CrystallinesiliconphotovoltaicGB/T191GB22971989GB15763.320093GB/T341602017IECTS60904-13Photovoltaicdevices-Part13:ElectroluminescenceofphotovoltaicIEC61215-1:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part1:TestrequirementsIEC61215-2:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part2:TestproceduresIEC61730-1:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part1:RequirementsforconstructionIEC61730-2:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part2:Requirementsfor-GB22971989GB15763.3200912長度或寬度IEC61215-1:20218STCIEC61215-2:20214.6.3濕漏電流應符合IEC61215- 絕緣性能應符合IEC61215- IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7IEC61215-2:20214.8.52%熱斑耐久性應符合IEC61215- 紫外預處理（UV）IEC61215-2:20214.10.53%熱循環（TC）IEC61215-2:20214.11.5TC3%（單玻組TC200TC300）。濕-凍（HF）IEC61215-2:20214.12.5HF3UVTC50HF序列功率衰減≤5%（HF10HF20）。濕-熱（DH）性能應符合IEC61215-2:2021 4.13.4規定，DH前后功率衰減≤5%(單玻組件DH1000h，雙玻組件DH1500h)。IEC61215-2:20214.14.2.4IEC61215-2:20214.14.3靜態機械載荷（ML）應符合IEC61215-2:2021 序列功率衰減≤5%(單玻組件DH1000h，雙玻組件DH1500h)。IEC61215-2:20214.17.53IEC61215-2:20214.18.1.6 反向過電流試驗應符合IEC61730- 動態機械載荷（DML）IEC61215-2:20214.20.43%

EC61215-

4.21.68585RH，192pGB/T34160-2017nIEC61215-2:20214.11IEC61215-2:20214.101500IEC61215-2:20214.20BPPNSTCIEC61215-2:20214.6.3IEC61215-2:20214.15.4IEC61215-2:20214.3.5IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7 4.8測試 4.9測試 4.10測試 4.12測試 4.13測試 4.14.2測試 4.14.3測試 4.16測試 4.17測試 4.18.1測試 4.18.2測試 10.20規定 10.21測試 4.20測試 4 附錄ASTC條件下的性能與銘牌標STC條件下的性能，從而計算被測樣品的衰減率。試驗過程包4個部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始測試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15的規定檢測。61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15EL試驗，最終測試EL試驗。STC條件下的性能測試計算得到，計算公式如下：4個部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始測試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、IEC61215-2:20214.3、4.15最終測試包括外觀檢查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3的規STC條件下的性能測試計算得到，計算公式如下：B1