可行性研究報告承擔單位：*****材料有限公司編制單位：******工程咨詢有限公司編制時間：2008年9月目錄目錄 I1總論 11.1概述 11.2項目提出的背景、投資必要性和經濟意義 31.3項目概況 51.4研究范圍 51.5研究結論 51.6主要技術經濟指標 62市場預測 92.1產品主要性能用途 92.2國內外內生產情況及市場預測 92.3價格分析 103建設規模及產品方案 113.1建設規模 113.2產品質量標準 113.3包裝、運輸及儲存 123.4建設工程組成 124工藝技術方案 144.1工藝技術方案 144.2原材料消耗定額及年消耗量 194.3自控方案 204.4主要設備一覽表 215原材料、燃料及動力的供應 255.1主要原材料、燃料及動力的需求 255.2原料供應來源 255.3公用工程規格及供應 256建廠條件和廠址方案 276.1建廠條件 276.2廠址方案 297總圖運輸與公用輔助工程 317.1總圖運輸 317.2供電 357.3給排水 407.4儲運 417.5供熱 417.6通風 427.7維修 427.8分析 427.9土建 427.10冷凍、制氮、空壓 458節能 498.1建設項目節能綜述 498.2節能措施 498.3節水措施 498.4能耗指標分析 509環境影響評價 519.1廠址環境條件 519.2項目建設和生產對環境的影響及三廢處理 5210勞動安全衛生與消防 5610.1設計依據及標準規范 5610.2主要危險、有害因素分析 5710.3重大危險源辨識 5710.4主要危險化學品的危險、有害特性 5810.5工藝過程中的危險、有害因素分析 6510.6安全措施 6710.7消防設施 7011項目實施管理、勞動定員及人員培訓 7211.1項目實施管理 7211.2工程招投標 7211.3勞動定員及人員培訓 7212建設工期和進度安排 7412.1建設工期 7412.2實施進度計劃 7413建設投資估算及資金籌措 7513.1投資估算依據 7513.2投資估算 7513.3資金籌措 7714經濟效益分析 7814.1編制依據 7814.2基礎數據 7814.3測算結果 7815研究結論與建議 8015.1研究結論 8015.2建議 80附圖：1、廠址區域位置圖2、總平面布置圖**通能硅材料有限公司500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項目可行性研究報告PAGE841總論1.1概述1.1.1項目名稱、建設單位、企業性質及法人項目名稱：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項目。建設單位：**通能硅材料有限公司企業性質：中外合資法人代表：**1.1.2企業概況**通能硅材料有限公司是由美國通用硅材料有限公司與南昌贛宇有機硅有限公司合資組建的中外合資企業。**通能硅材料有限公司在**鹽化化工基地擬征地280畝作為建設用地，并利用*****化工有限公司氯氣和氫氣的原料優勢，生產三氯氫硅、多晶硅。公司總投資27600.05萬元，擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項目。項目建成后預計實現年銷售收入7.592億元，年稅后利潤34073.36萬元，可解決217人就業。1.1.3可行性研究報告編制的依據和原則1.1.3.1編制依據（1）**通能硅材料有限公司與*******工程有限公司簽訂的委托咨詢合同。（2）國家、省、市有關設計規范、規定。（3）**通能硅材料有限公司提供的基礎資料和要求。1.1.3.2編制原則（1）本可研報告編制嚴格按照以下有關安全技術、規范、標準進行編制：《工業企業總平面設計規范》GB50187-1993《建筑設計防火規范》GB50016-2006《低壓配電設計規范》GB50054-1995《10KV及以下變電所設計規范》

GB50053-1994《供配電系統設計規范》GB50052-1995《建筑物防雷設計規范》GB50057-2000《石油化工靜電接地設計規范》SH3097-2000《電力工程電纜設計規范》GB50217-1994《爆炸和火實危險環境電力裝置設計規范》GB50058-1992《電力工程電纜設計規范》GB50217-1994《建設項目（工程）勞動安全衛生監察規定》勞動部第3號令《漏電保護器安全監察規定》勞動部1990年《化工企業安全衛生設計規定》HG20571-1995《生產過程安全衛生要求總則》GB12801-1991《工業企業采光設計規范》GB50033-1991《工業企業照明設計規范》GB50034-1992《工業企業噪聲衛生標準》GB3096-1982《工業企業勞動衛生標準》GB11719~11726-1989《衛生飲用水衛生標準》GB5749-1985《建筑物防雷設計規范》GB50057-2000《職業性接觸毒物危害程度分級》GB5044-1985《生產設備安全衛生設計總則》GB5083-1999《建筑滅火器配置設計規范》GB50140-2005《建筑給水排水設計規范》GB50015-2003《室外給水設計規范》GB50013-2006《室外排水設計規范》GB50014-2006《污水綜合排放標準》GB8928-1996《工業循環水設計規范》GB50050-1995《混凝土結構設計規范》GB50010-2002《砌體結構設計規范》GB5003-2001《建筑結構荷載規范》GB50009-2001《建筑抗震設計規范》GB50011-2001《建筑地基基礎設計規范》GB5007-2002《化工建設項目噪聲控制設計規定》HG20503-1992《工業企業噪聲控制設計規范》GBJ87-1985《重大危險源辨識》GB18218-2000《石油化工企業可燃氣體和有害氣體檢測報警設計規范》SH3063-1999（2）按國家產業政策、技術政策的要求，對本項目的建設條件、技術路線、經濟效益、工程建設、生產管理以及對環境的影響等各個方面進行分析，力求全面、客觀地反映實際情況。（3）生產裝置及配套的公用工程、輔助設施都要充分注意技術的先進性。技術的先進性不僅體現在工藝流程、技術裝備和控制水平上，而且同樣體現在環境保護和工業收到生等各個方面。在注重技術先進性的同時，還要充分注意技術的適用性，根據企業目前的綜合能力選取適用的先進技術。（4）利用高效節能、易于管理、技術先進、穩妥可靠的工藝在節省能源、資源和降低成本方面采取具體措施以提高企業的經濟效益。