1+X集成電路理論練習題庫及參考答案一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1、編帶機光檢區(qū)檢測不合格的芯片，會從光檢區(qū)滑落至不良品料管內(nèi)；而檢測合格的芯片，則會由（）吸取，并將其精準地放到空載帶內(nèi)，載帶內(nèi)每放置一顆芯片便會向前傳送一格。A、鑷子B、真空吸嘴C、機器手臂D、吸盤正確答案：B2、在刻蝕工藝中，有幾個非常重要的參數(shù)，其中（）定義為當刻蝕線條時，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量ΔX的比值V/ΔX，比值越大，說明橫向刻蝕速率小，刻蝕圖形的保真度好。A、刻蝕因子B、刻蝕速率C、選擇比D、均勻性正確答案：A3、一個花籃最多裝()片晶圓。A、15B、20C、25D、30正確答案：C答案解析：一個花籃最多裝25片晶圓。4、料盤打包時,要在料盤的()個地方進行打包。A、1B、2C、3D、4正確答案：C答案解析：料盤打包時，要在料盤的3個地方進行打包。5、元器件的標志方向應按照圖紙規(guī)定的要求，若裝配圖上沒有指明方向，則應使標記向外易于辨認，并按照（）的順序讀出。A、從右到左、從上到下B、從左到右、從上到下C、從右到左、從下到上D、從左到右、從下到上正確答案：D6、以下不屬于模擬集成電路的是（）。A、功率放大器B、鎖相環(huán)C、穩(wěn)壓器D、運算放大器正確答案：B7、利用全自動探針臺進行扎針測試時，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是（）。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子正確答案：B8、晶圓檢測工藝中，進行晶圓烘烤時，溫度一般設(shè)置在（）℃。A、130B、120C、150D、110正確答案：B9、引線鍵合前一道工序是（）。A、第二道光檢B、晶圓切割C、芯片粘接D、晶圓清洗正確答案：C答案解析：晶圓貼膜→晶圓切割→晶圓清洗→第二道光檢→芯片粘接→引線鍵合10、（）分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行，上料后主轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)，每轉(zhuǎn)動一格，都會將產(chǎn)品送到各個工位，每個工位對應不同的作用，包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等，從而實現(xiàn)芯片的測試與分選。A、真空螺旋分選機B、重力式分選機C、平移式分選機D、轉(zhuǎn)塔式分選機正確答案：D11、金屬鎢在集成電路中通常用于（）。A、填充塞B、金屬連線C、阻擋層D、焊接層正確答案：A答案解析：金屬鎢在集成電路中通常用于鎢填充塞。12、采用全自動探針臺對晶圓進行扎針調(diào)試時，若發(fā)現(xiàn)單根探針發(fā)生偏移，則對應的處理方式是（）。A、更換探針測試卡B、相關(guān)技術(shù)人員手動撥針，使探針移動至相應位置C、利用微調(diào)檔位進行調(diào)整D、調(diào)節(jié)扎針深度正確答案：B13、使用測編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進行芯片測試時，如果遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是（）。A、上料B、測試C、外觀檢查D、編帶正確答案：D14、平移式分選機完成測試后，會進入()環(huán)節(jié)。A、上料B、分選C、外觀檢查D、真空包裝正確答案：B答案解析：平移式分選機的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。15、重力分選機手動裝料要操作人員取下待測料管一端的（），并將料管整齊地擺放在操作臺上。A、擋板B、塞釘C、料盤D、螺母正確答案：B16、對薄膜淀積設(shè)備進行日常維護時，尾氣排風管（）之內(nèi)必須檢查、清洗一次管路。A、一天B、一周C、一個季度D、一月正確答案：B17、8英寸晶圓的直徑為()mm。A、125B、150C、200D、300正確答案：C答案解析：5英寸晶圓直徑是125mm，6英寸晶圓直徑是150mm，8英寸晶圓直徑是200mm，12英寸晶圓直徑是300mm。18、打點過程中，在顯微鏡下看到有墨點偏大出現(xiàn)時需要進行的操作是：()。A、調(diào)節(jié)打點器的旋鈕B、調(diào)節(jié)打點的步進C、更換墨管D、更換晶圓正確答案：C答案解析：出現(xiàn)墨點大小點等情況時需更換墨管。19、從安全上看，四氯化硅氫還原法、三氯氫硅氫還原法、硅烷熱分解法的安全性從小到大排列的順序為：()。