0緒論《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)本課程的學(xué)習(xí)內(nèi)容與目標(biāo)

學(xué)習(xí)內(nèi)容

(1)半導(dǎo)體材料的性能檢測(cè)（14學(xué)時(shí)）

（晶向及缺陷檢測(cè)、電阻率、遷移率、雜質(zhì)濃度、少子壽命等）

(2)半導(dǎo)體器件制作工藝參數(shù)的檢測(cè)（12學(xué)時(shí)）

（pn結(jié)摻雜分布、關(guān)鍵尺寸、薄膜厚度等）

(3)典型半導(dǎo)體器件的性能檢測(cè)（6學(xué)時(shí)）

（二極管、三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管等）

《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)

學(xué)習(xí)目標(biāo)：掌握半導(dǎo)體材料和器件的常用測(cè)試方法與測(cè)試原理理解半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的作用及應(yīng)用熟悉常用半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的基本組成和結(jié)構(gòu)理解同一參數(shù)不同測(cè)試方法的差異能根據(jù)測(cè)試樣品與測(cè)試要求，設(shè)計(jì)測(cè)試方案，控制測(cè)量誤差。《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)教材與參考書籍教材：《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》（自編教材）

參考書

孫以材編著《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》，1984，冶金工業(yè)出版社DIETERK.SCHRODER著，《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》，2008，大連理工出版社PeterVanZant著，《芯片制造－半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》（第四版），2008，北京：電子工業(yè)出版社《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)考試方式與成績(jī)

考試方式：

閉卷筆試

總成績(jī)：平時(shí)成績(jī)，占20％(作業(yè)/課堂討論/出勤率)

實(shí)驗(yàn)課成績(jī)，占20％期末成績(jī)，占60％《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)

我的聯(lián)系方式：

（手機(jī)）

主教1104（辦公室）郵箱：

助教聯(lián)系方式：董向坤：（手機(jī)）主教側(cè)樓325（實(shí)驗(yàn)室）郵箱：dxk-《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)

課后思考題

半導(dǎo)體材料有什么特點(diǎn)？除了硅以外，還有哪些半導(dǎo)體材料？已經(jīng)學(xué)過(guò)哪些半導(dǎo)體器件？分別有什么電學(xué)特性？半導(dǎo)體測(cè)試與其他測(cè)試相比，有什么相同點(diǎn)？有什么不同點(diǎn)？為什么說(shuō)半導(dǎo)體測(cè)試在芯片制造過(guò)程中很重要？《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)第一章

半導(dǎo)體材料導(dǎo)電型號(hào)、電阻率、少數(shù)載流子壽命的測(cè)量《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)第一章作業(yè)1、半導(dǎo)體材料主要有哪兩種導(dǎo)電型號(hào)？它們各自有什么特點(diǎn)？2、導(dǎo)電型號(hào)測(cè)量的常用方法主要有哪些？3、什么是溫差電效應(yīng)？4、根據(jù)圖1-3，簡(jiǎn)述利用冷熱探針?lè)ㄅ袆e半導(dǎo)體材料導(dǎo)電型號(hào)的方法。5、什么是整流接觸？什么是歐姆接觸？6、根據(jù)圖1-4(a)，描述單探針點(diǎn)接觸法判別導(dǎo)電型號(hào)的測(cè)量原理。7、冷熱探針?lè)ê蛦翁结樂(lè)ǜ髯赃m合什么類型的樣品測(cè)量？8、樣品在進(jìn)行電學(xué)參數(shù)測(cè)量時(shí)，為什么要進(jìn)行電磁屏蔽和光屏蔽？*8、在冷熱探針?lè)ㄖ校涮结樢话氵x用多少溫度？熱探針一般選用多少溫度？*9、在單探針?lè)ㄖ校结樢话阌檬裁唇饘俨牧现谱鳎啃螤钣惺裁刺攸c(diǎn)？為什么？*10、用探針測(cè)量導(dǎo)電型號(hào)時(shí)，為什么樣品表面要噴砂處理？第一節(jié)導(dǎo)電型號(hào)《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)1、半導(dǎo)體材料的電阻率由材料的哪些內(nèi)在屬性決定？寫出電阻率表達(dá)式。2、能不能用測(cè)量金屬導(dǎo)體電阻率的方法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體的電阻率？為什么？3、根據(jù)圖1-10，簡(jiǎn)述兩探針?lè)ǖ臏y(cè)量原理，并給出測(cè)量公式。4、在兩探針及四探針?lè)ㄖ校瑸槭裁匆捎酶咻斎胱杩沟碾妷罕恚?、畫出直流四探針?lè)ǖ臏y(cè)量裝置示意圖，并分別寫出測(cè)試樣品為晶棒和晶圓材料的測(cè)量公式（說(shuō)明公式中的參數(shù)含義）6、如果待測(cè)樣品是形狀不規(guī)則、厚度為200um且均勻的Si單晶片材料，可以采用什么方法測(cè)試其電阻率？畫出測(cè)量原理圖，并寫出測(cè)量公式。7、四探針測(cè)量時(shí)，對(duì)恒流源有什么要求？如何選擇？8、什么是方塊電阻？它與材料的電阻率和電阻有什么關(guān)系？9、什么是擴(kuò)展電阻？它與半導(dǎo)體材料的電阻率有什么關(guān)系？10、怎樣利用擴(kuò)展電阻法測(cè)量材料的電阻率？11、在電阻率測(cè)量中，測(cè)量結(jié)果會(huì)受到哪些外界因素的影響？12、試比較兩探針?lè)ā⑺奶结樂(lè)ā⒎兜卤しê蛿U(kuò)展電阻法的適用條件及優(yōu)缺點(diǎn).第二節(jié)電阻率測(cè)量《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)

對(duì)于這種薄層樣品，常用方塊電阻來(lái)表征電學(xué)特性。方塊電阻是指單位面積的電阻（Ω/□）。設(shè)樣品為表面積l×l，厚度為t薄層，則薄膜的方塊電阻為從方塊電阻表達(dá)式可知：

(1)對(duì)于同一材料的薄膜，方塊電阻為一常數(shù)。

(2)若表面積為l×l（正方形），其電阻就是方塊電阻；

(3)若表面積為L(zhǎng)（長(zhǎng)）×W（寬），則電阻R＝RsL/W(Ω)，而與厚度無(wú)關(guān)。電流方向ll外延Si襯底t

方塊電阻《半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)》學(xué)習(xí)內(nèi)容及作業(yè)在樣品側(cè)邊制作四個(gè)對(duì)稱的電極：A、B、C、D并盡量注意任意相鄰的兩點(diǎn)，如AB間通電流IAB，測(cè)量另一對(duì)觸點(diǎn)VDC，有R1=VDC／IAB；在BC問(wèn)通電流IBC，測(cè)量AD間的電位差VAD，有R2=V