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文檔簡介
第一章電子元器件
第一節、電阻器
1.1電阻器的含義:在電路中對電流有阻礙作用并且造成能量消耗的部分叫電阻.
1.2電阻器的英文縮寫:R(Resistor)及"阻RN
1.3電阻器在電路符號:R-----1|_或—WWW------
1.4電阻器的常見單位:千歐姆(KQ),兆歐姆(MQ)
1.5電阻器的單位換算:1兆歐=1()3千歐=106歐
1.6電阻器的特性:電阻為線性原件,即電阻兩端電壓與流過電阻的電流成正比,通過
這段導體的電流強度與這段導體的電阻成反比。即歐姆定律:I=U/R。
表1.7電阻的作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等。
1.8電阻器在電路中用“R”加數字表示,如:R15表示編號為15的電阻器。
1.9電阻器的在電路中的參數標注方法有3種,即直標法、色標法和數標法。
a、直標法是將電阻器的標稱值用數字和文字符號直接標在電阻體上,其允許偏差則用百
分數表示,未標偏差值的即為±20%.
b、數碼標示法主要用于貼片等小體積的電路,在三為數碼中,從左至右第一,二位數表示
有效數字,第三位表示10的倍累或者用R表示(R表示0.)如:472表示47X102Q(即4.7K
Q);104則表示100KC、;R22表示0.22。、122=1200Q=l.2KQ、1402=14000Q=14KQ、
R22=0.22Q、50c=324*100=32.4KQ、17R8=17.8Q、000=0Q>0=0Q.
c、色環標注法使用最多,普通的色環電阻器用4環表示,精密電阻器用5環表示,緊靠電
阻體一端頭的色環為第一環,露著電阻體本色較多的另一端頭為末環.現舉例如下:
如果色環電阻器用四環表示,前面兩位數字是有效數字,第三位是10的倍帚,第四環是
色環電阻器的誤差范圍(見圖一)
四色環電阻器(普通電阻)
I—懷標林稱恒值弟第一位有刊效雙數雙字子
|—標稱值第二位有效數字
I—標稱值有效數字后0的個數(10的倍累)
||「允許誤差
顏色第一位有效值第二位有效值倍率允許偏差
黑0010°
棕11101±1%
紅22102±2%
橙33103
黃44104
綠55105±0.5%
藍66106±0.25%
紫77I07±0.1%
灰88108
白99109-20%~+50%
金10-1±5%
銀10-2±10%
無色±20%
圖1-1兩位有效數字阻值的色環表示法
如果色環電阻器用五環表示,前面三位數字是有效數字,第四位是10的倍累.第五環
是色環電阻器的誤差范圍.(見圖二)
五色環電阻器(精密電阻)
標稱值第一位有效數字
L標稱值第二位有效數字
標稱值第三位有效數字
廠標稱值有效數字后0的個數(10的倍塞)
F-允許誤差
________
顏色第一位有效值第三位有效第=位有倍’率允許偏差
值效值
黑00010°
棕111101±1%
紅222102±2%
橙333103
黃444104
綠555105±0.5%
藍666106±0.25
紫777107±0.1%
灰888108
白999109?20%?+50%
金10-1±5%
銀10-2±10%
圖1-2三位有效數字阻值的色環表示法
d、SMT精密電阻的表示法,通常也是用3位標示。一般是2位數字和1位字母表示,
兩個數字是有效數字,字母表示10的倍幕,但是要根據實際情況到精密電阻查詢表里出查找.下
面是精密電阻的查詢表:
2
代碼阻值代碼阻值代阻值代碼阻值代碼阻值
碼
coderesiscanecoderesiscanccodresiscancoderesiscanccoderesiscanc
eeceee
110021162412616142281681
210222165422676243282698
310523169432746344283715
410724174442806445384732
511025178452876546485750
611326182462946647586768
711527187473016748787787
811828191483096849988806
9121290.196493166951189825
1012430200503247052390845
11127313205513327153691866
1213032210523407254992887
1313333215533487356293909
1413734221543577457694931
1514035226553657559094981
1614336232563747660495953
171473723757383/3887761996976
1815038243583927863496976
19154392495940279649
20153402556041280665
symbolABcDEFGHXYz
multipliers10°10,10210310,105106107101102103
1.10SMT電阻的尺寸表示:用長和寬表示(如0201,0603,0805,1206等,具體如
02表示長為0.02英寸寬為0.01英寸)。
1.11一般情況下電阻在電路中有兩種接法:串聯接法和并聯接法
電阻的計算:
串連:1_———并聯:
R=R1+R2R=1/R1+1/R2
3
1.12多個電阻的串并聯的計算方法:
串聯:R總串=R1+R2+R3+.......Rn.