A、硅烷熱分解法＜四氯化硅氫還原法＜三氯化硅氫還原法B、四氯化硅氫還原法＜硅烷熱分解法＜三氯化硅氫還原法C、三氯化硅氫還原法＜硅烷熱分解法＜四氯化硅氫還原法D、硅烷熱分解法＜三氯化硅氫還原法＜四氯化硅氫還原法正確答案：D答案解析：從安全上看，硅烷最危險，最容易爆炸，三氯氫硅次之，也容易爆炸，四氯化硅最安全，根本不會發(fā)生爆炸。20、請選擇光刻工序的正確操作步驟（）。A、預處理→涂膠→對準和曝光→軟烘→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查B、預處理→涂膠→堅膜烘焙→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→軟烘→顯影檢查C、預處理→涂膠→軟烘→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查D、預處理→涂膠→對準和曝光→軟烘→曝光后烘焙→堅膜烘焙→顯影→顯影檢查正確答案：C答案解析：光刻工序的正確操作步驟為預處理→涂膠→軟烘→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查。21、工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的()到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。A、芯片測試隨件單B、晶圓測試隨件單C、中轉(zhuǎn)箱號D、芯片名稱正確答案：C答案解析：工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。22、使用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進行芯片測試時，芯片在該工位完成操作后，需要進入（）環(huán)節(jié)。A、測試B、測前光檢C、測后光檢D、旋轉(zhuǎn)糾姿正確答案：C23、使用化學機械拋光進行粗拋時,拋光區(qū)域溫度-般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C正確答案：A答案解析：一般拋光區(qū)的溫度控制在38~50°C(粗拋)和20~30°C(精拋)。24、{平移式分選機進行芯片檢測時，芯片在該區(qū)域的操作完成后會進入()區(qū)域。}A、上料B、待測C、測試D、分選正確答案：D答案解析：該圖紅色所框區(qū)域有L字型的測壓手臂，為平移式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的測試區(qū)域。測試完成后，會根據(jù)測試結(jié)果進行分選。25、單晶硅生長完成后，需要進行質(zhì)量檢驗，其中熱探針法可以測量單晶硅的()參數(shù)。A、電阻率B、直徑C、少數(shù)載流子壽命D、導電類型正確答案：D答案解析：熱探針法用來測量單晶硅錠的導電類型；四探針技術(shù)用來測量單晶硅錠的電阻率；激光掃描法用來測量硅錠的直徑；光電導衰法用來測量少數(shù)載流子的壽命。26、晶向為<111>、8英寸P型半導體材料的定位方式是沿著硅錠長度方向研磨出()。A、一個基準面B、兩個基準面且呈45度角C、兩個基準面且呈90度角D、定位槽正確答案：D答案解析：8英寸的晶圓直徑為200mm，當硅片直徑等于或大于200mm時，往往不再研磨基準面，而是沿著晶錠長度方向磨出一小溝作為定位槽。27、裝有晶圓的花籃需要放在氮氣柜中儲存的主要目的是()。A、防氧化B、合理利用生產(chǎn)車間的空間C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站D、防塵正確答案：A答案解析：氮氣柜主要是利用氮氣來降低濕度和氧含量。將裝有晶圓的花籃放在氮氣柜中的主要目的是防氧化。28、編帶過程中，在進行熱封處理后，需要進行()環(huán)節(jié)。A、芯片放入載帶B、密封C、編帶收料D、光檢正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機進行編帶的步驟是：芯片光檢→載帶移動→熱封處理→編帶收料→清料。29、晶圓檢測工藝中，導片結(jié)束后，需要進行()操作。A、加溫、扎針調(diào)試B、上片C、外檢D、扎針測試正確答案：B答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。30、芯片測試工藝中進行SOP8芯片的編帶包裝時，一個內(nèi)盒中通常裝有（）盤真空包裝完的編帶。A、2B、3C、1D、4正確答案：A31、探針臺上的()處于()狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈正確答案：B答案解析：探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作。