電力電子技術(shù)及應(yīng)用習(xí)題庫含參考答案一、單選題（共59題，每題1分，共59分）1.帶電感性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路，當(dāng)(____)時(shí)，負(fù)載電流只有正半波部分，出現(xiàn)很大直流分量，電路不能正常工作。A、α≠φB、α＞φC、α＜φD、α=φ正確答案：C2.可以在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收電路，對晶閘管進(jìn)行(____)保護(hù)。A、過電流B、過電壓C、整流D、逆變正確答案：B3.三相可控整流電路中最基本的形式為(____)。A、三相橋式全控整流電路B、十二脈波可控整流電路C、三相半波可控整流電路D、雙反星形可控整流電路正確答案：C4.IGBT的通態(tài)壓降在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有（）溫度系數(shù)。A、正B、負(fù)C、零D、穩(wěn)定正確答案：B5.型號為KS100-8的額定電壓是（）。A、100VB、8VC、80VD、800V正確答案：D6.帶電感性負(fù)載的單相半波可控整流電路中，可以在電路的負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)整流二極管，稱之為(____)。A、續(xù)流二極管B、三極管C、快速晶閘管D、電力晶閘管正確答案：A7.晶閘管的伏安特性曲線分為(____)。A、飽和特性；截止特性B、正向特性；反向特性C、開通特性；關(guān)斷特性D、電壓特性；電流特性正確答案：B8.IGBT是以GTR為主導(dǎo)器件，(____)為驅(qū)動器件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的器件。A、GTOB、SITHC、MOSFETD、SIT正確答案：C9.帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路中，當(dāng)控制角α=(____)時(shí)，輸出電壓波形的正負(fù)面積相等，其電壓平均值為0。A、150°B、90°C、120°D、60°正確答案：B10.雙向晶閘管的型號為KS100-9，其中斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為（）V。A、100B、900C、600D、200正確答案：B11.導(dǎo)通后的晶閘管其通態(tài)壓降(____)左右。A、1VB、150VC、50VD、20V正確答案：A12.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路，接了續(xù)流二極管后，α的移相范圍可以擴(kuò)大到0°～(____)。A、120°B、150°C、90°D、180°正確答案：D13.在分析整流電路工作時(shí)，認(rèn)為晶閘管（開關(guān)器件）為（）。A、半導(dǎo)體器件B、放大器件C、可控硅器件D、理想器件正確答案：D14.以下不是電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展方向的是()。A、智能化B、高效化C、低壓化D、集成化正確答案：C15.三相全控橋可控整流電路，輸出到負(fù)載的平均電壓波形脈動頻率為（）HZ。A、180B、300C、150D、60正確答案：B16.下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、電阻正確答案：A17.整流電路的簡稱為(____)變換。A、AC/DCB、DC/ACC、AC/ACD、DC/DC正確答案：A18.雙向晶閘管有三個(gè)電極，兩個(gè)主電極為T1T2,，還有一個(gè)是(____)。A、門極B、發(fā)射極C、集電極D、基極正確答案：A19.單結(jié)晶體管管內(nèi)有(____)個(gè)PN結(jié)。A、2B、1C、4D、3正確答案：B20.當(dāng)反向電壓超過晶閘管的反向擊穿電壓時(shí)，晶閘管會因（）而損壞。A、反向?qū)˙、硬開通C、正向?qū)―、反向擊穿正確答案：D21.為了克服單相半波可控整流電路電源只工作半個(gè)周期的缺點(diǎn)，可以采用(____)。A、單相橋式全控整流電路B、單相半波半控整流電路C、單相半波可控整流電路D、單相可控整流電路正確答案：A22.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的（）A、截止區(qū)B、飽和區(qū)C、放大區(qū)D、閉合正確答案：A23.在單相全控橋整流電路中，兩對晶閘管的觸發(fā)脈沖，應(yīng)依次相差（）度。A、120度B、360度C、180度D、60度正確答案：C24.三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載，當(dāng)控制角（）時(shí)，整流輸出電壓與電流波形斷續(xù)。A、α＞60度B、α＞30度C、α＞90度D、α≤30度正確答案：B25.使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷只能是()。