單片機產品設計與調試-基于STM32F1xx機型和HAL庫函數 項目報告3HAL_第1頁
單片機產品設計與調試-基于STM32F1xx機型和HAL庫函數 項目報告3HAL_第2頁
單片機產品設計與調試-基于STM32F1xx機型和HAL庫函數 項目報告3HAL_第3頁
單片機產品設計與調試-基于STM32F1xx機型和HAL庫函數 項目報告3HAL_第4頁
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PAGEPAGE19《單片機產品設計與制作》項目報告項目3、利用按鍵查詢實現參數設定及顯示姓名:學號:

一、任務要求理解開關量/數字量信號的沿采集方法;理解數碼管數值顯示原理;會編寫和調試按鍵查詢與去抖程序;能設計數碼管靜態和動態顯示電路并編寫和調試相應程序;初步理解STM32內部存儲器結構及啟動方式。二、要點記錄及成果檢驗任務3.1方案設計姓名學號日期分數(一)要點記錄1、請畫出系統方框圖。任務3.2電路設計與測試姓名學號日期分數(一)術語記錄英文中文翻譯Segment段Direction(DIR)方向OutputEnable(OE)輸出允許LatchEnable(LE)鎖存允許Common(COM)公共(二)自主設計1、請畫出直聯的兩位數碼管靜態顯示電路,已知數碼管為共陽極。要求使用PB15~PB0連接數碼管。并寫出顯示數字“25”的操作過程。2、用74LVC245驅動的共陰極數碼管靜態顯示電路,要求使用PD15~PD0連接數碼管。并寫出顯示數字“25”的操作過程。3、請上網查找使用三極管做驅動的數碼管靜態或動態顯示電路,并分析其工作原理。4、請上網查找使用7407驅動的數碼管靜態或動態顯示電路,并分析其工作原理。。靜態5、請畫出用74LVC573驅動的兩位數碼管動態顯示電路,如果數碼管采用共陰極,使用PB7~PB0連接數碼管,PB8和PB9做位選,請大家畫電路,寫出顯示數字“68”的操作過程。6、請畫出用74LVC573驅動的兩位數碼管動態顯示電路,如果數碼管采用共陽極,使用PB7~PB0連接數碼管,PB8和PB9做位選,請大家寫出顯示數字“68”的操作過程。7、請畫出用用74LVC245驅動的兩位數碼管動態顯示電路,如果數碼管采用共陰極,請大家寫出顯示數字“68”的操作過程任務3.3程序設計與調試姓名學號日期分數(一)術語記錄英文中文翻譯Segment段Display顯示Set_value設定值Key_Scan按鍵掃描(二)自主設計1、用開發板上的K_UP做加1鍵,K_DOWN做減1鍵,用PD7~PD0控制十位數碼管,PC7~PC0控制個位數碼管,兩個數碼管都是共陰極,用74LVC245做驅動器,畫出電路,編寫程序。2、用開發板上的K_UP做加1鍵,K_DOWN做減1鍵,用PC7~PC0控制兩個數碼管,用PC8做十位選通信號,用PC9做個位選通信號,兩個數碼管都是共陰極,用74LVC245做驅動器,畫出電路,編寫程序。任務3.4STM32軟硬件深入(三)姓名學號日期分數(一)術語記錄英文中文翻譯Block塊Flashmemory閃存Systemmemory系統存儲器SRAM靜態存儲器Peripherals外設(二)簡答1、STM32F103ZET6的FLASH區容量?地址范圍?作用?地址號0x08000000~0x0807FFFF,共512KB,主要用于存用戶程序。2、STM32F103ZET6的SystemMemory區容量?地址范圍?作用?地址0x1FFFF000~0x1FFFF7FF,共2KB。里面存放的是ST出廠時燒寫好的ISP自舉程序(自啟動程序),用戶無法改動。這段程序可以幫助用戶將其編寫的程序下載到Flash。當我們使用各種編程燒錄工具下載程序的時候,需要用到這個程序。3、STM32F103ZET6的System/Flash別名區容量?地址范圍?作用?地址從0x00000000~0x0007FFFF,這個區間的所有地址可以作為Flash或SystemMemory的別名使用。將0x00000000等地址作為SystemMemory的別名,上電復位后就會自動執行系統程序,該程序幫助我們將我們編寫的程序下載到Flash。將0x00000000等地址作為Flash的別名,上電復位后就會自動執行Flash中已經下載好的用戶程序。4、STM32F103ZET6的SRAM區容量?地址范圍?作用?共512MB,地址從0x20000000~0x3FFFFFFF,主要用于進行變量數據的存儲.5、STM32F103ZET6的Peripherals區容量?地址范圍?作用?地址從0x40000000~0x5FFFFFFF,用于為片上外設編址。6、畫出STM32F103ZET6的BOOT0和BOOT1引腳啟動電路,說明其原理。BOO

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