32、晶圓檢測工藝對環(huán)境要求（）芯片檢測的環(huán)境要求，這是由工藝的加工對象特性所決定的。A、低于B、等于C、高于D、時高時低時等于正確答案：C答案解析：由于晶圓檢測工藝中芯片是裸露狀態(tài)，而芯片檢測工藝中芯片是非裸露狀態(tài)，所以晶圓檢測對環(huán)境質(zhì)量要求會高于芯片檢測。33、模塊電路外觀檢查時如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路，要用()進行驗證。A、通止規(guī)B、游標卡尺C、基準塊D、直尺正確答案：A答案解析：模塊電路外觀檢查時如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路，通常要用通止規(guī)進行驗證。34、轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝流程中，上料之后的環(huán)節(jié)是()。A、測試B、分選C、編帶D、外觀檢查正確答案：A答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。35、先進的平坦化技術(shù)有()。A、反刻法B、高溫回流法C、旋涂玻璃法D、化學機械拋光法正確答案：D答案解析：反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù),化學機械拋光法屬于先進平坦化技術(shù)。36、正常工作時風淋室內(nèi)無人時，外部的（）指示燈亮起。A、紅色B、黃色C、綠色D、藍色正確答案：C答案解析：風淋室內(nèi)無人時，外部的綠色指示燈亮起，進入風淋室后關(guān)門，風淋室自動落鎖，外部指示燈變?yōu)榧t色，風淋開始。37、在如下方波輸出控制程序中，占空比計算公式為（）。VoidPWM_Init(){PWM0->TBPRD=400；PWM1->TBCTL=0；PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV=1；PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=4；PWM1->TBCTL_b.PRDLD=1；PWM0->TBCTL_b.CTRMODE=2；PWM0->AQCTLA_b.CAU=1；PWM0->AQCTLA_b.CAD=2；PWM0->CMPA=200；PWM_START；}A、PWM0->AQCTLA_b.CAU/PWM0->AQCTLA_b.CAD=50%B、PWM0->TBCTL_b.CTRMODE/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=50%C、PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=25%D、PWM0->CMPA/PWM0->TBPRD=50%正確答案：D38、單晶硅生長完成后，需要進行質(zhì)量檢驗，其中不是物理性能檢驗的參數(shù)的是（）。A、外觀B、電阻率C、晶向D、直徑正確答案：B39、對晶向為<111>、6英寸N型半導體材料來說，()是作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。A、主平面B、次平面C、兩個平面均可D、定位槽正確答案：A答案解析：晶向為<111>、6英寸N型半導體材料在定位時有兩個基準面，主平面主要用于硅片上芯片圖形的定位和機械加工的定位，即作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。40、轉(zhuǎn)塔式芯片檢測前需要進行參數(shù)設(shè)置，其中設(shè)置動作延時的時間是為了()。A、確保所有環(huán)節(jié)的測試能夠完整進行B、配合并行測試的速率C、防止卷盤上編帶兩端在操作過程中出現(xiàn)封口分離的情況D、準備對應的測試卡正確答案：A答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備在芯片檢測前需要進行參數(shù)設(shè)置，其中設(shè)置動作延時的時間是為了確保所有環(huán)節(jié)的測試能夠完整進行。二、多選題（共20題，每題1分，共20分）1、編帶外觀檢查前需要準備的工具是()。A、保護帶B、放大鏡C、紙膠帶D、防靜電鋁箔袋正確答案：ABC答案解析：在編帶外觀檢查前，需要準備保護帶、紙膠帶、放大鏡、周轉(zhuǎn)盤等。防靜電鋁箔袋是抽真空環(huán)節(jié)會用到的材料。2、晶圓框架盒的主要作用為（）和（）。