太陽能電池板及其工作原理太陽能電池板及其工作原理性能及特點：太陽能電池分為單晶硅太陽電池〔結實耐用，使用壽命一般可達20年。光電轉換效率為15％。〕多晶硅太陽電池〔其光電轉換效率約14.5電池。〕非晶硅太陽能電池〔其光電轉換率為10%，本錢低，重量輕，應用便利。〕太陽能發電原理：太陽能不象煤和石油一樣用交通工具進展運輸，而是應用光學原理，根本上有三種方法：通過反射鏡及其它光學元件組合，轉變陽光傳輸到地面。太陽能的光電轉換是指太陽的輻射能光子通過半導體物質轉變為電能的過程，通常叫做“光生伏打效應,

陽電池就是利用這種效應制成的。當太陽光照耀到半導體上時，其中一局部被外表反射掉，其余局部-光能就以產生電子-空穴對的形式轉變為電能、假設半導體內存在P-n結，則在P型和n型交界面兩邊形成勢壘電場，能將電子驅向nPn區有過剩的空穴，在P-nP型層帶正電，nn區與pPn型層焊出功率。太陽能發電原理圖如下：教你制作太陽能電池第一步:制作二氧化鈦膜先把二氧化鈦粉末放入研缽中與粘合劑進展研磨接著用玻璃棒緩慢地在導電玻璃上進展涂膜10～15分鐘，然后冷卻其次步：利用自然染料為二氧化鈦著色如下圖，把穎的或冰凍的黑梅、山梅、石榴籽或紅茶，加一5分鐘，直到膜層變成深紫色，假設膜層兩面著色的不均勻，可以再5分鐘，然后用乙醇沖洗，并用松軟的紙輕輕地擦干。第三步：制作正電極2由染料著色的TiO2

