模擬電子技術試題及參考答案一、單選題（共103題，每題1分，共103分）1.共射放大電路輸出波形出現上削波，說明電路出現了飽和失真。（）A、錯B、對:正確答案：A2.N型半導體中的多數載流子是（）A、自由電子B、負離子C、空穴D、正離子正確答案：A3.共射組態的放大電路，如果輸出波形出現下削波，一定發生了截止失真。A、錯誤B、正確;正確答案：A4.共模信號和差模信號都是電路傳輸和放大的有用信號。（）A、錯B、對:正確答案：A5.本征半導體中摻入五價雜質元素后，生成N型半導體，其多子是自由電子載流子。（）A、對:B、錯正確答案：A6.共射放大電路輸出波形出現上削波,說明電路出現了飽和失真。()A、正確;B、錯誤正確答案：B7.NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形頂部出現失真為（）失真。A、截止B、頻率C、飽和D、交越正確答案：A8.共集電極放大電路的輸入信號與輸出信號，相位差為180°的反相關系。（）A、對:B、錯正確答案：B9.P型半導體是在本征半導體中摻入微量的（）價雜質元素構成的。A、六價B、三價C、四價D、五價正確答案：B10.二極管只要發生擊穿現象，一定會造成二極管的永久性損壞。（）A、錯B、對:正確答案：A11.晶體管的電流放大倍數通常等于放大電路的電壓放大倍數。()A、正確;B、錯誤正確答案：B12.P型半導體中的多數載流子是（）A、正離子B、空穴C、自由電子D、負離子正確答案：B13.集成運放不但能處理交流信號，也能處理直流信號。（）A、錯B、對:正確答案：B14.集成運算放大器的反饋深度|1+AF|=0時,運放處于()A、深度負反饋B、正反饋C、負反饋D、自激振蕩正確答案：D15.N型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、三價;B、四價;C、六價。D、五價;正確答案：D16.P溝道場效應管的電流ID是由溝道中的()在漏源極之間電場作用下形成的。A、自由電子;B、空穴;C、電子和空穴;D、負離子正確答案：B17.雙極三極管是一種（）A、電流控制的電流源B、電流控制的電壓源C、電壓控制的電壓源D、電壓控制的電流源正確答案：A18.晶體三極管各種組態的放大電路，輸入、輸出均為反相關系。（）A、錯B、對:正確答案：A19.若分壓偏置式共射放大電路的上偏流電阻RB1短路，則電路中晶體三極管處于（）。A、截止狀態；B、飽和狀態；C、放大狀態。正確答案：B20.射極輸出器的特點是（）A、只有電壓放大而沒有電流放大，輸出電阻小、輸入電阻大B、只有電流放大而沒有電壓放大，輸出電阻大、輸入電阻小C、既有電流放大也有電壓放大，輸出電阻小、輸入電阻大D、只有電流放大而沒有電壓放大，輸出電阻小、輸入電阻大正確答案：D21.本征半導體中摻入五價雜質元素，會生成P型半導體，其多子是空穴載流子。A、錯誤B、正確;正確答案：A22.測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,說明此三極管處在()。A、放大區;B、飽和區;C、截止區;D、反向擊穿區。正確答案：A23.晶體三極管的B極是它的()。A、基極B、集電極C、發射極D、柵極正確答案：A24.PN結兩端加正向偏置電壓時，其正向電流是由（）而成。A、少子擴散B、少子漂移C、多子擴散D、多子漂移正確答案：C25.分壓式偏置共發射極放大電路是一種能夠穩定靜態工作點的放大器。()A、錯誤B、正確;正確答案：B26.分壓式偏置的共射放大電路，若VB點電位偏高，電路易出現（）。A、截止失真B、飽和失真C、交越失真D、不會失真正確答案：B27.理想集成運放的兩個重要結論是（）。A、虛短與虛地；B、虛斷與虛短；C、斷路與短路。正確答案：B28.共發射極放大電路的反饋元件是（）。A、電阻RB；B、電阻RE；C、電阻RC。正確答案：B29.晶體三極管的輸出特性曲線上可分為（）A、恒流區、飽和區、截止區和擊穿區四個分區B、死區、正向導通區、反向截止區和反向擊穿區四個分區C、放大區、飽和區和截止區三個分區D、恒流區、放大區和截止區三個分區正確答案：C30.N溝道場效應管的電流ID是由溝道中的（）在漏源極之間電場作用下形成的。A、電子；B、電子和空穴。C、空穴；正確答案：A31.集成運放工作在線性應用電路時的分析依據是（）兩個重要概念。A、虛短和虛地B、線性和非線性C、虛斷和虛地D、虛短和虛斷正確答案：D32.