并聯:1/R總并=l/R+2/R+3/R.......1/Rn
1.13電阻器好壞的檢測:
a、用指針萬用表判定電阻的好壞:首先選擇測量檔位,再將倍率檔旋鈕置于適當的檔位,一
般100歐姆以下電阻器可選RX1檔,100歐姆-1K歐姆的電阻器可選RX10檔,1K歐姆-10K歐
姆電阻器可選RX100檔,10K-100K歐姆的電阻器可選RX1K檔,100K歐姆以上的電阻器可選
RX10K檔.
b、測量檔位選擇確定后,對萬用表電阻檔為進行校0,校0的方法是:將萬用表兩表筆金屬棒
短接,觀察指針有無到0的位置,如果不在0位置,調整調零旋鈕表針指向電阻刻度的0位置.
c、接著將萬用表的兩表筆分別和電阻器的兩端相接,表針應指在相應的阻值刻度上,如果
表針不動和指示不穩定或指示值與電阻器上的標示值相差很大,則說明該電阻器已損壞.
d、用數字萬用表判定電阻的好壞;首先將萬用表的檔位旋鈕調到歐姆檔的適當檔位,一般
200歐姆以下電阻器可選200檔,200-2K歐姆電阻器可選2K檔,2K-20K歐姆可選20K
檔,20K-200K歐姆的電阻器可選200K檔,200K-200M歐姆的電阻器選擇2M歐姆檔.2M-20M歐
姆的電阻器選擇20M檔,20M歐姆以上的電阻器選擇200M檔.
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第二節電容器
2.1電容器的含義:衡量導體儲存電荷能力的物理量.
2.2電容器的英文縮寫:C(capacitor)
2.3電容器在電路中的表示符號:C--------1|-或CN(排容)
2.4電容器常見的單位:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)
2.5電容器的單位換算:1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮
法;;1pf=10nf=106uf=10mf=1012f;
2.6電容的作用:隔直流,旁路,耦合,濾波,補償,充放電,儲能等
2.7電容器的特性:電容器容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻
礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關。。電容的特性主要是隔直流通交流,通低
頻阻高頻
2.8電容器在電路中一般用“C”加數字表示.如C25表示編號為25的電容.
2.9電容器的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標法、色標法和數標法3種。
a;直標法是將電容的標稱值用數字和單位在電容的本體上表示出來:如:220MF表示
220UF;.01UF表示0.01UF;R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.
b;不標單位的數碼表示法.其中用一位到四位數表示有效數字,一般為PF,而電解電容其容
量則為UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;
c;數字表示法:一般用三為數字表示容量的大小,前兩位表示有效數字,第三位表示10的倍
察.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UF
d:用色環或色點表示電容器的主要參數。電容器的色標法與電阻相同。
電容器偏差標志符號:+100%-0-H>+100%-10%-R>+50%-10%-T、+30%-10%-Q、
+50%-20%-S、+80%-20%-Z。
2.10電容的分類:根據極性可分為有極性電容和無極性電容.我們常見到的電解電容就是有極
性的,是有正負極之分.
2.11電容器的主要性能指標是:電容器的容量(即儲存電荷的容量),耐壓值(指在額定溫度范
圍內電容能長時間可靠工作的最大直流電壓或最大交流電壓的有效值)耐溫值(表示電容所能承
受的最高工作溫度。).
