《模擬電子技術》課件-半導體基礎知識_第1頁
《模擬電子技術》課件-半導體基礎知識_第2頁
《模擬電子技術》課件-半導體基礎知識_第3頁
《模擬電子技術》課件-半導體基礎知識_第4頁
《模擬電子技術》課件-半導體基礎知識_第5頁
已閱讀5頁,還剩1頁未讀 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

模擬電子技術半導體基礎知識導電能力介于導體和絕緣體之間的物質如硅、鍺和砷化鎵等特點:光敏性——制作光敏電阻、光電二極管、光電三極管等熱敏性——熱敏電阻傳感器摻雜特性——制成二極管、三極管、集成電路等Semiconductor

1.半導體純凈的具有單晶體結構的半導體稱為本征半導體,也稱I(Intrinsic)型半導體。

2.本征半導體為了表示原子的內部結構并突出價電子,常把原子核和內層電子看作一個整體,稱為慣性核。

取向一致的晶體,為單晶體。不一致為多晶體注意:半導體材料必須制成單晶體才能用作半導體器件如:晶體二極管晶體三極管(1)兩種載流子電子-空穴對2.本征半導體本征激發:半導體在熱激發下產生成對的自由電子和空穴的現象載流子:承載正電荷可移動的空穴和帶負電的自由電子

在本征半導體中,既有電子載流子,又有空穴載流子,存在兩種載流子是半導體導電的一個重要特征。

本征激發同時產生電子空穴對。外加能量越高(溫度越高),產生的電子空穴對越多。與本征激發相反的現象——復合在一定溫度下,本征激發和復合同時進行,達到動態平衡。電子空穴對的濃度一定。(2)載流子濃度①當T=0K(-273。C)時,ni

=pi

=0,如同絕緣體。②當T>0K,溫度升高時,ni、pi增大,導電能力增強。在室溫時,載流子數目極少,導電能力很差。如何提高導電能力?思考2.本征半導體A半導體材料常數;T熱力學溫度;

Eg價電子擺脫共價鍵束縛所需電離能k玻爾茲曼常數n:Negaticve陰性的p

:

Positive

陽性的i

:

Intrinsic

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論