、相位噪聲性能,本設計采用了如圖2所示的帶開關電容陣列的寬帶lc-vco.晶體管m1和m2組成交叉耦合差分對管,作為負阻為lc諧振回路提供能量;lc頻率調諧回路由片上螺旋差分電感、累積型mos變容管和高q值固定電容組成.vco的振蕩頻率可表示為: kvco反映vco輸出頻率對控制電壓vctrl的敏感程度,并且影響鎖相環環路的增益和穩定性,以及相位噪聲性能.由式(2)知:可變電容比直接影響vco的電壓增益,從而影響其調諧范圍與相位噪聲,但是vco的調諧范圍又與相位噪聲相互矛盾.因此,為了使vco兼具較低的相位噪聲和較大的頻率調諧范圍,必須采用開關電容陣列來減小vco的靈敏度.開關電容陣列中使用差分
7、電容開關的方式來改善開關電容的q值.為了進一步提高噪聲性能,使用了具有高電源抑制比的ldo為vco供電,加強其對電源噪聲的抑制能力;為了抑制尾電流源噪聲對相位噪聲的影響,在共源點和地之間串入一個大的電容c2,同時利用電容c1和r1組成的低通網絡濾除一部分基準電流鏡像來的熱噪聲和閃爍噪聲.該電路采用16位溫度計碼控制的開關電容陣列,配合可變電容形成粗調諧與細調諧相結合的技術,在減小相位噪聲的同時滿足了制造過程的工藝偏差和頻段要求.經測試得知:vco的調諧范圍為9.610.5 ghz,在1 mhz處其相位噪聲為-106.93 dbc/hz. 1.2預分頻器及多模分頻器的設計 vco的輸出信號在經過
8、輸出緩沖器后作為預分頻器的輸入時鐘,其工作頻率高達10 ghz,為了滿足低功耗和高速的應用要求,采用基于電流模式邏輯結構(cml)8的預分頻器進行二分頻,如圖3所示.cml構成的預分頻器是全差分結構,能夠提供差分輸出,抑制電路的共模噪聲.為了減小寄生電容,提高響應速度,在設計中采用電阻作為負載;尾電流源結構的使用可以更方便地控制輸出擺幅的大小,同時可以提高電路的工作速度. 為了達到擴展頻譜的目的,必須使用小數分頻的鎖相環結構.故在預分頻器之后,使用了如圖4(a)所示的多模分頻器.多模分頻器由5個2/3分頻單元級聯構成,整個分頻器鏈中不存在延時回路,所有的2/3分頻單元有著相同的結構,有利于功耗
9、的優化及版圖的便利.2/3分頻器的工作原理是在一個分頻周期內,當輸入信號mi有效時,若p=1,則分頻單元實現3分頻;若p=0,則分頻單元實現 2 分頻,如圖4(b)所示.該分頻器能夠實現分頻比: 分頻范圍為3261,其中可編程控制碼c0c4由dsm的輸出控制.本設計中預分頻器工作在10 ghz左右,經過cml二分頻之后,多模分頻器的輸入端頻率也高達5 ghz,為了能夠滿足電路的高速要求,2/3分頻單元中的觸發器均使用tspc結構9,經仿真驗證其工作頻率可達8 ghz. 1.3鑒頻鑒相器及電荷泵的設計 由于dsm的量化噪聲會因非線性的存在而折疊到低頻,影響帶內相位噪聲,而且也會導致分數雜散的產生
10、,故對pfd及cp的線性度提出了更高的要求.如圖5(a)所示,采用的pfd結構僅有3個反相器的延時,極大地縮短了死區時間,這可以減小襯底耦合的噪聲和電流源噪聲等對鎖相環的影響;在up信號的通路上插入了一個由傳輸門構成的延時單元,并設計成與反相器有近似相同的延時,以減小由兩路信號到達時間不同導致的失配.在輸出級加上驅動力很強的緩沖器(buffer)以保證電荷泵開關的迅速切換. cp的輸出電流噪聲是鎖相環帶內相位噪聲和參考雜散的主要來源,而電流噪聲主要是由于電流失配、電荷泄漏及電荷共享等非理想效應產生的.提出的高性能cp和lpf的結構如圖5(b)所示,電流源使用尺寸相對較大的晶體管,組成casco