2.12電容器的品牌有:主板電容主要分為臺系和日系兩種,日系品牌有:NICHICON,
RUBICON,RUBYCON(紅寶石)、KZG、SANYO(三洋)、PANASONIC(松下)、NIPPON,
FUJITSU(富士通)等;臺系品牌有:TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON,OST、
GSC、RLS等。
電容器的計算:
并聯:
C=C1+C2
2.13多個電容的串聯和并聯計算公式:
C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+..........+1/CN
C并C=C1+C2+C3+.......+CN
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2.14電容器的好壞測量
a;脫離線路時檢測
采用萬用表RX1k擋,在檢測前,先將電解電容的兩根引腳相碰,以便放掉電容內
殘余的電荷.當表筆剛接通時,表針向右偏轉一個角度,然后表針緩慢地向左回轉,最后表
針停下。表針停下來所指示的阻值為該電容的漏電電阻,此阻值愈大愈好,最好應接近無窮
大處。如果漏電電阻只有幾十千歐,說明這一電解電容漏電嚴重。表針向右擺動的角度越大
(表針還應該向左回擺),說明這一電解電容的電容量也越大,反之說明容量越小。
b.線路上直接檢測
主要是檢測電容器是否已開路或已擊穿這兩種明顯故障,而對漏電故障由于受外電路的
影響一般是測不準的。用萬用表RX1擋,電路斷開后,先放掉殘存在電容器內的電荷。測
量時若表針向右偏轉,說明電解電容內部斷路。如果表針向右偏轉后所指示的阻值很小(接
近短路),說明電容器嚴重漏電或已擊穿。如果表針向右偏后無回轉,但所指示的阻值不很
小,說明電容器開路的可能很大,應脫開電路后進一步檢測。
c.線路上通電狀態時檢測,若懷疑電解電容只在通電狀態下才存在擊穿故障,可以給電
路通電,然后用萬用表直流擋測量該電容器兩端的直流電壓,如果電壓很低或為0V,則是
該電容器已擊穿。對于電解電容的正、負極標志不清楚的,必須先判別出它的正、負極。
對換萬用表筆測兩次,以漏電大(電阻值小)的一次為準,黑表筆所接一腳為負極,另一腳
為正極。
6
第三節電感器
3.1電感器的英文縮寫:L(Inductance)電路符號:
3.2電感器的國際標準單位是:H(亨利),mH(毫亨),uH(微亨),nH(納亨);
3.3電感器的單位換算是:lH=103mH=106uH=l()9nH;lnH=10-3uH=l(y6mH=10-9H
3.4電感器的特性:通直流隔交流;通低頻阻高頻。
3.5電感器的作用:濾波,陷波,振蕩,儲存磁能等。
3.6電感器的分類:空芯電感和磁芯電感.磁芯電感又可稱為鐵芯電感和銅芯電感等.主機板
中常見的是銅芯繞線電感.
3.7電感在電路中常用“L”加數字表示,如:L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣
的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。直流可通過線圈,直流電阻就是導線本身的電阻,
壓降很小;當交流信號通過線圈時,線圈兩端將會產生自感電動勢,自感電動勢的方向與外加
電壓的方向相反,阻礙交流的通過,所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越
大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。電感一般有直標法和色標法,色標法與電阻類似。
如:棕、黑、金、金表示lull(誤差5%)的電感。
3.8電感的好壞測量:電感的質量檢測包括外觀和阻值測量.首先檢測電感的外表有無完好,
磁性有無缺損,裂縫,金屬部分有無腐蝕氧化,標志有無完整清晰,接線有無斷裂和拆傷等.用萬
用表對電感作初步檢測,測線圈的直流電阻,并與原已知的正常電阻值進行比較.如果檢測值比
正常值顯著增大,或指針不動,可能是電感器本體斷路.若比正常值小許多,可判斷電感器本體嚴
重短路,線圈的局部短路需用專用儀器進行檢測.
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第四節半導體二極管
4.1英文縮寫:D(Diode)電路符號是-N—
4.2半導體二極管的分類
分類:a按材質分:硅二極管和錯二極管;
b按用途分:整流二極管,檢波二極管,穩壓二極管,發光二極管,光電二極管,
變容二極管。
------&------ft-
穩壓二極管發光二極管光電二極管變容二極管
4.3半導體二極管在電路中常用“D”加數字表示,如:D5表示編號為5的半導體二極管。
4.4半導體二極管的導通電壓是:
a;硅二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于0.6V時才能導通,導通后電壓保持在0.6-0.8V
之間.
