認識IGBT《新能源汽車電工電子技術》contents目錄2IGBT的內部結構和原理1半導體器件的分類半導體器件的分類一一半導體器件的分類認識IGBT電力半導體器件分類是否可控不可控不能用控制信號控制其通斷：如普通功率二極管VD。半控型可控制導通，不能控制關斷：如普通晶閘管SCR。全控型可控制其導通和關斷：如GTR，MOSFET，IGBT。驅動方式電流驅動通過電流信號控制導通或關斷：如三極管BJT。電壓驅動通過電壓信號控制導通或關斷：如MOSFET，IGBT。IGBTIGBTIGBT被稱為電力電子行業里的CPU，能夠根據信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，被廣泛應用于家電、新能源車、新能源發電、智能電網、軌道交通、航空航天等領域。一半導體器件的分類認識IGBTBJT(雙極型三極管)MOS(絕緣柵型場效應管)IGBT:復合全控型電壓驅動式功率半導體器件IGBT的內部結構和原理二IGBT符號圖一IGBT的內部結構認識IGBT絕緣柵型場效應管MOSFET功率晶體管GTR技術復合型開關器件IGBT是在功率絕緣柵型場效應管MOSFET的基礎上發展起來的一IGBT的內部結構認識IGBT絕緣柵型場效應管MOSFET內部結構IGBT內部結構一IGBT的內部結構認識IGBTIGBT是通過在功率絕緣柵型場效應管MOSFET的漏極上追加p+層而構成的。一IGBT的內部結構認識IGBTIGBT是通過在功率絕緣柵型場效應管MOSFET的漏極上追加p+層而構成的。N+區:源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E)。一IGBT的內部結構認識IGBTIGBT是通過在功率絕緣柵型場效應管MOSFET的漏極上追加p+層而構成的。N+區:源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E)。P+區：漏區，器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G)一IGBT的內部結構認識IGBTIGBT是通過在功率絕緣柵型場效應管MOSFET的漏極上追加p+層而構成的。N+區:源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E)。P+區：漏區，器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G)漏極:附于漏區上的電極(即集電極C)一IGBT的內部結構認識IGBT控制IGBT的柵極與射極電壓大小實現對IGBT三種狀態控制導通關斷阻斷二IGBT的工作原理認識IGBTIGBT的開通和關斷由柵極-發射極間電壓UGE決定：當柵極-發射極間電壓UGE為正，且大于開啟電壓UGE(th)時，MOS管內形成導電溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，進而使IGBT導通。當柵極、發射極間不加信號或加反向電壓時，MOS管內形成導電溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷，為全控型器件。IGBT的等效電路二IGBT的工作原理認識IGBTIGBT在新能源汽車的作用電控車載空調充電樁逆變器是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件新能源汽車電機驅動系統主要作用從電池直流電轉換到電機交流電，或者從電機交流電轉換到電池直流電能量的轉換二IGBT的工作原理認識IGBT主要用到的功率器件：IGBT，常用于高壓功率的轉換直流電轉到交流電稱為逆變新能源汽車電機驅動系統主要作用從電池直流電轉換到電機交流電，或者從電機交流電轉換到電池直流電能量的轉換二IGBT的工作原理認識IGBT主要用到的功率器件：IGBT，常用于高壓功率的轉換直流電轉到交流電稱為逆變電動汽車在轉換過程中二IGBT的工作原理認識IGBT電池電壓：200V以上過流能力：300A以上功率器件的擊穿電壓：600-1200V左右可通過