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文檔簡介

mAVRWVRDmAVRWVRD測正向特性測反向特性二、二極管的伏安特性正向電壓：陽極高電位陰極低電位反向電壓：陰極高電位陽極低電位PN正向電流反向電流二極管理論伏安特性曲線OD段稱為正向特性。OC段，正向電壓較小(小于0.5V)，正向電流非常小，只有當正向電壓超過某一數值時，才有明顯的正向電流，這個電壓稱為死區電壓，亦稱開啟電壓。CD段，當正向電壓大于死區電壓后，正向電流近似以指數規律迅速增長，二極管呈現充分導通狀態。1

正向特性ADCBiDuDOUBRADCBiDuDoUBROB段稱為反向特性。這時二極管加反向電壓，反向電流很小。當溫度升高時，半導體中本征激發增加，是少數載流子增多，故反向電流增大，特性曲線向下降。3反向擊穿特性BA段稱為反向擊穿特性當二極管外加反向電壓大于一定數值時，反向電流突然劇增，稱為二極管反向擊穿。2反向特性二極管理論伏安特性曲線小結：二極管的伏安特性硅管0.5V,鍺管0.1V。反向擊穿電壓U(BR)導通壓降

外加電壓大于死區電壓二極管才能導通。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向導電性。正向特性反向特性特點：非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3VUI死區電壓PN+–PN–+

反向電流在一定電壓范圍內保持常數。

半導體二極管iDouD20406080100(mA)(v)-40-80-0.1-0.20.40.82AP15的伏安特性曲線2CP1020的伏安特性曲線~iDouD-200-10020406080100-10-30-2075℃20℃(mA)(v)(μA)12

材料開啟電壓（V）導通電壓（V）反向飽和電流（μA）硅（Si）≈0.50.6~1<0.1鍺（Ge）≈0.10.2~0.5

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