發(fā)電機(jī)滅磁及轉(zhuǎn)子過(guò)電壓保護(hù)裝置技術(shù)條件2部分非線性電阻(征求意見稿)目??次前??言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語(yǔ)和定義 1技術(shù)要求 4試驗(yàn) 5技術(shù)文件 8包裝、運(yùn)輸和貯存 8I發(fā)電機(jī)滅磁及轉(zhuǎn)子過(guò)電壓保護(hù)裝置技術(shù)條件第2部分:非線性電阻范圍（以下簡(jiǎn)稱發(fā)電機(jī)本文件適用于單片額定容量為10kJ及以上的非線性電阻。規(guī)范性引用文件（包括所有的修改單）GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫GB/T2423.3環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab：恒定濕熱試驗(yàn)GB/T2423.4 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db：交變濕熱(12h+12h循環(huán))GB/T2423.6 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則：碰撞GB/T2423.10 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc：振動(dòng)（正弦）GB/T2423.22 環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化DL/T489 大中型水輪發(fā)電機(jī)靜止整流勵(lì)磁系統(tǒng)試驗(yàn)規(guī)程DL/T583 大中型水輪發(fā)電機(jī)靜止整流勵(lì)磁系統(tǒng)技術(shù)條件術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1非線性電阻Non-linearresistor具有非線性伏安特性的電阻，主要有氧化鋅和碳化硅兩類。3.2氧化鋅閥片ZnOvaristordisc采用氧化鋅為主體材料制成的圓柱形或圓環(huán)形非線性電阻單元。3.3碳化硅閥片SiCvaristordisc采用碳化硅為主體材料制成的圓柱形或圓環(huán)形非線性電阻單元。3.41非線性系數(shù)βcoefficientβofnon-linerβ1,碳化硅閥2。UCI式中：I——流過(guò)非線性電阻的電流，A；U——非線性電阻兩端電壓，V；UU=CIUC1AΩ；β——非線性系數(shù)，0＜β＜1。UU=CIUU0 10A I I圖1氧化鋅閥片伏安特性 圖2碳化硅閥片伏安特性3.5壓敏電壓UnmA

sensitivityvoltage10mA110A2。3.6荷電率Qratioofpeakvoltage在規(guī)定條件下，氧化鋅非線性電阻兩端承受電壓的峰值與壓敏電壓之比。3.7壓敏電壓變化率RvarietyrateofsensitivityvoltageU非線性電阻經(jīng)能量沖擊或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的壓敏電壓變化Δ 與能量沖擊前或運(yùn)行前的壓敏電壓UnmAU之比。用下式表示：UnmARΔUnmA100%UnmA3.82額定能容量En nominalcapacityofenergy100A5（15分鐘）10%的容量值。3.9殘壓比ηratioofsensitivityvoltage100A

η=U100A/U10mAη=U100A/U10A3.10泄漏電流ILleakagecurrent在氧化鋅閥片兩端施以0.5倍壓敏電壓時(shí)流過(guò)閥片的電流。3.11均能系數(shù)KEcoefficientsofenergysharingmmKEi1 100%mwmaxm式中：m——m條并聯(lián)支路吸收能量之和；i1wmax——并聯(lián)支路中吸收能量的最大值。3.12壓敏電壓溫度系數(shù)kTvoltagetemperaturecoefficient10mA10ATk(UaUb)/Ua100%TTaTb式中：Ua——25℃下的閥片兩端電壓值，V；Ub——最大允許溫度下的閥片兩端電壓值，V；Ua3bUb技術(shù)要求使用環(huán)境a)環(huán)境溫度：-40℃～+40℃。相對(duì)濕度：+40℃±290%（無(wú)凝露。2000m2000m1表1高度修正系數(shù)海拔額定修正系數(shù)m額定容量額定電壓20001.001.0026000.940.9539000.7680.80非線性電阻閥片的兩個(gè)表面應(yīng)該是兩個(gè)平行的平面，不應(yīng)有肉眼可見的形變和機(jī)械損傷，表面電極和邊緣涂敷應(yīng)均勻，無(wú)雜質(zhì)、氣泡、劃傷。1MΩ。DL/T5830.10.55。壓敏電壓用額定能容量對(duì)非線性電阻閥片進(jìn)行沖擊，能容量沖擊試驗(yàn)后應(yīng)滿足下列要求：3h～4h內(nèi)，壓敏電壓變化率不應(yīng)大于±10%。24h后，壓敏電壓變化率不應(yīng)大于5%。156h～8h內(nèi),壓敏電壓變化率不應(yīng)大于±10%。