B;信二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于0.2V時才能導通,導通后電壓保持在
0.2-0.3V之間.
4.5半導體二極管主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;
而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。
4.6半導體二極管可分為整流、檢波、發光、光電、變容等作用。
4.7半導體二極管的識別方法:
a;目視法判斷半導體二極管的極性:一般在實物的電路圖中可以通過眼睛直接看出半導體
二極管的正負極.在實物中如果看到一端有顏色標示的是負極,另外一端是正極.
b;用萬用表(指針表)判斷半導體二極管的極性:通常選用萬用表的歐姆檔(R*100或R*
1K),然后分別用萬用表的兩表筆分別出接到二極管的兩個極上出,當二極管導通,測的阻值較小
(一般幾十歐姆至幾千歐姆之間),這時黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負極.
當測的阻值很大(一般為幾百至幾千歐姆),這時黑表筆接的是二極管的負極,紅表筆接的是二極
管的正極.
c;測試注意事項:用數字式萬用表去測二極管時,紅表筆接二極管的正極,黑表筆接二極
管的負極,此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值,這與指針式萬用表的表筆接法剛好相
反。
4.8變容二極管是根據普通二極管內部“PN結”的結電容能隨外加反向電壓的變化而
變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極管。變容二極管在無繩電話機中主要用在手機或座
8
機的高頻調制電路上,實現低頻信號調制到高頻信號上,并發射出去。在工作狀態,變容二極
管調制電壓一般加到負極上,使變容二極管的內部結電容容量隨調制電壓的變化而變化。
變容二極管發生故障,主要表現為漏電或性能變差:
(1)發生漏電現象時,高頻調制電路將不工作或調制性能變差。
(2)變容性能變差時,高頻調制電路的工作不穩定,使調制后的高頻信號發送到對方被對方接
收后產生失真。
出現上述情況之一時,就應該更換同型號的變容二極管。
4.9穩壓二極管的基本知識
a、穩壓二極管的穩壓原理:穩壓二極管的特點就是擊穿后,其兩端的電壓基本保持不變。這
樣,當把穩壓管接入電路以后,若由于電源電壓發生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變
動時,負載兩端的電壓將基本保持不變。
b、故障特點:穩壓二極管的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中,
前一種故障表現出電源電壓升高;后2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。
c、常用穩壓二極管的型號及穩壓值如下表:
型號1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761
穩壓值3.3V3.6V3.9V4.7V5.IV5.6V6.2V15V27V30V75V
4.10半導體二極管的伏安特性:二極管的基本特性是單向導電性(注:硅管的導通電壓為
0.6-0.8V;楮管的導通電壓為0.2—0.3V),而工程分析時通常采用的是0.7V.
4.11半導體二極管的伏安特性曲線:(通過二極管的電流1與其兩端電壓U的關系曲線為二極
管的伏安特性曲線。)見圖三.
9
圖三形和錨管的伏安特性曲線
9
4.12半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R*100或R*1K檔測量二極管的正,
反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,
越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若
反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使
用。
10
第五節半導體三極管
5.1半導體三極管英文縮寫:Q/T
5.2半導體三極管在電路中常用“Q”加數字表示,如:Q17表示編號為17的三極管。
5.3半導體三極管特點:半導體三極管(簡稱晶體管)是內部含有2個PN結,并且具有放
大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型,這兩種類型的三極管從工作特性上可互相
彌補,所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。
B(基極)
NPN型三極管PNP型三極管
5.4半導體三極管放大的條件:要實現放大作用,必須給三極管加合適的電壓,即管子
發射結必須具備正向偏壓,而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條
件。
5.5半導體三極管的主要參數
a;電流放大系數:對于三極管的電流分配規律Ie=Ib+Ic,由于基極電流lb的變化,使
集電極電流Ic發生更大的變化,即基極電流lb的微小變化控制了集電極電流較大,這就是三
極管的電流放大原理。即6=AIc/AIb?