A、外加反向電壓B、在門極加反向觸發(fā)C、撤除觸發(fā)電流D、使流過晶閘管的電流降到接近于零正確答案：D26.三相半波不可控整流電路是由(____)組成的不可控整流電路。A、晶閘管B、雙向晶閘管C、三極管D、二極管正確答案：D27.帶電阻性負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路，控制角的移相范圍是(____)。A、0°~60°B、0°~90°C、0°~180°D、0°~30°正確答案：C28.晶閘管的關(guān)斷條件(____)。A、要有適當(dāng)?shù)恼蜿枠O電壓B、外加電壓C、有適當(dāng)正向門極電壓D、給陽極加反向電壓或降低正向陽極電壓正確答案：D29.晶閘管的過電壓是指超過正常工作時(shí)晶閘管能夠承受的(____)。A、反向電壓B、最大電壓C、最小電壓D、正向電壓正確答案：B30.晶閘管交流側(cè)過電壓保護(hù)常用措施有（）。A、并聯(lián)阻容吸收電路B、利用閥型避雷器C、具有穩(wěn)壓特性的非線性電阻器D、以上都是正確答案：D31.由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為ITn等于()倍IT（AV）。A、1.57B、3.14C、根號2D、10正確答案：A32.以下哪個(gè)不是晶閘管的電極（）。A、門級B、元極C、陰極D、陽極正確答案：B33.電風(fēng)扇無極調(diào)速電路采用雙向晶閘管構(gòu)成的(____)。A、交流調(diào)壓電路B、穩(wěn)壓電路C、濾波電路D、整流電路正確答案：A34.帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路中，控制角α的最大移相范圍是()。A、0o-90°B、0o-150°C、0o-120°D、0o-180°正確答案：D35.改變頻率的電路稱為（)。A、整流電路B、調(diào)壓電路C、變相電路D、變頻電路正確答案：D36.逆導(dǎo)晶閘管具有正向壓降小，關(guān)斷時(shí)間短，高溫特性好，（）等優(yōu)點(diǎn)。A、高溫特性差B、關(guān)斷時(shí)間長C、額定結(jié)溫高D、正向壓降大正確答案：C37.三相橋式全控整流電路中的單寬脈沖觸發(fā)方式，即脈沖寬度大于（），小于120°，一般取80°～100°。A、90°B、30°?C、120°D、60°?正確答案：D38.下面哪個(gè)不屬于晶閘管的電極(____)。A、柵極B、陰極C、陽極D、門極正確答案：A39.帶電感性負(fù)載的單相橋式全控整流電路中，續(xù)流二極管VDR的作用是以下哪些？①去掉輸出電壓的負(fù)值②擴(kuò)大移相范圍③變換電壓④隔離一、二次側(cè)。(____)。A、①②B、③④C、①②③④D、②③④正確答案：A40.調(diào)光燈電路中，單結(jié)晶體管和(____)是決定燈泡能否調(diào)節(jié)亮度的關(guān)鍵。A、電壓B、電容C、電阻D、電抗正確答案：B41.在電流容量較大、要求較高的晶閘管裝置中，為了保證觸發(fā)脈沖具有足夠的功率，常采用（）組成的觸發(fā)電路。A、晶體管B、二極管C、三極管D、晶閘管正確答案：A42.單相橋式全控整流電路屬(____)整流。A、半波B、尖頂波C、全波D、平頂波正確答案：C43.以下哪些負(fù)載屬于電阻性負(fù)載的是（）。A、直流電動勢的電樞B、電感C、蓄電池D、電爐正確答案：D44.比較而言，下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最大的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、晶閘管正確答案：B45.帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路，控制角的移相范圍為(____)。A、0°~150°B、0°~30°C、0°~60°D、0°~90°正確答案：A46.雙向晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有（）層。A、六B、五C、一D、三正確答案：B47.KC04移相集成觸發(fā)器可以輸出兩個(gè)相位相差(____)的窄脈沖。A、180°B、90°C、60°D、120°正確答案：A48.以下不是常見斬波電路的是(____)。A、升壓斬波電路B、升降壓斬波電路C、降壓斬波電路D、穩(wěn)壓電路正確答案：D49.單結(jié)晶體管特性中，η被稱為(____)。A、分流比B、增益C、波形系數(shù)D、分壓比正確答案：D50.電力電子技術(shù)的發(fā)展是以(____)為核心發(fā)展起來的。A、二極管B、晶閘管C、電力晶體管D、電力電子器件正確答案：D51.對于尖峰狀的瞬時(shí)過電壓，通常要在晶閘管兩端并聯(lián)（）對管子進(jìn)行保護(hù)。A、RB、CC、RCD、RL正確答案：C52.單結(jié)晶體管的電極名稱為（）。A、發(fā)射極、柵極、基極B、發(fā)射極、基極、集電極C、發(fā)射極、第一基極、第二基極D、發(fā)射極、控制極、基極正確答案：C53.在實(shí)際選用晶閘管的元件時(shí)，選用元件的額定電壓應(yīng)為實(shí)際電壓工作時(shí)晶閘管所承受的(____)。