（5）遵循可持續發展的戰略觀念，注重采取環境保護努力避免產生新的污染源，環保工程與工藝裝置同步設計、同步施工和同步投產。控制對環境的污染、節約能源。（6）根據裝置的特點，搞好各裝置的銜接、配套專業的設計、優化設計方案、科學論證、實事求是提出研究結論。1.2項目提出的背景、投資必要性和經濟意義1.2多晶硅可用以生產硅基微鈉電子材料，國家“十一五”將重點發展的17類新材料中，排在首位的就是硅基微鈉電子材料，多晶硅又是生產太陽能電池的主要原料，而我國光伏產業的快速發展導致多晶硅的需求大增，因此多晶硅的需求將會持續發展。多晶硅是制造太陽能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產業和新能源產業的基礎原材料。隨著我國半導體行業和太陽能電池的快速增長，對多晶硅的需求隨之快速增長。我國在“十一五”期間，半導體集成電路年均增長速度保持在20%左右。預計到2010年多晶硅需求量將達到6200噸，其中半導體用量為2000噸，光伏用量為4200噸。而我國多晶硅的產能在2005年僅為300噸，僅太陽能用多晶硅缺口就達97%。1.2.世界多晶硅生產主要由美、日、德三國壟斷。由于全球原油價格上漲，歐美地區對新能源的需求上升，這些國家都采取了鼓勵太陽能發展的措施，這促使太陽能產業蓬勃發展，從而導致多晶硅需求猛增。據不完全統計，2005年全世界多晶硅產量28750噸，其中半導體用多晶硅20250噸，太陽能電池用多晶硅8500噸，而太陽能級的實際需求量為15000噸，出現嚴重供不應求的局面，半導體領域對多晶硅的需求今后也將保持強勁增長。WSTS（全球半導體市場統計）預計2006年和2007年全球半導體市場的規模增長分別為8%和10.6%。預計半導體領域對多晶硅的需求2007年超過25000噸，加上太陽能電池領域的需求，2007年對多晶硅材料的總需求將達到45000噸，供應缺口在9000～11000噸。據專家預測，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到7萬噸，同時，我國周邊地區的俄羅斯、韓國、新加坡、馬來西亞等國均無多晶硅生產條件和能力，對多晶硅有巨大的市場需求。全球主要多晶硅生產廠家有：德山雪達（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業。日本是亞洲最大的多晶硅生產國，但其產量仍不能滿足本國需求，不僅日本，亞太地區特別是臺灣、新加坡、韓國等地，都是多晶硅的主要需求地。由于近年來國際多晶硅市場需求旺盛，而總體產能增長不足，導致多晶硅價格暴漲，其價格由2003年的23美元/公斤漲至2005年的90美元/公斤、2006年的130美元/公斤、2007年的1500元/公斤。國內多晶硅的價格亦受國際市場的影響，因全球多晶硅主要生產廠商只有七家，國內產能極小，主要依靠進口，因此預計2008年以后多晶硅的價格為1700～1800元/公斤。因此項目的實施可以促進半導體、光伏產業的發展，滿足不斷增長的市場需求。同時擬建項目同時增加了就業機會，具有一定的社會效益。1.3項目概況1.3.1擬建地點：**1.3現根據**通能硅材料有限公司規劃，以及擬建場地的條件，確定項目產品方案和規模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為6000t/a），副產品四氯化硅1000t/a。1.4研究范圍本可行性研究范圍包括下述內容：（1）市場預測（2）產品方案和生產規模（3）工藝技術方案（4）與工藝裝置配套的公用工程及輔助設施（5）環境保護及治理措施（6）勞動保護與安全生產（7）投資估算及資金籌措（8）經濟效益初步評介1.5研究結論（1）**通能硅材料有限公司擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項目，項目符合國家產業政策和“十一五”發展規劃。（2）本項目技術成熟、工藝路線先進。（3）本項目產生的“三廢”少，處理措施切實可行。（4）項目產品結構合理，是目前市場上緊缺產品，有極強的市場競爭力，初步財務評價表明該項目具有良好的經濟效益。（5）項目的實施可解決217人就業，具有一定的社會效益。（6）項目工程總投資為27600.05萬元，其中固定資產投資24300.05萬元，鋪底流動資金3300.00萬元。項目年銷售收入75920.00萬元，年總成本費用26692.85萬元，年銷售稅金及附加3796.00萬元，年利潤總額45431.15萬元，年所得稅11357.79萬元，年稅后利潤34073.36萬元，投資利潤率123.45%，投資利稅率178.36%，投資回收期(靜態)0.81(不含建設期)，每年向當地和國家繳納稅金15153.79萬元，解決當地217人就業。該項目具有良好的經濟效益和社會效益，項目實施單位具有完成本項目的能力和良好條件。因此，本項目是可行的。1.6主要技術經濟指標序號項目名稱單位數量備注一生產規模1三氯氫硅t/a5002多晶硅t/a16000其中商品量6000t/a二年操作時時/班/天8三主要原材料、動力用量1硅粉（≥98%）t/a52802氫氣（≥99%、含氧量≤0.05%）Nm3/a32100003氯氣（≥98%）t/a16480四公用工程消耗1水：直流水m3/h年耗水量153.6萬m3循環水m3/h2電：裝機容量Kw8540使用容量Kw7820年耗電4512萬Kw·h3氮氣（≥99%）Nm3/a96000自產4蒸汽t/a10080五定員人217其中：工人人177管理人員（含技術人員）人30六總運輸量t/a12806.04其中：運入量t/a5280運出量t/a7526.04七工程用地畝240.4八工程建筑面積m253453含二期預留九綜合能耗總量標煤t/a6957.14十項目總投資萬元27600.05其中：固定資產投資萬元24300.05鋪底流動資金萬元3300.00十一年銷售收入萬元75920.00十二年總成本費用萬元26692.85十三年銷售稅金及附加萬元3796.00十四年利潤總額萬元45431.15十五年所得稅萬元11357.79十六年稅后利潤萬元34073.36十七稅費總額萬元15153.79十八財務評價指標18.1投資利潤率%123.4518.2投資利稅率%178.3618.3投資回收期（不含建設期）年0.81靜態、稅后