用額定能容量對(duì)非線性電阻閥片進(jìn)行沖擊，不應(yīng)出現(xiàn)炸裂、擊穿、閃絡(luò)現(xiàn)象。經(jīng)能量沖擊、穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)后，外觀檢查不應(yīng)有可見損傷，壓敏電壓變化率不應(yīng)大于±10%。60%。滅磁用非線性電阻能容量應(yīng)滿足下列要求：20%21：1能量模擬試驗(yàn)，試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)滿足設(shè)計(jì)要求。U/A1.4U/A26。450μA100A。9080%。溫升120K。對(duì)閥片連續(xù)兩次（15）120K。0.1%/℃，氧化鋅壓敏電壓溫度系數(shù)一般為正。15試驗(yàn)試驗(yàn)環(huán)境若無(wú)特殊規(guī)定，試驗(yàn)應(yīng)滿足以下條件：a)溫 度：-40℃～40℃。90%（無(wú)凝露。氣 壓：86kPa-106kPa(860mbar-1060mbar)。型式試驗(yàn)32。出廠試驗(yàn)非線性電阻出廠時(shí)必須進(jìn)行出廠試驗(yàn)。試驗(yàn)項(xiàng)目見下表2。表2非線性電阻試驗(yàn)要求序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目名稱型式試驗(yàn)樣品數(shù)量型式試驗(yàn)出廠試驗(yàn)1外觀檢查10片√√2絕緣耐壓試驗(yàn)滅磁組件√√3壓敏電壓10片√√4泄漏電流10片√√5額定能容量10片√√6非線性系數(shù)滅磁組件√√7均能系數(shù)滅磁組件√8溫度系數(shù)5片√√9振動(dòng)和碰撞5片√10壓敏電壓變化率5片√√11殘壓比5片√√12滅磁能容量滅磁組件√√13能容量沖擊5片√現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)非線性電阻在現(xiàn)場(chǎng)時(shí)應(yīng)進(jìn)行交接試驗(yàn)、定期檢修試驗(yàn)，試驗(yàn)項(xiàng)目見表3.表3非線性電阻試驗(yàn)要求序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目名稱交接試驗(yàn)A/B級(jí)檢修C級(jí)檢修51外觀檢查√√√2絕緣耐壓試驗(yàn)√√d3氧化鋅壓敏電壓*ddd4氧化鋅泄漏電流*ddd5整組試驗(yàn)√√d注1：√必做試驗(yàn)；d可選試驗(yàn);*一般只在經(jīng)過(guò)較嚴(yán)重工況滅磁或停機(jī)三個(gè)月以上時(shí)進(jìn)行。注2：試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)記錄試驗(yàn)場(chǎng)所的環(huán)境溫度和濕度試驗(yàn)方法外觀檢查試驗(yàn)用目測(cè)法檢查外觀。絕緣和耐壓試驗(yàn)絕緣、耐壓試驗(yàn)的電壓值及試驗(yàn)方法按照DL/T489規(guī)定執(zhí)行。非線性系數(shù)β測(cè)量I、電流IU1Uβlog(U1/U2)log(I1/I2)式中：1110；221I1；2I2；壓敏電壓的檢測(cè)10mA（氧化鋅）10A(碳化硅)時(shí)，測(cè)量并記錄非線性電阻兩端的電壓。壓敏電壓變化率測(cè)量穩(wěn)態(tài)濕熱對(duì)壓敏電壓變化率影響試驗(yàn)方法如下：25±160%下,測(cè)量并記錄閥片兩端電壓。90%，160120min-40120min注：具體的試驗(yàn)方法參見GB2423.2、GB2423.3、GB2423.4執(zhí)行。GB/T2423.22（Na）試驗(yàn)方法共試驗(yàn)45min3h4h振動(dòng)和碰撞試驗(yàn)將非線性電阻固定在頻率為（10-55）Hz5g110g16ms（0.66-1.33）Hz6下,碰撞（1000±10）次。注：具體的試驗(yàn)方法參見GB2423.6、GB2423.10執(zhí)行。額定能容量測(cè)量在(2±)℃條件下，參照?qǐng)D3，對(duì)非線性電阻進(jìn)行沖擊并記錄壓敏電壓（U、電流時(shí)間（t。按下式計(jì)算非線性電阻所吸收的能量。1W0UIdt1式中：W－－能量，kJ；U－－非線性電阻兩端電壓，V；I－－流過(guò)非線性電阻的電流，A；t－－電流沖擊時(shí)間，s；注：儀器測(cè)量誤差不大于±5%，電流沖擊時(shí)間不大于1s。能量沖擊試驗(yàn)同5.5.7。殘壓比測(cè)量100A泄漏電流檢測(cè)10mA50%電壓下，測(cè)取串100A。均能系數(shù)測(cè)量按照5.5.7進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)過(guò)程中測(cè)量并記錄各支路吸收能量值。壓敏電壓溫度系數(shù)測(cè)量同5.5.5a)。能量模擬試驗(yàn)1：13，記錄試驗(yàn)數(shù)據(jù)和錄制波形。7斷路器二極管分壓器斷路器二極管分壓器分流器分壓器分流器待測(cè)閥片保護(hù)閥片電感保護(hù)閥片圖3 1：1模擬試驗(yàn)回路示意圖空載和負(fù)載工況下的滅磁試驗(yàn)按照DL/T4