b;極間反向電流,集電極與基極的反向飽和電流。
c;極限參數:反向擊穿電壓,集電極最大允許電流、集電極最大允許功率損耗。
5.6半導體三極管具有三種工作狀態,放大、飽和、截止,在模擬電路中一般使用放大作
用。飽和和截止狀態一般合用在數字電路中。
a;半導體三極管的三種基本的放大電路。
II
12
b;三極管三種放大電路的區別及判斷可以從放大電路中通過交流信號的傳輸路徑來判斷,沒
有交流信號通過的極,就叫此極為公共極。
注:交流信號從基極輸入,集電極輸出,那發射極就叫公共極。
交流信號從基極輸入,發射極輸出,那集電極就叫公共極。
交流信號從發射極輸入,集電極輸出,那基極就叫公共極。
5.7用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).
a;先選量程:R*100或R*1K檔位.
b;判別半導體三極管基極:
用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極,紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極,
觀察指針偏轉,若兩次的測量阻值都大或是都小,則改腳所接就是基極(兩次阻值都小的
為NPN型管,兩次阻值都大的為PNP型管),若兩次測量阻值一大一小,則用黑筆重新固定
半導體三極管一個引腳極繼續測量,直到找到基極。
c;.判別半導體三極管的c極和e極:
確定基極后,對于NPN管,用萬用表兩表筆接三極管另外兩極,交替測量兩次,若兩次
測量的結果不相等,則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極,紅筆接得是c極(若是
PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反)。
d;判別半導體三極管的類型.
如果已知某個半導體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個電
極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導體三極管,如果測量的電阻值都很小,
則該三極管是PNP型半導體三極管.
5.8現在常見的三極管大部分是塑封的,如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e?
三極管的b極很容易測出來,但怎么斷定哪個是c哪個是e?
a;這里推薦三種方法:第一種方法:對于有測三極管hFE插孔的指針表,先測出b極后,
將三極管隨意插到插孔中去(當然b極是可以插準確的),測一下hFE值,
b;然后再將管子倒過來再測一遍,測得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。
第二種方法:對無hFE測量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對NPN
管,先測出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出,是吧?),將表置于RXlkQ
檔,將紅表筆接假設的e極(注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳),黑表筆接假設的c極,
同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,將管子拿起來,用你的舌尖舔一下b極,看表頭指針應有
一定的偏轉,如果你各表筆接得正確,指針偏轉會大些,如果接得不對,指針偏轉會小些,差
別是很明顯的。由此就可判定管子的c、e極。對PNP管,要將黑表筆接假設的e極(手不要碰
到筆尖或管腳),紅表筆接假設的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,然后用舌尖舔一下
b極,如果各表筆接得正確,表頭指針會偏轉得比較大。當然測量時表筆要交換一下測兩次,
13
比較讀數后才能最后判定。這個方法適用于所有外形的三極管,方便實用。根據表針的偏轉幅
度,還可以估計出管子的放大能力,當然這是憑經驗的。
c;第三種方法:先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后,將表置于RX10kQ檔,對NPN管,
黑表筆接e極,紅表筆接c極時,表針可能會有一定偏轉,對PNP管,黑表筆接c極,紅表筆
接e極時,表針可能會有一定的偏轉,反過來都不會有偏轉。由此也可以判定三極管的c、e極。
不過對于高耐壓的管子,這個方法就不適用了。
對于常見的進口型號的大功率塑封管,其c極基本都是在中間(我還沒見過b在中間的)。
中、小功率管有的b極可能在中間。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號三極管、
2SC1815.2N540R2N5551等三極管,其b極有的在就中間。當然它們也有c極在中間的。所
以在維修更換三極管時,尤其是這些小功率三
極管,不可拿來就按原樣直接安上,一定要先測一下.