2市場預測2.1產品主要性能用途多晶硅材料是用三氯氫硅以氫氣作還原劑在高溫下還原并提純后達到一定純度的電子材料，是硅產品產業鏈中的一個極為重要的中間產品，是制造太陽能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。光伏發電是太陽能的主要應用領域，具有安全可靠、無噪聲、無污染、制約少、故障率低、維護簡便等優點。太陽能光伏發電的最基本元件是太陽能電池。目前多晶電池用量最大。全球太陽能電池組件的年均增長率高達30%以上，光伏產業成為發展最快的新興行業之一。隨著全球光伏產業的迅速發展，太陽能電池生產企業對原料多晶硅的需求與日俱增。2.2國內外內生產情況及市場預測世界多晶硅主要由美、日、德三國壟斷。由于全球原油價格上漲，歐美地區對新能源的需求上升，這些國家都采取了鼓勵太陽能發展的措施，這促使太陽能產業蓬勃發展，從而導致多晶硅需求猛增。據不完全統計，2005年全世界多晶硅產量28750噸，其中半導體用多晶硅20250噸，太陽能電池用多晶硅8500噸，而太陽能級的實際需求量為15000噸，出現嚴重供不應求的局面，半導體領域對多晶硅的需求今后也將保持強勁增長。WSTS（全球半導體市場統計）預計2006年和2007年全球半導體市場的規模增長分別為8%和10.6%。預計半導體領域對多晶硅的需求2007年超過25000噸，加上太陽能電池領域的需求，2007年對多晶硅材料的總需求將達到45000噸，供應缺口在900011000噸。據專家預測，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到7萬噸，同時，我國周邊地區的俄羅斯、韓國、新加坡、馬來西亞等國均無多晶硅生產條件和能力，對多晶硅有巨大市場需求。全球主要多晶硅生產廠家有：德山雪達（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業。日本是亞洲最大的多晶硅生產國，但其產量仍不能滿足本國需求，不僅日本，亞太地區特別是臺灣、新加坡、韓國等地，都是多晶硅的主要需求地。近年來，我國建起了多條太陽能電池模塊封裝線，使太陽能電池的年生產量迅速增加，硅太陽能電池的生產能力已從三年前的十幾兆瓦發展到超過100兆瓦，制造太陽能電池的上游原料多晶硅的需求隨之快速增長：“十一五”期間，我國半導體集成電路市場將進一步擴大，年均增長速度將保持在20%左右，太陽能和半導體這兩大行業的迅猛發展導致基礎原材料多晶硅的市場需求不斷提高預計我國的多晶硅至2008年將有超過5000噸的缺口。“十一五”期間，將是多晶硅產業快速發展的黃金時期，多晶硅來頭增長的潛力巨大。目前國內生產多晶硅的企業主要有河南洛陽單晶硅廠、四川峨嵋半導體材料廠、上海棱光實業公司、四川重慶天原化工總廠，洛陽中硅高科技有限公司等，年總產量不超過300噸。遠遠不能滿足國內市場的需求，97%的多晶硅依賴進口，多晶硅短缺已成為制約我國太陽能電池等行業發展的瓶頸。2.3價格分析由于近年來國際多晶硅市場需求的旺盛，而總體產能增長不足，導致多晶硅價格暴漲，其價格由2003年的23美元/公斤漲至2005年的90美元/公斤，2006年的130美元/公斤,2007年為1500元/公斤。國內多晶硅的價格亦受國際市場的影響，因全球多晶硅主要生產廠商只有七家，國內產能極小主要依靠進口，因此預計2008年以后多晶硅的價格為1700～1800元/公斤。本報告各種產品價格選用現市場價格，其中市場價格為多晶硅保守為130萬元/t、三氯氫硅為1.80萬元/t、四氯化硅為0.12萬元/t。

3建設規模及產品方案3.1建設規模生產規模的確定，要考慮市場需求、資金籌措、企業經濟效益以及廠址的建設條件等諸多方面的因素。根據市場預測和原材料的供應情況，以及**通能硅材料有限公司現有規劃，擬定本工程的產品方案及規模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為6000t/a），副產品四氯化硅1000t/a。3.2產品質量標準3.2.1三氯氫硅質量標準目前尚無三氯氫硅產品的國家標注和行業標準。本項目產品三氯氫硅執行標準參照美國聯合碳化公司（1983）執行。美國聯合碳化公司（1983）三氯氫硅質量標準（表1）指標名稱指標三氯氫硅含量%≧97.0一氯硅烷（液相）含量%﹤3.0硼含量（液相）%﹤0.00003砷含量（液相）%﹤0.00003磷含量（液相）%﹤0.0003電阻率Ωcm200比容m3/kg0.18沸點31.83.2.2多晶硅質量標準多晶硅產品質量執行GB/T12963-1996多晶硅質量標準。

多晶硅質量標準GB/T12963-1996（表6）等級項目 特級品一級品`二級品三級品1．表面及斷面狀態結晶致密，表面平整，斷而無夾層。結晶致密，表面平整，無氧化夾層。2．直徑7．257．257．257．253．基硼電阻率±5±5±5±54．直徑允許偏差≥45002600150010005．N型少子壽命≥5003001501006．N型電阻率≥450300150607．含碳量個原子/cm3≤2×105×105×108．含氧量≤1×105×105×103.3包裝、運輸及儲存產品的標志、標簽、包裝、運輸應符合《化學危險安全管理條例》、《危險化學品安全管理條例實施細則》等國家有關法律法規及GB12690-92的規定。3.3.1三氯氫硅包裝、運輸及儲存三氯氫硅為貯罐貯存，專用汽車槽車運輸。3.3.2多晶硅包裝、儲存及運輸運輸過程中應輕裝輕卸，避免受潮、受熱和包裝破換。3.4建設工程組成序號子項號項目名稱規模備注1101氫氣凈化車間1200m2102還原主車間一4464m3103還原主車間二5616m預留4104三氯氫硅車間768m5105精餾車間1248m6106尾氣回收車間5616m7201氫氣氣柜1000m預留1000m8202乙類倉庫一1296m9203乙類倉庫二1296m10204貯罐區502m2×50m33×50m31×50m311205貯罐區泵房65m12301熱水池及泵房1296m13302機修車間1296m14303車庫1296m15304發配電間577m一期使用16305循環（消防）水池500m深3m17306循環（消防）水池泵房65m18307輔助車間1216m冷凍、空壓19308事故應急池270m深3m20309污水處理系統1280m21310地磅一80t22311地磅二80t23401綜合辦公樓8616m224402研發樓7476m25403門衛一27m26404門衛二23m27405門衛三24m