為電子流出的一極〔即負極〕。正電極可由導2SnO2

膜層〕構成，利用一個簡潔的萬，導電面較為粗糙。如下圖，把非導電面標上‘然后用鉛筆在導電面上均勻地涂上一層石墨。第四步：參加電解質利用含碘離子的溶液作為太陽能電池的電解質，它主要用于復原可。第五步：組裝電池把著色后的二氧化鈦膜面朝上放在桌上，在膜上面滴一到兩滴含碘和碘離子的電解質，然后把正電極的導電面朝下壓在二氧化鈦膜外面的局部用以連接導線。這樣，你的太陽能電池就做成了。第六步：電池的測試在室外太陽光下，檢測你的太陽能電池是否可以產生電流。多晶硅太陽能電池制作工藝眾所周知，利用太陽能有很多優點，光伏發電將為人類供給主要〔包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜晶方向進展，主要緣由為:[1]可供給太陽能電池的頭尾料愈來愈少；[2]對太陽能電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產周期〔50小時〕可生產200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸到達厘米級；[4]由于近十年單晶硅工藝承受絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，高度到達15微米以上，快速熱退火技術用于多晶硅的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鐘之內完成，承受該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉換效率超過1450～60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16％，利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率到達16％，承受埋柵構造，機械刻槽在130平15.8％。下面從兩個方面對多晶硅電池的工藝技術進展爭論：試驗室高效電池工藝的極限。關于光的吸取對于光吸取主要是：〔1〕降低外表反射；轉變光在電池體內的路徑；承受反面反射。對于單晶硅，應用各向異性化學腐蝕的方法可在〔100〕外表制作面，承受上面的方法無法作出均勻的絨面，目前承受以下方法:激光刻槽500～900nm光譜范圍內，反射率為4～6％，與外表制作雙層減反射膜相當，而在〔100〕面單晶硅化學制作絨面的反射率為11％。用激光800nm〕斜射外表積增加，引起復合電流提高。化學刻槽SiO2〕各向同性腐蝕，腐蝕液可為酸性腐蝕對700～1030微米光譜范圍有明顯的減反射作用。但掩膜層一般225cm2的多晶硅上所作電池的轉換效率到達16.4%。掩膜層也可用絲網印刷的方法形成。反響離子腐蝕〔RIE〕該方法為一種無掩膜腐蝕工藝，所形成的絨面反射率特別低，在450～1000微米光譜范圍的反射率可小于2壓和填充因子消滅下降。制作減反射膜層對于高效太陽電池，最常用和最有效的方法是蒸鍍ZnS/MgF2雙層減反射膜，其最正確厚度取決于下面氧化層的厚度和電池外表的特征，例如，外表是光滑面還是絨面，減反射工藝也有蒸鍍Ta2O5,沉積Si3N3等，ZnO導電膜也可作為減反材料。金屬化技術PN〔面積小于4cm2〕，所以需要細金屬柵線〔小于10微米〕，一般承受工藝，但蒸發和光刻結合使用時，不屬于低本錢工藝技術。[1]電子束蒸發和電鍍通常，應用正膠剝離工藝，蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極，要減小金〔～0微米缺點是電子束蒸發造成硅外表/鈍化層介面損傷，使外表復合提高。因此，工藝中，承受短時蒸發Ti/Pa層，在蒸發銀層的工藝。另一個〔一般厚度為20微米左右應用功函數較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應一個穩定的電子積存層(也可引入固定正電荷加深反型)。另外一種方法是在鈍化層上開出小窗口〔小于2微米〕，再淀微米〕，形成mushroom—like狀4cm2Mc-Si上電池的轉換效率到達17.3angle(oblique)技術。結的形成技術放射區形成和磷吸雜區域80Ω。對于Mc-Si材料，擴磷吸雜對電池的影響得到廣泛的爭論，較長時間的磷吸雜過程〔一般3～4小時〕，可使一些Mc-Si的少子集中長〔大于,17％。背外表場的形成及鋁吸雜技術Mc-Sip+p結由均勻集中鋁或硼形成，硼源一般為鋁，800度下燒結所完成，對鋁吸雜的作用也開展了大量的爭論，入硅中，對Mc-Si產生不利的影響。到目前為至，區域背場已應用電池Mc-Si雙面電池其正面為常規構造，反面為N＋和P＋相互穿插的AM1.5條件19％。外表和體鈍化技術對于Mc-Si，因存在較高的晶界、點缺陷〔空位、填隙原子、金屬對材料外表和體內缺陷的鈍化尤為重硅懸掛鍵飽和是一種比較常用的方法，可使Si-SiO2界面的復合速PECVD氫的效果，該工藝也可應用于規模化生產中，應用RemotePEC20cm/s。工業化電池工藝路，所以能夠到達工業化生產的特征應當是：[2]能夠大規模、現代化生產；到達高效、低本錢。要進展方向朝著大面積、薄襯底，例如，市場上可見到125mm×250200200〔Kyocera〕公司150mm×15025.4MW。絲網印刷及其相關技術將會得到更加普遍的應用。放射區的形成利用絲網印刷形成PN結，代替常規的管式爐集中工藝。一般在多后，集中可在網帶爐中完成〔通常溫度在900度〕，這樣，印刷、烘步的提高。選擇放射區工藝〕或化學腐蝕的方法，將金屬電極之間區域的重集中層腐蝕掉。最初，Solarex應用反響離電100cm2的多晶上作出轉換效率超過13％的電池。在同樣面積上，應用兩部集中法，未作機械絨面的情況下轉換效率到達16％。c.背外表場的形成背PN結通常由絲網印刷A漿料并在網帶爐中熱退火后形成，該工明顯地提高電池的開路電壓。d.絲網印刷金屬電極在規模化生產中，絲網印刷工藝與真空蒸發、金屬電鍍等工藝相比，其主要緣由是銀具有良好的導電性、可焊性和在硅中的低集中性能。經絲網印刷、退火所形成的金屬層的導電性能取決于漿料的化學成份、玻璃體的含量、絲網的粗糟度、燒結條件和絲網版的厚度。八十150微米；ⅱ〕造成遮光較大，