14
5.9半導體三極管的分類:a;按頻率分:高頻管和低頻管
b;按功率分:小功率管,中功率管和的功率管
c;按機構分:PNP管和NPN管
d;按材質分:硅管和錯管
e;按功能分:開關管和放大
5.10半導體三極管特性:三極管具有放大功能(三極管是電流控制型器件一通過基極電
流或是發射極電流去控制集電極電流;又由于其多子和少子都可導電稱為雙極型元件)
NPN型三極管共發射極的特性曲線。
輸出特性曲線
三極管各區的工作條件:
1.放大區:發射結正偏,集電結反偏:
2.飽和區:發射結正偏,集電結正偏;
3.截止區:發射結反偏,集電結反偏。
5.11半導體三極管的好壞檢測
a;先選量程:R*100或R*1K檔位
b;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值:
紅表筆接基極,黑表筆接發射極,所測得阻值為發射極正向電阻值,若將黑表筆接集電
極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.
c;測量PNP型半導體三極管的發射極和集電極的反向電阻值:
將黑表筆接基極,紅表筆分別接發射極與集電極,所測得阻值分別為發射極和集電極的
反向電阻,反向電阻愈小愈好.
d;測量NPN型半導體三極管的發射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導體三
極管的方法相反.
15
第六節場效應管(MOS管)
6.I場效應管英文縮寫:FET(Field-effecttransistor)
6.2場效應管分類:結型場效應管和絕緣柵型場效應管
6.3場效應管電路符號:
6.4場效應管的三個引腳分別表示為:G(柵極),D(漏極),S(源極)
JD
J1
^
4S
增
型
強耗盡型
溝道
N溝道P
N溝道P溝道
注:場效應管屬于電壓控制型元件,又利用多子導電故稱單極型元件,且具有輸入電阻高,
噪聲小,功耗低,無二次擊穿現象等優點。
6.5場效應晶體管的優點:具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取
電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出
電源的半導體。
6.6場效應管與晶體管的比較
(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流
的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選
用晶體管。
(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流
子,也利用少數教流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把
很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管
6.7場效應管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S
極,用手同時觸及一下G,D極,場效應管應呈瞬時導通狀態,即表針擺向阻值較小的位置,再用手
16
觸及一下G,S極,場效應管應無反應,即表針回零位置不動.此時應可判斷出場效應管為好管.
將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應管三個管腳之間的電阻阻值,若某腳
與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時,并且再交換表筆后仍為無窮大時,則此腳為G極,其它
兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測量一次,
其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.
17
第七節集成電路
7.1集成電路的英文縮寫IC(integratecircuit)
7.2電路中的表示符號:U
7.3集成電路的優點是:集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電
阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來,構成一個完整的電路.由于集成電路具有體積小,
重量輕,可靠性高和性能穩定等優點,所以特別是大規模和超大規模的集成電路的出現,是電子
設備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進了一大步.
7.4集成電路常見的封裝形式
BGA(ballgridarray)球柵陣列(封裝)見圖二
QFP(quadflatpackage)四面有鷗翼型腳(封裝)見圖一
SOIC(smalloutlineintegratedcircuit)兩面有鷗翼型腳(封裝)見圖五
PLCC(plasticleadedchipcarrier)四邊有內勾型腳(封裝)見圖三
SOJ(smalloutlinejunction)兩邊有內勾型腳(封裝)見圖四
圖二
7.5集成電路的腳位判別;
1.對于BGA封裝(用坐標表示):在打點或是有顏色標示處逆時針開始數用英文字
母表示一A,B,C,D,E……(其中1,0基本不用),順時針用數字表示一1,2,3,4,
5,6……其中字母位橫坐標,數字為縱坐標如:A1,A2
2.對于其他的封裝:在打點,有凹槽或是有顏色標示處逆時針開始數為第一腳,第
二腳,第三腳……
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7.6集成電路常用的檢測方法有在線測量法、非在線測量法和代換法。
1.非在線測量非在線測量潮在集成電路未焊入電路時,通過測量其各引腳之間的直
流電阻值與已知正常同型號集成電路各引腳之間的直流電阻值進行對比,以確定其是否正
常。
2.在線測量在線測量法是利用電壓測量法、電阻測量法及電流測量法等,通過在電路上
測量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常,來判斷該集成電路是否損壞。
3.代換法代換法是用已知完好的同型號、同規格集成電路來代換被測集成電路,可以判
斷出該集成電路是否損壞。
19
第八節Socket,Slot
8.1Socket和Slot的異同:Socket是一種插座封裝形式,是一種矩型的插座(見圖六);Slot
是一種插槽封裝形式,是一種長方形的插槽(圖七).