4工藝技術方案4.1工藝技術方案4.1.1工藝技術方案的選擇1、三氯氫硅傳統的三氯氫硅合成工藝是將干燥氯氣及凈化后的氫氣經各自的緩沖罐進入氯化氫合成爐中反應成氯化氫并進入沸騰爐中。硅粉干燥后經加熱脫水用氮氣送入沸騰爐中與氯化氫反應生產三氯氫硅氣體。氣體經過濾器除去硅粉塵，在空冷器除去高沸物雜質及金屬氯化粉最后經冷凝為液體，再經分鎦成成品三氯氫硅。這是當今最成熟的工藝技術，國內外三氯氫硅生產企業基本上都采用此種工藝。此外還有用固定床氯化爐，銅粉作催化劑，氯化氫和硅粉直接合成三氯氫硅。粗三氯氫硅含量在60%以上，經分鎦提純除去高、低沸點物后，三氯氫硅含量達90%。還有通過流化床反應器還原四氯硅烷來制備三氯硅烷的方法。該方法在反應器中建立一個硅顆粒的流化床，將微小組輻射直接導入反應器中，加熱硅顆料吏春溫度達到300～1100℃，含有四氯硅烷和氫的反應氣通過流化床，反應氣與硅顆粒反應，形成含有三氯硅烷的產物氣。本項目三氯氫硅裝置生產工藝采用三氯氫硅沸騰床合成、加壓精鎦、冷凝分離提純生產高純度的三氯氫硅產品和四氯化硅副產品的傳統工藝。該工藝流程采用國內先進的沸騰床式三氯氫硅合成爐，生產能力大，副產品少；分離采用加壓精鎦技術使三氯氫硅產品質量達到99%、四氯化硅產品質量達到97%以上，處于國內領先水平。2.多晶硅目前多晶硅的主要生產方法分別為硅烷法和三氯氫硅氫還原法（又稱西門子法）這兩種。硅烷法是采用精制后的硅烷進行熱分解反應，析出硅，從而獲得多晶硅棒，再經進一步處理后而獲得多晶硅產品。三氯氫硅氫還原法是經過精制的三氯氫硅經揮發后與精制后的氫氣在還原爐中高溫下發生還原反應而析出硅，獲得多晶棒，再往進一步處理后而獲得多晶硅產品。改良西門子法（即改良三氯氫硅氫還原法）主要是對還原尾氣進行回收利用，提高三氯氫硅的轉化率，降低其消耗，同時極大地解決尾氣排放造成的污染問題。本項目選擇改良西門子法生產多晶硅。該工藝流程采用三氯氫硅和氫氣分別經過精制，進入還原爐，在高溫下進行還原，獲得的多晶硅棒經過后處理而獲得高純度的多晶硅。同時對還原尾氣進行處理，回收三氯氫硅，四氯化硅和氫氣。回收的三氯氫硅、四氯化硅、氫氣經精制后再進入還原爐中生產多晶硅。多晶硅的產品質量達到GB/T12963-1996的要求。4.1.2工藝流程簡述1、三氯氫硅工藝流程簡述（1）氯化氫合成工序開啟HC1合成爐合成段冷卻水，管道氫氣經阻火器、氫氣緩沖罐、冷水冷卻器冷卻后去干燥器干燥、除氧器除氧、干燥器干燥（與氯氣按摩爾比1.05:1）進入HC1合成爐；管道氯氣經氯氣緩沖罐后進入HC1合成爐；通過冷卻水量、氯氣和氫氣量控制合成爐出口溫度在400～500℃。合成的HC1氣體經氯化氫緩沖罐純化去三氯氫硅合成工序。（2）三氯氫硅合成工序硅粉通過真空管道輸送至硅粉干燥器，干燥后的硅粉用氮氣送入三氯氫硅合成爐；與來自氯化氫緩沖罐的氯化氫氣體在合成爐沸騰床發生反應，控制合成爐溫度在280～310℃，生成氣相三氯氫硅和四氯化硅；三氯氫硅和四氯化硅氣體混合物經網袋式過濾器分離、硅渣收集器收集回用；氣相經空冷器初冷后進入冷凝器經冷凍鹽水冷凝后經接收槽進入粗品收集槽；不凝性氣體經管道進入尾氣吸收工序。在沸騰爐中，硅粉和氯化氫反應生成三氯氫硅。（3）精鎦提純工序來自粗品收集槽的三氯氫硅和四氯化硅混合物料進入塔釜加熱器，經蒸汽間接加熱進入精鎦塔，精鎦塔頂氣體經前冷器和后冷器冷凝，控制壓力和回流比，一部分液體回流至精鎦塔，一部分自流進入三氯氫硅接收罐進入三氯氫硅收集罐；塔釜加熱器精鎦后殘液自流進四氯化硅接收罐后經氮氣壓入四氯化硅儲罐。（4）尾氣吸收工序來自冷凝器的不凝性氣體進入尾氣洗滌塔，經循環泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌，回收HCl溶液至20%濃度后外售；氣體達標排放。2、多晶硅生產流程簡述（1）氫氣精制工序由*****化工管道送來的氫氣及回收氫氣進入氫氣氣柜，經水環泵加壓后的氫氣經分離器、氫氣冷卻器、片堿干燥器、活性碳吸附器、除氧器、冷卻器、冷凍除水器、硅膠干燥器，再進入二次氫氣凈化器進行凈化得到精制氫氣。該項目同時建設有電解水制氫系統。采用純化水經電解槽電解，制氫裝置分離氫、氧等初步處理，再進入氫氣凈化裝置凈化（工序同上述氫氣精制工序）得到高純氫氣供還原車間等生產使用。（2）三氯氫硅精制工序自制的三氯氫硅放入三氯氫硅儲槽，再經泵送往高位槽，經控制流量后進入精餾塔釜，從塔頂出來的氣相經全凝器（二級）進行冷凝得到的冷凝液再經過濾器，一路返回精餾塔頂作為回流液，一路作為產品流入計量槽。經分析，合格的精制三氯氫硅進入精三氯氫硅儲槽，不合格的則返回三氯氫硅儲槽。二級全凝器的尾氣進入尾氣緩沖罐，再經尾氣洗滌塔洗滌達標排空。洗滌水進入中和池進行處理。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進入高低沸物槽，裝車外賣。（3）還原系統及尾氣回收系統精制的三氯氫硅經過鼓泡氣化后與精制氫氣在還原爐內，在以硅芯作為載體的表面，在高溫下還原沉積為多晶硅。通過調節電流強度，控制載體溫度，使爐內載體直徑變粗，達到供直拉單晶硅所需直徑要求的多晶硅。還原尾氣經兩級螺旋板換熱器降溫后進入尾氣回收器，未凝氣體與還原尾氣經換熱后進入水噴淋洗滌塔洗滌，再經絲網阻火器進入氫氣氣柜。洗滌水則進入中和池進行處理。尾氣回收器冷凝下來的回收液體進入計量槽，經控制流量進入回收精餾塔，塔頂氣相經二級全凝器冷凝得到的液體經分析，合格品流入回收精三氯氫硅儲槽或四氯化硅儲槽，不合格品則返回粗產品罐，再重新送入高位槽進行精餾。精餾殘液（塔釜排液及輕組份液體）則送往高低沸物儲槽，裝車外賣。回收的三氯氫硅和回收的四氯化硅經汽化后進入不同的還原爐，前者生產直拉料或區熔料，后者則送入專用還原爐，以生產拉制硅芯的硅芯料。4.1.3工藝流程方框圖1、三氯氫硅工藝流程方框圖

干燥氫氣 脫氧干燥 HCL合成爐氯氣 硅粉沸騰爐過濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器鹽水冷凝器 尾氣冷凝器 回收粗三氯氫硅 淋洗塔 放空 精餾塔 檢驗檢驗 三氯氫硅成品副產品四氯化硅