A、管壓降的2～3倍B、峰值電壓的1～2倍C、峰值電壓的2～3倍D、管壓降的1～2倍正確答案：C54.晶閘管的陽極伏安特性是指(____)。A、門極電壓與門極電流的關(guān)系B、陽極電壓與門極電流的關(guān)系C、陽極電壓與陽極電流的關(guān)系D、門極電壓與陽極電流的關(guān)系正確答案：C55.DC/DC變換電路又被稱為(____)。A、整流電路B、濾波電路C、穩(wěn)壓電路D、斬波電路正確答案：D56.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有（）溫度系數(shù)。A、正B、負(fù)C、零D、穩(wěn)定正確答案：A57.為了讓晶閘管可控整流電感性負(fù)載電路正常工作，應(yīng)在電路中接入（）。A、保險(xiǎn)絲B、電感器C、續(xù)流二極管D、三極管正確答案：C58.絕緣柵雙極型晶體管是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、電阻正確答案：C59.單相可控整流電路最基本的是(____)。A、單相橋式全控整流電路B、單相全波可控整流電路C、單相半波可控整流電路D、單相橋式半控整流電路正確答案：C二、多選題（共30題，每題1分，共30分）1.通常變流電路實(shí)現(xiàn)換流的方式有（）。A、器件換流B、強(qiáng)迫換流C、負(fù)載換流D、電網(wǎng)換流正確答案：ABCD2.晶閘管過電壓保護(hù)方法有(____)。A、進(jìn)線過電流保護(hù)B、直流側(cè)過電壓保護(hù)C、交流側(cè)過電壓保護(hù)D、關(guān)斷過電壓保護(hù)正確答案：BCD3.晶閘管的過電流保護(hù)方法有()。A、直流快速開關(guān)保護(hù)B、交流進(jìn)線電抗器C、快速熔斷器保護(hù)D、限流與脈沖移相保護(hù)正確答案：ABCD4.雙極型器件是指器件內(nèi)部參與導(dǎo)電的是(____)和(____)兩種載流子的半導(dǎo)體器件。A、電壓B、電子C、空穴D、電流正確答案：BC5.電力電子器件的驅(qū)動電路的目的是給器件施加（）的信號，提供控制電路與主電路之間的電氣隔離。A、隔離B、放大C、關(guān)斷D、開通正確答案：BD6.從晶閘管開始承受正向電壓起到晶閘管導(dǎo)通之間的電角度稱為()角，用()表示.A、αB、相位角C、控制角D、導(dǎo)通角正確答案：AC7.電力場效應(yīng)管(MOSFET)的三個(gè)電極為(____)。A、基極B、漏極C、柵極D、源極正確答案：BCD8.常見的全控單極型器件有(____)。A、三極管B、功率場效應(yīng)晶體管C、靜電感應(yīng)晶體管D、二極管正確答案：BC9.正確使用晶閘管應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)？A、嚴(yán)禁用兆歐表檢查晶閘管的絕緣情況B、采取必要的過電流、過電壓等保護(hù)措施C、定期對設(shè)備進(jìn)行維護(hù)D、選擇晶閘管額定電壓、電流時(shí)還應(yīng)留有足夠的安全余量正確答案：ABCD10.常見的雙極型器件有(____)。A、GTRB、GTOC、IGBTD、MOSFET正確答案：AB11.造成逆變失敗的原因有（）等幾種。A、觸發(fā)脈沖丟失或未按時(shí)到達(dá)B、逆變角太小C、逆變橋晶閘管或元件損壞D、供電電源缺相正確答案：ABCD12.晶閘管的正向特性和反向特性分別在第幾象限？(____)。A、第三象限B、第一象限C、第二象限D(zhuǎn)、第四象限正確答案：AB13.三相橋式全控整流電路導(dǎo)通的兩只晶閘管必須是()和()各一只。A、共陰極組B、并聯(lián)組C、共陽極組D、串聯(lián)組正確答案：AC14.晶閘管的外形結(jié)構(gòu)有哪兩種？(____)。A、螺栓式B、螺旋式C、平板式D、直板式正確答案：AC15.在晶閘管型號KP200-8B中，200和8分別代表(____)。A、額定電流B、額定電壓C、管壓降D、閘流特性正確答案：AB16.當(dāng)負(fù)載為大電感負(fù)載，如不加續(xù)流二極管時(shí)，在電路中出現(xiàn)觸發(fā)脈沖丟失時(shí)（）電路會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。A、單相橋式半控整流橋B、單相橋式全控整流橋C、三相橋式半控整流橋D、三相橋式全控整流橋正確答案：AC17.SPWM脈寬調(diào)制型變頻電路的基本原理是：對逆變電路中開關(guān)器件的通斷進(jìn)行有規(guī)律的調(diào)制，使輸出端得到（）脈沖列來等效（）。A、正弦波B、等寬不等高C、等高不等寬D、方波正確答案：AC18.三相橋式全控整流電路是由一組（）三只晶閘管和一組（）的三只晶閘管串聯(lián)后構(gòu)成的A、共陽極B、逆串C、順串D、共陰極正確答案：AD19.直流電動機(jī)調(diào)速系統(tǒng)各組成部分有（）A、保護(hù)電路B、檢測電路C、主電路D、觸發(fā)控制電路正確答案：ABCD20.電風(fēng)扇無級調(diào)速系統(tǒng)包括(____)。A、保護(hù)電路B、雙向晶閘管C、觸發(fā)電路D、主電路正確答案：ABCD21.根據(jù)對輸出電壓平均值進(jìn)行控制的方法不同，直流斬波電路可有（）控制方式。