國產集成運放有三種封閉形式，目前國內應用最多的是（）。A、雙列直插式。B、圓殼式；C、扁平式；正確答案：A33.雪崩擊穿和齊納擊穿都是場效應式的電擊穿，不會損壞二極管。（）A、對:B、錯正確答案：B34.基極電流iB的數值較大時，易引起靜態工作點Q接近（）。A、截止區；B、飽和區；C、死區。正確答案：B35.集成運放電路采用直接耦合方式是因為()A、可防止交越失真的產生B、可獲得很大的放大倍數C、集成工藝難于制造大容量電容D、可最大限度的減小零點漂移正確答案：C36.射極輸出器的輸出電阻小,說明該電路的()A、減輕前級或信號源負荷。B、帶負載能力強;C、帶負載能力差;正確答案：B37.單極型半導體器件是()。A、雙極型三極管B、場效應管C、穩壓管D、二極管正確答案：B38.差分放大電路能夠有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、正確;B、錯誤正確答案：A39.集成運放的非線性應用存在（）現象。A、虛地；B、虛斷；C、虛斷和虛短。正確答案：B40.晶體三極管超過()所示極限參數時,必定被損壞。A、集電極最大允許電流ICM;B、集—射極間反向擊穿電壓U(BR)CEO;C、集電極最大允許耗散功率PCM;D、管子的電流放大倍數。正確答案：C41.PN結兩端加正向電壓時,其正向電流是()而成。A、少子擴散B、多子漂移C、多子擴散D、少子漂移正確答案：C42.基本放大電路中的主要放大對象是（）。A、直流信號；B、交流信號；C、交直流信號均有。正確答案：B43.NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形出現底削波時的失真為（）失真。A、交越B、截止C、飽和D、頻率正確答案：C44.“虛短”和“虛斷”兩個重要概念，無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。（）A、對:B、錯正確答案：B45.基極電流iB的數值較小時,易引起靜態工作點Q接近()。A、截止區;B、飽和區;C、死區D、非線性區正確答案：A46.差動放大電路能夠有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、對:B、錯正確答案：A47.若在本征硅中摻入適量的五價雜質元素，就可生成多子為自由電子的N型半導體。A、正確;B、錯誤正確答案：A48.晶體三極管的極是它的()。A、集電極B、發射極C、基極D、柵極正確答案：B49.射極輸出器的特點是()A、只有電流放大而沒有電壓放大,輸出電阻小、輸入電阻大B、只有電流放大而沒有電壓放大,輸出電阻大、輸入電阻小C、只有電壓放大而沒有電流放大,輸出電阻小、輸入電阻大D、既有電流放大也有電壓放大,輸出電阻小、輸入電阻大正確答案：A50.NPN型三極管用于放大時，應使發射結、集電結處于（）。A、發射結反偏、集電結正偏B、發射結正偏、集電結反偏C、發射結反偏、集電結反偏D、發射結正偏、集電結正偏正確答案：B51.“虛短”和“虛斷”兩個重要概念，無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。A、正確;B、錯誤正確答案：B52.共集放大電路的特點是()A、只有電壓放大而沒有電流放大,輸出電阻小、輸入電阻大B、只有電流放大而沒有電壓放大,輸出電阻小、輸入電阻大C、只有電流放大而沒有電壓放大,輸出電阻大、輸入電阻小D、既有電流放大也有電壓放大,輸出電阻小、輸入電阻大正確答案：B53.N型半導體是在本征半導體中摻入微量的（）價雜質元素構成的。A、六價B、三價C、四價D、五價正確答案：D54.PNP型三極管用于放大時,應使發射結、集電結處于()。A、發射結反偏、集電結正偏B、發射結正偏、集電結正偏C、發射結正偏、集電結反偏D、發射結反偏、集電結反偏正確答案：C55.理想集成運放的輸入電阻為（）。A、不定。B、∞；C、0；正確答案：B56.如果兩個信號,它們的大小相等,相位相反,則它們是()信號。A、共模B、模擬C、差模正確答案：C57.晶體三極管超過（）所示極限參數時，必定被損壞。A、集電極最大允許電流ICM；B、集—射極間反向擊穿電壓U（BR）CEO；C、集電極最大允許耗散功率PCM；D、管子的電流放大倍數。正確答案：C58.放大交流信號，只能采用阻容耦合方式或變壓器耦合方式。（）A、對:B、錯正確答案：B59.絕緣柵型場效應管的輸入電流()。