H2H2儲氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測切割包裝多晶硅產品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液4.1.4反應方程式H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2并伴隨有如下副反應：SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應：4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si4.2原材料消耗定額及年消耗量序號名稱規格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉≥98%t0.33052802氫≥99%m3200.0320×1043氯氣≥98%m31.03164804氮氣≥98%m36.096000自產二多晶硅1三氯氫硅99.99999%t2010000自產2氫氣99%m320100004.3自控方案4.3.1三氯氫硅裝置自控技術（1）自控設計范圍本設計適用于年產16000噸三氯氫硅項目裝置，項目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序；該控制系統將在生產裝置內滿足本裝置的生產監視、過程控制、參數報警、數據記錄及趨勢等項的功能要求，并能安全可靠運行。該工程控制點較少，控制簡單，而且沒有調節系統，但工程具有有毒、易燃易爆氣體，所以選型上主要考慮安全因素。該項目部分工段采用間歇性生產，并以現場操作為主。（2）設計標準及規定《爆炸和火災危險環境電力裝置設計規范》GB50058-92《自動化儀表選型規定》HG/T20507-2000《儀表供電設計規定》HG/T20509-2000《儀表供氣設計規定》HG/T20510-2000《信號報警、安全連鎖系統設計規定》HG/T20511-2000（3）自控水平及主要技術方案根據所確定的工藝技術方案和工藝流程，本著“技術先進、經濟合理、運行可靠、操作方便”的原則，本設計決定采用現場控制，以完成整個生產過程的主要工藝參數的監測、分析、顯示、記錄、報警和實時控制。主要控制方案為：以常規數字顯示為主，根據工藝要求，設置兩個控制室，作為溫度集中顯示點，流量以現場控制為主，報警系統也安裝在控制室里。接地按照要求嚴格接地，工作接地、信號屏蔽接地和安全保護接地分開。對生產過程的重要控制點設有報警系統并與相關動力進行聯鎖。（4）儀表類型生產反應過程中，要求對溫度、壓力和流量等反應參數進行精確控制以保證產品質量，本可研對現場儀表選型依據經濟實用、運行可靠、維修方便的原則，結合生產實際對溫度測量采用熱電偶，對壓力采用彈簧管普通壓力表，流量儀表采用玻璃轉子流量計和金屬轉子流量計，危險氣體采用SFD-300等系列有毒氣體報警裝置，該裝置采用多探頭測量方式，分別探測氯氣、氫氣和氯化氫三種氣體，并在主機上進行報警。4.3.2多晶硅裝置自控技術a、主要技術方案本項目若實行全流程自動化控制投資較大，因此本裝置根據工藝和輔助，公用工程等的不同操作和特性，采用簡單調節、復雜調節和組合調節，重要參數均為自動調節、集中控制、并按生產需要設置了一些溫度、壓力、流量、液位的報警和設備的連鎖，輔助生產裝置的參數就地檢測和操作，一般采用單參數調節。接地按照要求嚴格接地，工作接地、信號屏蔽接地和安全保護接地分開。b、設計標準及規定《爆炸和火災危險環境電力裝置設計規范》GB50058-92《自動化儀表選型規定》HG/T20507-2000《儀表供電設計規定》HG/T20509-2000《儀表供氣設計規定》HG/T20510-2000《信號報警、安全連鎖系統設計規定》HG/T20511-20004.4主要設備一覽表位號設備名稱規格材質數量一三氯氫硅裝置1氯氣緩沖罐￠600×1850×6Q235A12氯化氫合成爐￠1200×3850×8Q335A43氯化氫緩沖罐￠800×2150×8Q435A24水環真空泵SZ-2型組合件15真空緩沖罐￠600×1850×6Q236A16硅粉干燥器￠600/￠400×3820Q336A67沸騰爐￠1200/￠500×8211Q436A68網袋過濾器￠1300/￠1200×2480Q137A69空冷器￠600/￠500×2476Q237A610冷凝器￠500×3200FQ337A611接受槽￠600×1850V0.35mQ437A612粗品收集槽￠2000×4900V13mQ138A113氮氣緩沖罐￠600×1830×6Q238A114水噴射器￠80石棉酚醛115尾氣洗滌塔￠800/￠3000×10Q438A116精餾塔￠273×1435010617前冷凝器￠700×2200F10618后冷凝器￠400×2450F10619過濾器￠159×1830×610620尾氣緩沖罐￠600×1830×7Q140A121熱水槽￠600×1830Q240A122熱水泵2B11組合件223接收槽￠800×1550×6Q235A224接收槽￠800×1550×6Q235A1225阻火器￠325×650Q235A126氫氣緩沖罐￠600×1850×6Q235A127阻火器￠219×540Q235A228冷水冷凝器￠400×2450F10129干燥器￠600×1850×6Q235A430除氧器￠325×245010131塔釜加熱器132螺旋冷凍機233計量罐634制氮機PSA-10135雷蒙磨機4R型136三氯氫硅儲罐￠2400×720020337四氯化硅儲罐￠2400×7200201二多晶硅裝置1原料水罐Ф1200×2800V=2.5mQ23512電解槽外形尺寸：4010×1650×1747復合件13制氫裝置外形尺寸：3600×2200×4500復合件14礫石阻火器Dg500Q23525氫氣冷卻器Ф530×2850F=25m210、Q23516緩沖罐Ф1200×3300×810、Q23527阻火器Ф159×3801018片堿干燥器Ф800×3800×8Q23529活性碳吸附器Ф800×4600×8Q235210除氧器Ф800×2750×8Q235211冷卻器Ф600×3400F=25m2Q235212冷凍除水器Ф800×3200F=25m2Q235213硅膠干燥器Ф800×4600×8Q235414加熱器Ф530×2850F=25m2Q235115阻火器Ф273×45010216氫氣二次凈化器不銹鋼117螺旋板換熱器F=50m2不銹鋼218加熱器Ф1000×1200×8不銹鋼219高位槽Ф1600×1800×8Q235120磁力泵不銹鋼421高低沸儲罐Ф2000×5800×8Q235122揮發器Ф800×1500×4Q235不銹鋼323氫氣過濾器Ф273×800不銹鋼924還原爐Ф800×21504還原爐Ф1100×26501025螺旋板換熱器不銹鋼226尾氣回收器Ф800×2800Q235不銹鋼227噴淋水洗塔Ф820×4000×8Q235襯PE228填料水洗塔Ф820×4500×8Q235襯PE129絲網阻火器Dg350Q235230氫氣氣柜V=600m3131水環壓縮機SZ-3232水洗池4000×1500×1200133中和池8000×2000×1200134計量罐Ф800×2700×6Q235235氮氣緩沖罐Ф800×1200×8不銹鋼136硅芯爐237純水裝置1m3/H138氮氣裝置239無油空壓機2m3/min240-35℃40萬大卡2