A、固定并保護晶圓，避免其隨意滑動而發(fā)生碰撞B、用于儲存晶圓的容器C、保護藍膜，防止晶圓上的藍膜受到污染D、便于周轉(zhuǎn)搬運正確答案：AD答案解析：晶圓框架盒是用于裝載已經(jīng)外加晶圓貼片環(huán)的晶圓的容器，可以避免晶圓隨意滑動而發(fā)生碰撞，有效的保護晶圓和晶粒的完整度，同時便于周轉(zhuǎn)搬運。3、輔助運放測試法的注意事項包括以下哪些（）。A、被測芯片的失調(diào)電壓不超過幾毫伏B、測量時被測運放應在指定條件（依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求）下工作C、與的精度決定測試精度D、電阻為的平衡電阻（減少輸入電流對測量的影響），所以和需精密配對正確答案：BCD4、集成電路的性能指標有哪些（）。A、功耗B、可靠性C、特征尺寸D、集成度正確答案：ABCD5、編帶前光檢的目的是檢查()。A、芯片的數(shù)量是否正確B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管腳是否出現(xiàn)扭曲、斷裂D、芯片的電氣參數(shù)正確答案：BC答案解析：編帶前進行光檢是為了確保進入編帶的芯片印章和管腳都是合格的。芯片數(shù)量在上料前進行核對，電氣參數(shù)的檢測是在測試環(huán)節(jié)進行的。6、在AltiumDesigner中，當項目被編譯后，將顯示那些面板（）。A、Messages面板B、Navigator面板C、Design面板D、Project面板正確答案：AB7、下列對平移式分選機描述錯誤的是（）。A、收料架，用來存放待測芯片B、吸嘴，負責吸取并轉(zhuǎn)移芯片C、出料梭，負責測試完成后芯片的分檔D、料盤，用來存放芯片正確答案：AC8、下列對開短路測試描述正確的是。（）A、開短路測試通常被稱為continuitytest或者open/shorttest，是對芯片管腳內(nèi)部對地或?qū)CC是否出現(xiàn)開路或短路的一種測試方法B、短路測試的原理，本質(zhì)是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護二極管的正向?qū)▔航档脑磉M行測試C、一般認為大于±1.5V為開路小于±0.2V為短路D、開短路測試只能測試管腳與地是否短路正確答案：ABC9、電子CAD文檔一般指原始PCB設(shè)計文件，文件后綴一般為（）。A、.SchDocB、.PcbDocC、.DrcD、.GerberDoc正確答案：AB10、在8個LED燈閃爍實驗中“PB->OUT=0xff00;”表示（）。A、PB0~PB7為輸出B、PB8~PB15為輸出C、輸出高電平，點亮LED燈D、輸出低電平，點亮LED燈正確答案：AD11、下列屬于WAT測試數(shù)據(jù)的用途的有：()。A、測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)B、作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進行質(zhì)檢C、分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息D、代工廠內(nèi)部隨機審查晶圓的可靠性測試正確答案：ABCD答案解析：WAT測試的用途有作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進行質(zhì)量檢驗；對WAT數(shù)據(jù)進行數(shù)理統(tǒng)計分析；檢測客戶特別要求的器件結(jié)構(gòu)是否滿足工藝要求；分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息；代工廠內(nèi)部隨機審查晶圓的可靠性測試；為器件工藝建模提供數(shù)據(jù)；測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)，改善工藝或開發(fā)下一代平臺。12、以下元器件屬于數(shù)字電路的是（）。A、計數(shù)器B、數(shù)據(jù)選擇器C、驅(qū)動器D、定時器正確答案：ABC13、探針卡是晶圓測試重要的材料，對測試結(jié)果起到重要作用。當探針卡使用次數(shù)過多會影響扎針測試結(jié)果。過多使用探針卡的表現(xiàn)有（）。A、探針針尖斷裂B、探針針尖變細C、探針針尖變粗D、探針針尖過短正確答案：ACD14、引線鍵合常見的有（）、（）、（）三種方法。A、熱超聲鍵合B、冷凝鍵合C、拉力鍵合D、超聲鍵合E、火噴鍵合F、熱壓鍵合正確答案：ADF15、以下對重力式分選機設(shè)備進行并行測試的描述正確的是()。A、單項測試且連接一個測試卡B、多項測試且連接多個測試卡C、可選擇多SITES進行測試D、只能是2SITES進行測試正確答案：AC答案解析：并行測試一般是進行單項測試，可根據(jù)測試卡的數(shù)量進行1site/2sites/4sites測試。