8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構引言隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸，其外延生長室的結構設計直接關系到外延層的質量和生產效率。本文將詳細介紹一種8英寸單片高溫碳化硅外延生長室的結構及其特點。結構概述8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構主要由以下幾個部分組成：外延生長室、硬質保溫層、導氣管連接器、上游導氣管和下游導氣管。這些部分共同協作，確保在高溫條件下實現高質量、大面積、均勻的SiC外延生長。外延生長室外延生長室是整個結構的核心部分，由感應加熱材料制成，內部形成一個矩形腔室。該腔室中設有一個承載槽，用于裝載8英寸的SiC晶片托盤。外延生長室的兩側分別設置有貫通矩形腔室的進氣口和出氣口，用于引入和排出反應氣體。特別地，外延生長室的上蓋和底盤均呈矩形，并具有矩形腔道，且其四周壁厚度相等。這種設計不僅利于提高感應加熱效率，還能消除因接觸不良而形成的局部“熱點”，改善上蓋與底盤的溫度均勻性。在被加熱后，矩形腔室內的溫度均勻，達到“熱壁”功效，特別適合于大面積、高質量的SiC外延生長。硬質保溫層硬質保溫層緊密包裹在外延生長室的外圍，以減少熱輻射和熱量損失，確保外延生長室在高溫下穩定工作。保溫層對應外延生長室的進氣口和出氣口處分別設置有通孔，這些通孔的尺寸小于進氣口和出氣口的尺寸，以保證密封性能，提高保溫功效。導氣管連接器導氣管連接器設于外延生長室的進氣口處，并伸出于硬質保溫層外。它用于連接上游導氣管，將反應氣體引入外延生長室。導氣管連接器內形成有矩形腔道，其截面形狀及面積與外延生長室中矩形腔室的截面形狀及面積均相同，以確保反應氣體均勻分布。上游導氣管上游導氣管套接于導氣管連接器上，用于引導反應氣體在進入外延生長室之前呈層流狀態。這種設計可以確保反應氣體在外延生長室內的均勻分布，提高外延層的質量。上游導氣管同樣呈矩形，具有與外延生長室矩形腔室相同的截面形狀及面積。下游導氣管下游導氣管設于外延生長室的出氣口處，并伸出于硬質保溫層外，用于引導尾氣排出。下游導氣管同樣呈矩形，但其截面面積大于外延生長室中矩形腔室的截面面積，以確保尾氣順暢排出。工作原理在使用時，將SiC晶片置于托盤上，并將托盤放置于外延生長室的承載槽內。反應氣體從上游導氣管流入，經過導氣管連接器后進入外延生長室的矩形腔室中。在一定的高溫生長條件下，反應氣體在矩形腔室中發生化學反應，通過擴散、吸附、分解、脫附、再擴散等一系列過程，在位于托盤內的SiC晶片表面進行SiC外延層的生長。尾氣經下游導氣管排出，經過一定生長時間，完成SiC外延生長。優點溫度均勻：由于外延生長室采用矩形腔室設計，且四周壁厚度相等，使得溫度分布更加均勻，提高了外延層的質量。高填充率：上游導氣管的設計使得反應氣體在進入外延生長室之前呈層流狀態，確保了反應氣體的均勻分布，提高了外延層的填充率。易于維護：外延生長室結構安裝簡單，易進行清潔處理，使用起來更加方便。應用廣泛：不僅可用于8英寸單片SiC外延生長，還可通過替換托盤，用于6英寸單片SiC外延生長以及2片和/或3片4英寸SiC外延生長。結論8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構以其獨特的矩形腔室設計、硬質保溫層的保溫效果、導氣管連接器的均勻進氣以及上下游導氣管的順暢排氣，確保了高質量、大面積的SiC外延生長。這種結構不僅提高了外延層的質量和填充率，還使得設備易于維護和清潔，具有廣泛的應用前景。隨著SiC材料在各個領域的廣泛應用，這種高效、穩定的外延生長室結構將成為未來SiC器件制造的重要基礎。高通量晶圓測厚系統高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（TotalThicknessVariation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（TotalIndicatedReading總指示讀數，STIR（SiteTotalIndicatedReading局部總指示讀數），LTV（LocalThicknessVariation局部厚度偏差）等這類技術指標。高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，相比傳統上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數。靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻P型硅(P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多層結構，厚度可從μm級到數百μm級不等。1，可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精