5原材料、燃料及動力的供應5.1主要原材料、燃料及動力的需求序號品名主要規格單位年用量備注1工業硅≧98%t/a52802氫氣純度≧98%、含氧量≤0.05%萬Nm3/a4703氯氣≧98%t/a164804氮氣≧99%萬Nm3/a8.64自產5三氯氫硅≧99%t/a15000自產6水萬m3/a153.67電380/280V，50Hz萬Kw·h/a45128蒸汽0.5MPat/a100805.2原料供應來源原料氫氣、氯氣和蒸氣從廠對面的*****化工有限公司購買，只需通過管道輸送至三氯氫硅裝置即可，項目原料有較大的成本優勢；工業硅可從河南、安徽、四川、湖北等地購買。生產所需輔料主要有氮氣自制供生產使用。5.3公用工程規格及供應5.3.1公用工程規格工業水：平均溫度20交流電：還原爐用電：10KV50HZ三相動力電：380V50HZ三相儀表及照明電：220V50HZ二相蒸汽：0.3mPa溫度飽和冷凍鹽水：-35℃0.3m7℃循環水：32℃0.3m氮氣：純度≥99%5.3.2動力需求及供應本項目所需公用工程用量及來源序號動力名稱單位小時用量年用量供應方式1工業水m3213.33153.6萬外供(循環使用)2動力電Kw?h6266.674512萬外供3蒸汽t1.410080管路4冷凍鹽水m310072萬自供5循環水m315001080萬自供6氮氣m31286400自供

6建廠條件和廠址方案6.1建廠條件6.1.1廠址地理位置、交通概況建設項目位于**鹽化基地，距市中心約13Km，與贛江16Km，距昌樟高速**市地處**中部，鄱陽湖平原南緣，跨贛江中游兩岸，自古有“八省通衢之要沖，贛中工商之鬧市”之稱，水陸交通運輸十分便利，浙贛鐵路穿境而過，京九鐵路和105國道縱穿南北，贛粵高速公路和滬瑞高速公路橫貫東西，**港與南昌、九江港并稱為贛江三大港口。地理坐標：東經115°06′33″至115°42′23″，北緯27°49′07″至28°09′15″。市區位于橫穿**的浙贛鐵路和縱貫**的贛江交叉點上，市域東鄰豐城、南接新干、西毗新余、北連高安。全境東西長50公里，南北寬31公里，總面積1291平方公里。**是**“大十字架”生產力布局的天心地膽之地，境內有“二鐵二高二國道一航道”的交通樞紐優勢。南北運輸大動脈京九鐵路和東西運輸大通道浙贛鐵路貫通全境，東西向的滬瑞和南北向的贛粵兩條高速公路在**交匯，國道縱穿南北，**與南昌、九江港并稱為贛江三大港口，處省城南昌1小時經濟圈內，距南昌民用機場僅1小時車程，構成了**獨特的立體交通格局，具有對接長珠閩，連接港澳臺的優越區位條件。6.1.2水文地質及地震烈度（1）水文該地區水文地質條件較為簡單，自上而下有兩個含水巖組，一是松散巖孔隙含水巖組，地下水賦存于砂礫卵石層，厚度一般8～10m，最厚達12m以上，地下水埋深5～7m。該地區地下水除接受大氣降水補給外，還能得到贛江水的反補。現在廠址標高18.5m左右，贛江洪水位標高21m，廠址受北部大堤保護，大堤面標高23～24m，故不受洪水威脅。（2）地質擬建廠址為全新統沖積層，具二元結構，上層為粘性土層，有積土，亞粘土，亞砂土分層，局部地段有淤泥透鏡體，上述三層各處厚度不一，發育程度各異，粘性土層有向北，向東漸薄趨勢，下部為砂，砂礫卵石層、細砂、中粗砂及砂礫卵石層，一般厚度19～24m，全新統以下為第三系砂巖及砂礫巖，有時夾灰色泥巖，厚度在1000（3）地震烈度根據《中國地震動參數區劃圖》（GB18306-2001），**地區抗震設防烈度小于6度，為非抗震設防區。6.1.3當地氣象條件氣溫：年平均氣溫17.5極端最高氣溫40.6極端最低氣溫-7.7相對濕度：空氣平均相對密度75～77%氣壓：平均氣壓1000.6～1018KPa降雨量：年平均降雨量1590日最大降雨量188.1時最大降雨量57.8風向：全年主導風向:北夏季主導風向：西南6.1.4**市規劃的鹽化工基地主要分兩大區塊。鹽化基地位于城區東南約6公里的新基山，總用地面積1023.69公頃，東西長約2802米，南北長約3760米。基地用地采用組團式布局模式（分精細化工、氯堿化工、無機化工、有機化工、商業服務、居住、熱電廠及鐵路貨場八個功能區）。鹽化基地位于城區西南約2公里的福城工業園。6.1.5供排水、供電、供汽（1）供水：本項目用水水源由本工程水源為**市市政供水管網提供。廠區附近已經敷設DN300的自來水管，本工程從該市政給水管上將自來水接入廠區即可，接入管管徑DN150。廠區采用DN150。廠區采用DN150的給水管道為全廠生產、生活和消防供水。本項目年用水量153.6萬m3。（2）排水：本項目排水為生活污水、工藝廢水。污水經過處理達標后，排入鹽化化工基地的總排水水管。（3）供電：供電為雙回路10KV13000KVA容量的專用供電系統接入，一路是從***化工的110KV變電站接入，另一路是從新建鹽化基地220KV變電站接入。為了滿足項目二級用電負荷的可靠性，在發配電間配置315Kw柴油發電機組一套。（4）供汽：本項目年用蒸汽17280噸。其中還原車間需使用0.5MPa蒸氣，蒸氣用量1.4t/h，10080t/a；三氯氫硅裝置精制工序使用0.3MPa蒸氣蒸餾提純三氯氫硅，利用還原爐降溫反應出來的0.3MPa飽和蒸氣，蒸氣用量2.2t/h，15840t/a。6.2廠址方案本項目選址在鹽化基地，該基地位于城區東南約6公里的新基山，總用地面積1023.69公頃，東西長約2802米，南北長約3760米。基地用地采用組團式布局模式（分精細化工、氯堿化工、無機化工、有機化工、商業服務、居住、熱電廠及鐵路貨場八個功能區）鹽化基地位于城區西南約2公里的福城工業園。本項目擬在**鹽化化工業基地的280畝土地上進行項目建設。項目新建生產廠房、冷凍廠房、配電房、儲罐區、污水處理及輔助生產廠房。廠址附近無自然景觀和人文景觀，無縣級以上重點文物保護對象，無特別需要保護的生物物種，項目生產區對區域環境質量影響較小，符合規劃要求。企業生產對周圍環境及安全不造成影響，周邊環境也能滿足企業安全生產條件。綜上所述，所選廠址是適宜的。