A、“PFM”調(diào)制B、“PSM”調(diào)制C、“PWM”調(diào)制D、混合調(diào)制正確答案：ACD22.以下是集成觸發(fā)電路的是(____)。A、單結(jié)晶體管觸發(fā)器B、KC04移相觸發(fā)器C、KJ004移相觸發(fā)器D、KJ041移相觸發(fā)器正確答案：BCD23.電力場效應(yīng)管（MOSFET）按柵極電壓幅值可分為(____)。A、增強(qiáng)型B、N溝道C、耗盡型D、P溝道正確答案：AC24.直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有（）。A、降壓斬波電路B、升壓斬波C、恒壓斬波D、平波斬波正確答案：AB25.單結(jié)晶體管的伏安特性是指(____)與(____)之間的關(guān)系。A、集電極電壓B、發(fā)射極電壓C、發(fā)射極電流D、集電極電流正確答案：BC26.以下是電阻性負(fù)載的是(____)。A、電爐B、白熾燈C、電解D、電焊正確答案：ABCD27.晶閘管型號KP200-8B的含義為(____)。A、額定電流200AB、額定電壓800VC、管壓降0.4～0.5D、額定電流900A正確答案：ABC28.雙向晶閘管的伏安特性曲線主要集中在（）象限。A、第四象限B、第三象限C、第一象限D(zhuǎn)、第二象限正確答案：BC29.以下是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)優(yōu)點(diǎn)的是(____)。A、驅(qū)動功率小B、開關(guān)速度快C、飽和壓降低D、安全工作區(qū)域?qū)捳_答案：ABCD30.以下哪幾項(xiàng)是逆導(dǎo)晶閘管與普通晶閘管相比的優(yōu)勢。(____)。A、關(guān)斷時(shí)間短B、高溫特性好C、外形美觀D、便宜正確答案：AB三、判斷題（共30題，每題1分，共30分）1.三相半波不可控整流電路中的三個(gè)二極管輪流導(dǎo)通，導(dǎo)通角均為120°。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A2.三相橋式全控整流電路要保證兩只晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖一般可采用脈沖列觸發(fā)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B3.三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動頻率是120HZ。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B4.電力MOSFET根據(jù)導(dǎo)電溝道分為A溝道和N溝道。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B5.為了克服單相半波可控整流電路電源只工作半個(gè)周期的缺點(diǎn)，可以采用三相橋式全控整流電路。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B6.光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長的光照信號來代替電信號對器件進(jìn)行觸發(fā)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A7.變流裝置其功率因數(shù)的高低與電路負(fù)載阻抗的性質(zhì)，無直接關(guān)系。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A8.三相交流調(diào)壓電路是由三個(gè)等電位的單相交流調(diào)壓電路組成。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B9.普通二極管導(dǎo)通的條件是陽極電位高于陰極電位。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A10.選用晶閘管元件的額定電壓應(yīng)為實(shí)際工作時(shí)晶閘管所承受的峰值電壓的2～3倍。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A11.三相半波可控整流電路中，變壓器一次側(cè)接成三角形，二次側(cè)接成星形得到中線。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A12.電阻性負(fù)載兩端電壓電流允許突變。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A13.電力晶體管（GTR）的輸出特性分截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A14.帶電感性負(fù)載的單相半波可控整流電路中，負(fù)載兩端并聯(lián)續(xù)流二極管后，電流波形連續(xù)近似一條直線。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15.觸發(fā)普通晶閘管的觸發(fā)脈沖，