A、為零B、無法判斷C、較小D、較大正確答案：A60.若使晶體三極管具有電流放大能力,必須滿足的外部條件是()A、發射結正偏、集電結反偏;B、發射結正偏、集電結正偏;C、發射結反偏、集電結反偏;D、發射結反偏、集電結正偏。正確答案：A61.正弦電流經過二極管整流后的波形為（）。A、等腰三角波；B、仍為正弦波。C、矩形方波；D、正弦半波；正確答案：D62.NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形底部出現失真為（）失真。A、飽和B、交越C、頻率D、截止正確答案：A63.穩壓二極管的正常工作狀態是()。A、導通狀態;B、任意狀態。C、截止狀態;D、反向擊穿狀態;正確答案：D64.放大電路的集電極電流超過極限值ICM，就會造成管子燒損。（錯）A、錯B、對:正確答案：A65.基本放大電路中,經過晶體管的信號有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正確答案：C66.分壓式偏置共發射極放大電路是一種能夠穩定靜態工作點的放大器。（）A、錯B、對:正確答案：B67.普通放大電路中存在的失真均為交越失真。()A、正確;B、錯誤正確答案：B68.設置靜態工作點的目的是讓交流信號疊加在直流量上全部通過放大器。()A、正確;B、錯誤正確答案：A69.測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，說明此三極管處在（）。A、放大區；B、飽和區；C、截止區；D、反向擊穿區。正確答案：A70.NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形底部出現失真為()失真。A、飽和B、交越C、截止D、頻率正確答案：A71.共發射極放大電路的反饋元件是()。A、電阻RB;B、電阻RE;C、電阻RC。正確答案：B72.PN結的單向導電性只有在外加電壓時才能體現出來。A、錯誤B、正確;正確答案：B73.微變等效電路中不但有交流量,也存在直流量。()A、錯誤B、正確;正確答案：A74.差分放大電路利用其對稱性，可以有效地抑制零點漂移現象。A、錯誤B、正確;正確答案：B75.理想集成運放的兩個重要結論是()。A、虛斷與虛短;B、斷路與短路。C、虛短與虛地;正確答案：A76.場效應管是一種（）A、電流控制的電壓源B、電壓控制的電流源C、電流控制的電流源D、電壓控制的電壓源正確答案：B77.分析集成運放的非線性應用電路時,不能使用的概念是()。A、虛地;B、虛短;C、虛斷。正確答案：B78.射極輸出器的電壓放大倍數等于1，因此它在放大電路中作用不大。（）A、對:B、錯正確答案：B79.因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（）A、對:B、錯正確答案：B80.晶體三極管的集電極和發射極類型相同，因此可以互換使用。（）A、錯B、對:正確答案：A81.射極輸出器是典型的（）。A、電壓并聯負反饋；B、電壓串聯負反饋。C、電流串聯負反饋；正確答案：B82.分壓式偏置的共發射極放大電路中,若VB點電位過高,電路易出現()。A、飽和失真B、截止失真C、晶體管被燒損正確答案：A83.集成運放在開環狀態下，輸入與輸出之間存在線性關系。（）A、錯B、對:正確答案：A84.分壓式偏置的共發射極放大電路中,若VB點電位過高,電路易出現()。A、截止失真;B、飽和失真;C、晶體管被燒損。正確答案：B85.P型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、五價;B、三價;C、六價。D、四價;正確答案：B86.共集電極放大電路的輸入信號與輸出信號,相位差為180°的反相關系。()A、錯誤B、正確;正確答案：A87.若使晶體三極管具有電流放大能力，必須滿足的外部條件是（）A、發射結反偏、集電結正偏。B、發射結正偏、集電結反偏；C、發射結正偏、集電結正偏；D、發射結反偏、集電結反偏；正確答案：B88.場效應管的極是它的()。A、源極B、發射極C、漏極D、柵極正確答案：D89.絕緣柵型場效應管的輸入電流（）。A、較??；B、較大；C、為零；D、無法判斷。正確答案：C90.分壓式偏置的共發射極放大電路中，若VB點電位過高，電路易出現（）。A、截止失真；B、飽和失真；C、晶體管被燒損。正確答案：B91.正常工作在反向擊穿區的特殊二極管是（）。A、光電二極管B、