7總圖運輸與公用輔助工程7.1總圖運輸7.1.1（1）《建筑設計防火規范》GB50016-2006（2）《工業企業總平面設計規范》GB50187-1993（3）《化工企業總圖運輸設計規范》HG/T20649-1998（4）《廠礦道路設計規范》GBJ122-877.1.2（1）因地制宜，在滿足生產使用的要求下，做到經濟上合理、技術上可靠、減少投資、降低造價、節約用地。（2）符合生產工藝要求，保證生產過程中的連續性，使生產作業線最短、物料流向合理，管線短捷、避免反復運輸和交叉作業。（3）在滿足生產的前提下，根據生產性質、動力供應、貨運周轉、衛生防火等設計規范合理布置。（4）結合地形、地質、氣象等自然條件布置并符合豎向布置和綠化的要求。（5）滿足生產操作、維護檢修、消防安全、運輸暢通、環境保護等要求。7.1.3本項目廠內主要建筑有氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）、還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、氫氣氣柜（201）、乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）、貯罐區（204）、貯罐區泵房（205）、熱水池及泵房（301）、機修車間（302）、車庫（303）、發配電間（304）、循環（消防）水池（305）、循環（消防）水池泵房（306）、輔助車間（307）、事故應急池（308）、污水處理系統（309）、地磅一（310）、地磅二（311）、綜合辦公樓（401）、研發樓（402）、門衛一（403）、門衛二（404）、門衛三（405）。氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）、還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、氫氣氣柜（201）、貯罐區（204）、貯罐區泵房（205）屬甲類火災危險性類別；乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）屬乙類火災危險性類別；輔助車間屬丙類火災危險性類別。氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）、還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）、貯罐區泵房（205）、熱水池及泵房（301）、機修車間（302）、車庫（303）、發配電間（304）、循環（消防）水池泵房（306）、輔助車間（307）、綜合辦公樓（401）、研發樓（402）、門衛一（403）、門衛二（404）、門衛三（405）等建筑耐火等級均為二級。廠內各建、構筑物與相鄰單位的建、構筑物的防火間距、廠內各建筑物與廠外道路的安全間距，均能滿足《建筑設計防火規范》GB50016-2006、《工業企業總平面設計規范》GB50187-93的要求。同時，廠內各建筑物之間的防火間距、與廠內道路之間的間距、與廠圍墻間的間距均能滿足《建筑設計防火規范》GB50016-2006、《工業企業總平面設計規范》GB50187-93的要求。本項目規劃時預留了一定的發展用地，并將與現裝置有機結合起來，合理布置和規劃，以提高土地的利用率。具體布置詳見總平面布置圖JS08-YN009-總1/1。7.1.4本工程建設場地豎向設計方案采用平坡式單坡設計，以減少工程量。廠區有3處出入口與廠外園區道路相連。本工程擬建場地為平地，土（石）方工程主要是建構筑物和設備基礎，管道基礎及道路基礎的土方工程。為方便行車道路縱坡控制在6%之內。三氯氫硅精制還原、尾氣回收廠房、冷凍廠房等建筑物室內地坪標高比室外地面標高高0.3m。廠內雨水及經處理后的生產、生活污水由廠區排水暗溝匯集再排出廠外工業園排水管網。本工程需新建道路系統及鋪砌地，以滿足廠內運輸及消防通道的要求。鋪砌場地設計荷載汽-30級，砼結構層厚30cm7.1.57.1.5.1運輸方式選擇原則（1）應盡量減少運輸過程中轉運輸和裝卸環節減少物料運輸損失與減輕裝卸強度，盡可能提高裝卸作業的機械化程度。（2）充分考慮本地區社會現有運輸設施能力與共同協作的可能性。（3）盡可能節省基建投資，減少運輸裝卸設施固定資金占有量。7.1.5本項目原料工業硅、產品運輸均為汽車運輸，原料氫氣、氯氣為管道運輸。7.1.5.3運輸量本工程年總運輸量為12806.04t/a，其中運入量為5280t/a，運出量為7526.04t/a。詳見下表：運輸量表序號貨物名稱年運輸量（t/a）形態包裝方式備注公路鐵路水路管道1工業硅5280固散裝2氫氣470萬m3/a氣3氯氣16480t/a氣4三氯氫硅15000t/a液自產小計5280合計5280二運出1三氯氫硅6000液槽車2多晶硅500固袋裝3四氯化硅1000液槽車4生活垃圾26.04固散裝小計7526.04合計7526.047.1.6廠區道路道路布置：本工程道路采用效區型道路，道路布置為環形道路布置，廠區主干道及物流主干道均為8米，次干道為6米，環形消防道為6米7.1.7路面結構車行道及回車場的路面結構如下：300mm厚C30砼面層300mm厚級配礫石中墊層素土夯實層（重型擊實，壓實度大于97%）總厚度600mm。7.1.8防衛（護）設施（1）圍墻：擬建2.5米高實體圍墻將整個廠區與外部分隔開。（2）防火堤：廠區內的貯罐區均設1.2米高實體防火堤，防止液體物料泄漏。（3）門衛：廠區東面、西面出入口處設有門衛。7.1.9綠化為了保護自然環境的空氣凈化和周圍環境的清潔衛生，本工程將道路邊閑置用地及部分建設預留用地進行綠化，綠化用地系數達到33%。進行廠區綠化時，應注意問題如下：綠化的樹種應根據當地的自然條件和植物生態習性以及項目安全特性，選擇以草皮為主，適當栽種易成活、生長快、成蔭早、便于管理和病蟲害少的樹種。7.1.10主要技術經濟指標廠區用地面積：160262總建筑面積：53453m建、構筑物占地面積：26723m建筑密度：16.67%容積率：0.33道路及硬地面積：33947綠地面積：53423綠地率：33.33%7.2供電7.2.1概況7.2.1.1可行性研究的范圍本項目可行性研究范圍為年產500噸多晶硅、16000噸三氯氫硅項目生產裝置建構筑物及其動力設備的配電、照明、防雷、接地。