11、de結構,減小電流源之間的電流不匹配;采用了差分結構,兩節點vf和vb通過單位增益放大器相連,使兩支路的共模電平保持相同,避免了電荷共享問題,其中單位增益放大器運用了折疊式共源共柵軌到軌運放結構,提供高增益和高擺幅.由于工藝的變化,vco的增益會發生變化,同時環路濾波器中的電阻電容也會有偏差,為了保證電路在不同工藝電壓溫度(pvt)的影響下仍能保持穩定,將上下開關電流設置成可編程的電流調節單元,電流在200400 a之間變化.同時為了更好地抑制壓控振蕩器控制電壓上的高頻成分,減小其紋波,環路濾波器采用三階無源濾波器.其中r1與c1共同提供一個帶內的零點改善相位裕度,c2提供第二個極點對分數雜散
12、進行一定的抑制,c3提供第三個極點進一步抑制由于dsm產生的高通相位噪聲對整個鎖相環輸出噪聲的惡化. 1.4調制器及三角波發生器的設計 為了獲得擴頻時鐘,必須使分頻器的分頻比在一定時間內發生變化,故在設計中引入了小數分頻技術.但由于小數分頻的分頻系數存在周期性跳變問題,會產生小數雜散影響時鐘發生器的相位噪聲和雜散性能,所以通過采用調制器(dsm)10實現分頻比的隨機化,對量化噪聲進行整形,將噪聲往高頻處推,消除小數分頻帶來的雜散,提高帶內信噪比.為實現噪聲整形并考慮到電路穩定性的需要,在設計中采用了3階的15-bit mash1-1-1 dsm,結構如圖6所示.圖中x表示輸入,y表示輸出,eq
13、i表示第i級的量化誤差,由此可得: y(z)=x(z)+(1-z-1)3eq3(z).(4) 圖7為輸出時鐘向下擴頻仿真,時鐘頻率為9.9510 ghz,三角波的頻率為30.525 khz. 2測試結果分析 在版圖布局中,為避免數字時鐘對模擬射頻部分的影響,采用隔離環措施對數字和模擬模塊進行隔離,降低襯底耦合噪聲.電路采用smic 55 nm cmos 工藝流片,sscg整體芯片照片如圖8所示,電路的核心面積為0.7 mm0.4 mm.測試時輸入晶振頻率為100 mhz,利用aglient公司的頻譜分析儀得到擴頻時鐘相位噪聲測試曲線如圖9所示,在1 mhz處,相位噪聲大小為-106.93 db
14、c/hz.擴頻時鐘發生器實測頻譜如圖10所示.在非擴頻模式下,頻譜的峰峰值能量為-14.08 dbm,在擴頻模式下,峰峰值能量變為-30.54 dbm,向下擴頻5 00010-6,峰峰值降落16.46 db.表1給出了與最近國際上發表的相關擴頻時鐘發生器測試結果的比較,本設計的顯著特點是工作頻率高達10 ghz, 但所消耗的功耗卻最低,并且在1 mhz處的相位噪聲很小,對emi的抑制效果也很好. 3結論 在超高頻率下制造時鐘發生器的最大難度在于,在高頻工作下相位噪聲和抗電磁干擾的能力難以提升.本文在55 nm cmos工藝下,設計并實現了一種基于小數分頻鎖相環的低相噪10 ghz擴頻時鐘發生器
15、.該時鐘發生器采用了帶開關電容陣列的vco模塊、低失配低噪聲電荷泵及調制器模塊,達到了很高的頻率輸出精度和良好的相噪性能.測試結果顯示在擴頻模式下輸出頻譜向下擴展5 00010-6,時鐘發生器在1 mhz處的相位噪聲為-106.93 dbc/hz,峰峰值降落為16.46 db,驗證了本設計的有效性,滿足時鐘發生器的應用要求. 參考文獻 1matsumoto y, fujii k, sugiura a. an analytical method for determining the optimal modulating waveform for dithered clock generatio
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