16、在進入集成電路制造車間前注意著裝規(guī)范，其目的是為了防止人體、衣物等產(chǎn)生（）和（）對芯片造成損害。A、灰塵B、潮氣C、熱量D、靜電正確答案：AD答案解析：在著裝方面，進入車間前都需穿戴對應的無塵衣或防靜電服，其目的是為了防止人體、衣物等產(chǎn)生灰塵、靜電對芯片造成損害。17、單晶硅生長過程中，無位錯正常生長的標志有()、()。A、晶棱隨細頸轉(zhuǎn)為寬平B、有反光或細頸某一側(cè)向外鼓起C、長出規(guī)定尺寸的細頸D、界面出現(xiàn)抖動的光圈正確答案：AB答案解析：晶棱隨細頸縮小轉(zhuǎn)為寬平，并可見有反光或細頸某一側(cè)面向外鼓起，這都是無位錯單晶正常生長的標志。長出規(guī)定尺寸的細頸是縮頸這一過程。界面出現(xiàn)抖動的光圈是在引晶的過程中，籽晶與多晶硅液面熔接后會出現(xiàn)的情況，熔接后出現(xiàn)抖動的光圈說明溫度太高。18、屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、針孔C、斑點D、層錯正確答案：AC答案解析：氧化層缺陷包括表面缺陷、體內(nèi)缺陷。表面缺陷有斑點、裂紋、白霧等，可用目檢或顯微鏡檢驗；體內(nèi)缺陷主要有針孔和氧化層錯。19、以下說法正確的是（）。A、不合格的芯片需要用鑷子取出，用合格零頭進行替換B、中有不良品或放反芯片，右手先戴上手套，再用刀片將編帶槽的上、左、右各割開三分之一蓋帶，用鑷子將該芯片取出并放入不良品收料袋中，然后用零頭盒內(nèi)的合格芯片替換，并用透明粘膠帶從替換芯片的右側(cè)，貼至替換芯片的左側(cè)C、外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯片，要對有缺陷的芯片進行修復，若不能修復則作為外觀不良進行處理D、當載帶設(shè)置數(shù)量到達極限，無法包裝一卷或觀察載帶沒有足夠多的數(shù)量，不足包裝一盤時，可以包裝完載帶，再更換新的載帶正確答案：BC20、下列對設(shè)備放置使用規(guī)范描述正確的是（）。A、測試機放置時與墻壁或其他設(shè)備之間留有一些空隙，防止掉漆劃傷B、測試機使用時機體不能放置任何無關(guān)的東西或者金屬尖銳品，防止劃傷C、只要擺放整齊就可以D、保證機臺表面的清潔正確答案：AB三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1、輸出高電平電壓測試方法是設(shè)置控制端G1、G2G2B為高電平，給定輸出管腳-4000uA的電流測量芯片的高電平電壓。測試代碼如下。（）VOL[0]=cy->_pmu_test_iv(output[0],4,4000,2)；A、正確B、錯誤正確答案：B2、在“管理技術(shù)庫”對話框中，單擊Attach按鈕，表明將設(shè)計庫與技術(shù)庫相關(guān)聯(lián)。A、正確B、錯誤正確答案：A3、分選機是通用的，所以轉(zhuǎn)塔式分選機可以測試LGA封裝的芯片。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：不同封裝類型的芯片，根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點的不同選用不同的分選設(shè)備，一般LGA/TO等封裝形式的芯片采用轉(zhuǎn)塔式分選機。4、轉(zhuǎn)塔式分選機的旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是順時針。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機的旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向為逆時針。5、利用四探針法檢測單晶硅錠的導電類型時，可以利用檢流計的偏轉(zhuǎn)方向的不同確定被測硅錠是N型半導體還是P型半導體。A、正確B、錯誤正確答案：B6、切筋成型模具上的刀片將連筋切斷后，成型沖頭繼續(xù)下壓，使管腳彎成所需的形狀。A、正確B、錯誤正確答案：A7、如果涂膠機停止使用30min以上需要重新使用時，操作者需要對涂膠噴頭進行清洗。A、正確B、錯誤正確答案：A8、塑封工藝中塑封料的顏色必須是黑色的。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：根據(jù)用戶需要，環(huán)氧塑封料可制成各種不同顏色，一般使用黑、紅、綠三種顏色，其中黑色最為常見。9、集成電路制作工藝的車間需要定期進行除塵清掃，其可以有效減少生產(chǎn)環(huán)境的變化對產(chǎn)品質(zhì)量的影響。