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第九節PCB的簡介
9.1PCB的英文縮寫PCB(PrintedCircuitBoard)
9.2PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的
載體,所以一塊PCB設計的好壞將直接影響到產品質量的好壞.
9.3PCB的分類和常見的規格:根據層數可分為單面板,雙面板和
多層板.我們主機板常用的是4層板或者6層板,而顯示卡用的是8層
板.
而主機板的尺寸為:AT規格的主機板尺寸一般為13X12(單位為英
寸);ATX主機板的尺寸一般為12X96(單位為英寸);MicroAtx主機板
尺寸一般為9.6X9.6(單位為英寸).注明:1英寸=2.54CM
21
第十節晶振
10.1晶振在線路中的符號是"X","Y"
10.2晶振的名詞解釋:能產生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.
10.3晶振在線路圖中的表示符號:一?口?一
10.4晶振的測量方法:
測量電阻方法:用萬用表RX10K檔測量石英晶體振蕩器的正,反
向電阻值.正常時應為無窮大.若測得石英晶體振蕩器有一定的阻值
或為零,則說明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.
動態測量方法:用是波器在電路工作時測量它的實際振蕩頻是否符
合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說明該晶振是正常的,如果該晶
體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊
穿損壞
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第十一節基本邏輯門電路
1.1門電路的概念:
實現基本和常用邏輯運算的電子電路,叫邏輯門電路。實現與運算的叫與門,實現或運
算的叫或門,實現非運算的叫非門,也叫做反相器,等等(用邏輯1表示高電平;用邏輯0表
示低電平)
11.2與門:
邏輯表達式F—AB
+%c
(a)(b)(c)
即只有當輸入端A和B均為1時,輸出端Y才為1,不然Y為0.與門的常用芯片型號
有:74LS08,74LS09等.
11.3或門:邏輯表達式F=A+B
即當輸入端A和B有一個為1時,輸出端Y即為1,所以輸入端A和B均為0時,Y才會為0.或門
的常用芯片型號有:74LS32等._
11.4.非門邏輯表達式一佇晨
23
即輸出端總是與輸入端相反.非門的常用芯片型號有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.
11.5.與非門邏輯表達式F=AB-
即只有當所有輸入端A和B均為1時,輸出端Y才為0,不然Y為1.與非門的常用芯片型號
W:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.
11.6.或非門:邏輯表達式F=A+B
A
B
即只要輸入端A和B中有一個為1時,輸出端Y即為0.所以輸入端A和B均為0時,丫才會為
1.或非門常見的芯片型號有:74LS02等.
11.7.同或門:邏輯表達式F=AB+AB
11.8.異或門:邏輯表達式上AB+A?