7.2.1.2采用的標準規范電力設計所使用的標準規范如下：《電力裝置的繼電保護自動裝置設計規范》GB50062-92《10KV以下變電所設計規范》GB50053-94《供配電系統設計規范》GB50052-95《低壓配電設計規范》GB50054-95《建筑物防雷設計規范》GB50057-94《爆炸和火災危險環境電力裝置設計規范》GB50058-92《爆炸危險環境的配線和電氣設備安裝通用圖》HG21508-92《工業與民用電力裝置的接地設計規范》GBJ65-83《化工企業防靜電接地設計規程》HG/T20675-90《化工企業照明設計技術規定》HG/T20586-967.2.2用電負荷及負荷等級7.2.2.1用電負荷①根據各專業所提供的用電設備容量，實際裝機負荷13000KVA。7.2.2.2負荷等級本裝置工藝生產要求其工藝裝置的負荷以及確保這些生產裝置正常生產的輔助生產裝置的負荷屬于一級負荷。7.2.2.3供電電源本項目采用雙回路，一路由***化工110KV變電站接入，另一路由新建的鹽化化工基地220KV變電站接入，同時備用一臺315KW的柴油發電機組。7.2.3供電方案本項目設車間變電所一座，內設低壓開關電柜，變壓器靠近負荷中心的安全區內。對車間設備集中控制（配電室應設在安全區內）在現場電氣設備旁只設防腐按鈕箱。（防爆區域設防爆按鈕箱）主要設備選型在確保供電安全可靠的前提下，盡量采用先進成熟的技術和設備。低壓配電柜安裝在配電室內。照明燈具與照明配電箱的選擇；防爆區域采用防爆燈具。現場照明箱為防爆型。辦公室，變電所可用常規燈具。電纜按電壓、電流、允許電壓損失及環境等條件選擇10KVA電纜選用阻燃型銅芯聚氯烯，絕緣聚氯乙烯護套電力電纜，380V電纜采用阻燃型銅芯聚乙烯，絕緣聚氯乙烯護套電力電纜。控制電纜采用阻燃型聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套控制電纜。電纜敷設利用電纜架橋架水敷與電纜溝敷設相結合，照明及配線穿鋼管敷設。7.2.4防雷、防靜電接地（1）熱水池及泵房（301）、機修車間（302）、循環（消防）水池（305）、循環（消防）水池泵房（306）、輔助車間（307）、綜合辦公樓（401）、研發樓（402）、門衛一（403）、門衛二（404）、門衛三（405）均屬三類防雷建筑物，因此利用屋面避雷帶防直擊雷，屋面避雷帶網格不大于20×20(m)或24×16(m)。防雷防靜電及電氣保護接地均連成一體,組成接地網,接地電阻不大于10歐,如未達到要求應增打角鋼接地極。接地極采用熱鍍鋅角鋼L50×50×5，接地極水平間距應大于5米。水平連接條采用熱鍍鋅扁鋼-40×4，水平連接條距外墻3米，埋深-0.8米。避雷引下線采用構造柱內四對角主筋(不小于Ф（2）發配電間（304）、發配電間屬三類防雷建筑物，因此利用屋面避雷帶防直擊雷，屋面避雷帶網格不大于24×16(m)。防雷防靜電及電氣保護接地均連成一體,組成接地網,接地電阻不大于4歐,如未達到要求應增打角鋼接地極。接地極采用熱鍍鋅角鋼L50×50×5，接地極水平間距應大于5米。水平連接條采用熱鍍鋅扁鋼-40×4，水平連接條距外墻3米，埋深-0.8米。避雷引下線采用構造柱內四對角主筋(不小于Ф10)，引下線上與避雷帶焊接下與接地扁鋼連通。所有防雷及接地構件均應熱鍍鋅,焊接處須防腐處理。為防止雷電流沿架空線侵入變壓器（3）氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）、貯罐區泵房（205）防雷設計：氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）、貯罐區泵房（205）等建筑為第二類防雷建筑物，采用避雷帶的方式防直擊雷。屋面避雷帶網格不大于10×10(m)。避雷引下線采用構造柱內四對角主筋(直徑不小于Φ10)，引下線上與避雷帶焊接下與接地扁鋼連通。屋頂上所有凸起的金屬構筑物或管道等，均應與避雷帶焊連接。所有防雷及接地構件均應熱鍍鋅,焊接處須防腐處理。接地設計：氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、乙類倉庫一（202）、乙類倉庫二（203）、貯罐區泵房（205）等建筑為二類防雷建筑物,保護方式采用TN-S接地保護方式。采用-40×4熱鍍鋅扁鋼作水平連接條，水平連接條距外墻3米，埋深-0.8米。采用L50×50×5熱鍍鋅角鋼作接地極，接地極水平間距應大于5米防靜電設計：在氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（105）、尾氣回收車間（106）、貯罐區泵房（205）等廠房內距地+0.3m明敷-40×4鍍鋅扁鋼,作為防靜電接地干線。所有金屬設備、管道及鋼平臺扶手均應與防靜電接地干線作可靠焊接，具體參見<<接地裝置安裝>>03D501-4。為防靜電室內外一切工藝設備管道及電器設備外殼及避雷針防直擊雷，防雷防靜電及電氣保護接地均連均應可靠接地，平行敷設的長金屬管道其凈距小于100mm的應每隔20～30m用金屬線連接，交叉凈距小于100mm時交叉處也應跨接。彎頭閥門、法蘭盤等應在連接處用金屬線跨接并與接地網連成閉合回路。（4）氫氣氣柜（201）、貯罐區（204）氫氣氣柜（201）、貯罐區（204）內鋼質封閉貯罐為地上式，其壁厚均不小于4mm,且排放口均設有呼吸阻火器，根據規范故只需作接地設計。每個罐的接地點不少于二處，兩接地點的距離不大于30m。同時沿罐區四周敷設-40×4熱鍍鋅扁鋼作水平連接條，水平連接條距外堤3米，埋深-0.8米。采用L50×50×5熱鍍鋅角鋼作接地極，接地極水平間距應大于5米7.2.5電信7.2.5.1設計范圍電信設計包括：行政電話、調度指令電話、無線對講電話、火災報警系統及裝置區內的線路。7.2.5.2設計標準本設計按國家和化工部頒布的有關設計規定，規范和標準進行，采用的主要標準有：《工業企業通信設計規范》GBJ42-81《工業企業通信接地設計規范》GBJ79-85《火災自動報警系統設計規范》GB50116-987.2.5.3電信設計為了便于生產上的指揮、聯絡、辦公樓、生產廠房應適當設置行政電話和生產調度電話。電話的數量和安裝地點由公司統一考慮。(1)行政電話為了便于生產上的指揮、聯絡、辦公樓、生產廠房應適當設置行政電話和生產調度電話。電話的數量和安裝地點由公司統一考慮(2)無線對講電話為了便于調度室與其所屬崗位