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：由于車間內(nèi)設(shè)備、通風、空調(diào)等的運行會逐漸帶入灰塵，經(jīng)過累積會使車間內(nèi)的微粒數(shù)超過該車間的無塵指標，此時電路和設(shè)備易被灰塵污染、損壞，造成一定的損失，所以定期對車間進行除塵清掃是必不可少的環(huán)節(jié)，防止生產(chǎn)環(huán)境的變化而影響產(chǎn)品質(zhì)量。10、測試夾具的日常維護時，測試夾具若長時間不使用，請及時從設(shè)備上取下，用防靜電袋包裹好，歸類存放于干燥、陰涼處，以免發(fā)生氧化、受潮。（）A、正確B、錯誤正確答案：A11、抽真空操作時，可以不用踩真空包裝機的踏板。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：抽真空時，腳踩踏板進行抽真空操作。12、貼膜機的溫度設(shè)置區(qū)顯示溫度，其中紅色數(shù)字為實際溫度，黃色數(shù)字為設(shè)置的溫度。A、正確B、錯誤正確答案：A13、晶圓切割時砂輪刀通過直線移動和高速旋轉(zhuǎn)來實現(xiàn)沿晶圓的切割道進行切割。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：將貼膜完成的晶圓放置在承載臺上，承載臺以一定速度沿切割道方向呈直線運動，砂輪刀原地高速旋轉(zhuǎn)，隨承載臺的移動沿晶圓的切割道進行切割，晶粒之間就被切割開來了。14、把原理圖信息導入到目標PCB文件步驟：。①打開原理圖文件.PcbDoc②在原理圖編輯器選擇.SchDoc命令，工程變更命令對話框出現(xiàn)③單擊ValidateChanges按鈕，驗證一下有無不妥之處④沒有錯誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。⑤單擊Close按鈕，目標PCB文件打開，并且元件也放在PCB板邊框的外面以準備放置。⑥PCB文檔顯示了一個默認尺寸的白色圖紙，要關(guān)閉圖紙。A、正確B、錯誤正確答案：B15、測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時，無須注意兩支筆的極性。A、正確B、錯誤正確答案：B16、金屬鎢常常采用CVD法來制備。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：金屬鎢常常采用化學氣相沉積CVD法來制備。17、使用重力式分選設(shè)備進行芯片測試時，串行測試進行的是單項測試。A、正確B、錯誤正確答案：B18、固-固擴散是利用晶圓表面含有所需雜質(zhì)的氧化層作為雜質(zhì)源進行擴散的方法。A、正確B、錯誤正確答案：A19、CMOS集成電路制作工藝中，P阱是用于制作PMOS管的。A、正確B、錯誤正確答案：B20、ST板函數(shù)：_turn_switch()函數(shù)原形：void_turn_switch(char*state，unsignedintn，...)；函數(shù)功能：打開或關(guān)閉用戶繼電器；參數(shù)說明：*state——接點狀態(tài)標志（“on”，“off”），on：接通，off：斷開N，…——繼電器編號序列（1，2，3，···32），序列以0結(jié)尾；應用實例：_turn_switch(“on”，1，2，0)；//閉合用戶繼電器1，2；（）A、正確B、錯誤正確答案：A21、單晶硅生長結(jié)束后，用四探針技術(shù)測量單晶硅錠的電阻率。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：電阻率的測量可采用四探針技術(shù)進行測量。22、轉(zhuǎn)塔式分選機上料需要將芯片放在標準容器中。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機的上料不需要將芯片放在標準容器中，而是將待測芯片倒在上料盒內(nèi)。23、每一次燒錄程序前需要編譯，若沒有錯誤、沒有警告就是工程建立成功，才可繼續(xù)燒錄。A、正確B、錯誤正確答案：A24、在進行反相器電路設(shè)計過程中，在Array一行中，可以填入行數(shù)與列數(shù)，以陣列形式放置器件。A、正確B、錯誤正確答案：A25、Cadence軟件中，圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用。A、正確B、錯誤正確答案：B26、利用平移式分選機進行芯片測試時是采用壓測的方式，壓測可以同時完成多個芯片的測試，并且各個芯片能夠均勻受力，確保各個工位的芯片引腳和測試座穩(wěn)定接觸。A、正確B、錯誤正確答案：A27、封裝工藝中要先進行晶圓切割，放置晶圓時晶圓需正面朝上放入切割機承載臺的吸盤上，調(diào)整晶圓貼片環(huán)位置，使定位缺口與定位釘位置一致，保證晶圓能夠平整、