24
A
B-
11.9.與或非門:邏輯表邏輯表達式F=AB+CD
11.10.RS觸發器:
電路結構
把兩個與非門Gl、G2的輸入、輸出端交叉連接,即可構成基本R逑發器,其邏輯電路如圖
7.2.1.(a)所示。它有兩個輸入端R、S和兩個輸出端Q、Q。
工作原理:
菊
基本RS觸發器的邏輯方程為:0=RQ
根據上述兩個式子得到它的四種輸入與輸出的關系:
[當R=l、S=0時,則Q=0,Q=l,觸發器置1。2.當R=0、S=1時,則Q=l,Q=0,觸發器置0。
25
如上所述,當觸發器的兩個輸入端加入不同邏輯電平時,它的兩個輸出端Q和Q有兩種互補的
穩定狀態。一般規定觸發器Q端的狀態作為觸發器的狀態。通常稱觸發器處于某種狀態,實際
是指它的Q端的狀態。Q=l、Q=0時,稱觸發器處于1態,反之觸發器處于。態。S=O,R=1使觸
發器置1,或稱置位。因置位的決定條件是S=0,故稱S端為置1端。R=O,S=1時,使觸發器置
0,或稱復位。
同理,稱R端為置0端或復位端。若觸發器原來為1態,欲使之變為。態,必須令R端的電平
由1變0,S端的電平由。變1。這里所加的輸入信號(低電平)稱為觸發信號,由它們導致的
轉換過程稱為翻轉。由于這里的觸發信號是電平,因此這種觸發器稱為電平控制觸發器。從功能
方面看,它只能在S和R的作用下置0和置1,所以又稱為置。置1觸發器,或稱為置位復位
觸發器。其邏輯符號如圖7.2.1(b)所示。由于置。或置1都是觸發信號低電平有效,因此,S
端和R端都畫有小圓圈。
3.當R=S=1時,觸發器狀態保持不變。
觸發器保持狀態時,輸入端都加非有效電平(高電平),需要觸發翻轉時,要求在某一輸入端
加一負脈沖,例如在S端加負脈沖使觸發器置1,該脈沖信號回到高電平后,觸發器仍維持1
狀態不變,相當于把S端某一時刻的電平信號存儲起來,這體現了觸發器具有記憶功能。
4.當R=S=0時,觸發器狀態不確定
在此條件下,兩個與非門的輸出端Q和Q全為1,在兩個輸入信號都同時撤去(回到1)后,由
于兩個與非門的延遲時間無法確定,觸發器的狀態不能確定是1還是0,因此稱這種情況為不定
狀態,這種情況應當避免。從另外一個角度來說,正因為R端和S端完成置0、置1都是低電
平有效,所以二者不能同時為0。
此外,還可以用或非門的輸入、輸出端交叉連接構成置0、置1觸發器,其邏輯圖和邏輯符號分
別如圖7.2.2(a)和7.2.2(b)所示。這種觸發器的觸發信號是高電平有效,因此在邏輯符號
的S端和R端沒有小圓圈。
圖7.2.2兩或非門組成的基本RS觸發器
2.特征方程
=約束條件)
26
基本RS觸發器的特性:
1.基本RS觸發器具有置位、復位和保持(記憶)的功能;
2.基本RS觸發器的觸發信號是低電平有效,屬于電平觸發方式;
3.基本RS觸發器存在約束條件(R+S=l),由于兩個與非門的延遲時間無法確定;當R=S=O時,
將導致下一狀態的不確定。
4.當輸入信號發生變化時,輸出即刻就會發生相應的變化,即抗干擾性能較差。
27
第十二節TTL邏輯門電路
以雙極型半導體管為基本元件,集成在一塊硅片上,并具有一定的邏輯功能的電路稱為雙極
型邏輯集成電路,簡稱TTL邏輯門電路。稱Transistor-TransistorLogic,即BJT-BJT邏輯門電路,
是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路,應用較早,技術已比較成熟。TTL主要有BJT(Bipolar
JunctionTransistor即雙極結型晶體管,晶體三極管)和電阻構成,具有速度快的特點。最早的
TTL門電路是74系列,后來出現了74H系列,74L系列,74LS,74AS,74ALs等系列。但是由
于TTL功耗大等缺點,正逐漸被CMOS電路取代。
12.1CMOS邏輯門電路
CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后,所開發出的第二種廣泛應用的數字集
成器件,從發展趨勢來看,由于制造工藝的改進,CMOS電路的性能有可能超越TTL
而成為占主導地位的邏輯器件。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較,而它的功耗
和抗干擾能力則遠優于TTL。此外,幾乎所有的超大規模存儲器件,以及PLD器件都
采用CMOS藝制造,且費用較低。
早期生產的CMOS門電路為4000系列,隨后發展為4000B系列。當前與TTL
兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反
相器,然后介紹其他CMO邏輯門電路。
(a)結構示宜圖(b)電器??號
MOS管結構圖
MOS管主要參數:
1.開啟電壓VT
?開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道
所需的柵極電壓;
?標準的N溝道MOS管,VT約為3?6V;
?通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降至ij2?3V。
2.直流輸入電阻RGS
?即在柵源極之間加的電壓與柵極
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