第八章放大器的頻率響應主要內容8.1晶體管高頻參數和高頻等效電路BJT高頻混合Π模型MOS高頻混合Π模型8.2單極放大器的頻率響應頻率響應概論CS和CE放大器的頻率響應8.3多級放大器和寬帶放大器的頻率響應(1)基區電荷和擴散電容Cde(2)發射結結電容Cje:

發射結處在截止狀態時

發射結正向工作時(3)集電結結電容(4)高頻混合模型(如右圖8.1)其中8.1晶體管高頻參數和高頻等效電路

BJT截止頻率的推導通常已知β和Cμ，分析混合π模型進行推導，可確定Cπ的值混合π模型的使用條件8.1.2MOSFET內部電容與高頻模型1.兩類基本的內部電容：

柵極電容源-襯底、漏-襯底耗盡層電容。這兩類電容效應可以通過MOS模型中的4個電極之間增加電容來建模，這里共有5個電容：Cgs、Cgd、Cgb、Csb和Cdb

2.高頻MOSFET模型

當源極和襯底相連，模型變得相當簡單。Csb電容Cgb一般出現在截止區，故此處不予考慮3.MOSFET單位增益頻率fTfT越高，用做放大器使用時，放大器頻帶越寬，性能越好。又8.2單級放大器的頻率響應1．高頻增益函數放大電路增益的一般形式:2．一階RC電路頻率響應求解的關鍵是電路的（1）時間常數快速計算法當只有一個電抗元件和多個電阻時，可求出電抗元件兩端視入的等效電阻Req時間常數為ReqC或L/Req（2）一階低通RC電路的頻率響應傳輸函數為：令s=jw，并且定義則

其幅頻響應相頻響應一階RC低通電路頻率響應曲線（3）一階高通RC電路的頻率響應傳輸函數為：令s=jw，并且定義則

其幅頻響應相頻響應一階RC高通電路的頻率響應3.fH的確定對于主極點響應類型的放大電路，設

為主極點，則

若主極點不存在，可利用計算機進行仿真確定3dB頻率。4.開路時間常數法估算fH利用相關理論可以證明依次考慮高頻等效電路中的電容，考慮一個電容Ci作用時，其他電容和信號源設為零，求出從Ci看進去的等效電阻Rio。將所有的時間常數相加，得到開路時間常數b1，即利用b1，估算5.密勒定理

密勒定理是處理跨接在雙端口網絡輸入和輸出之間的阻抗時的一種將輸入和輸出之間的聯系分開的處理方法參數間的等效關系為6.短路時間常數法求fL

分開考慮每個電容，即假定其他電容相當于短路對每一電容求從其兩端看進去的總電阻，確定一個時間常數RipCi，該時間常數將引入一個低端轉折極點頻率

，引入的頻率響應因子為多個電容共同作用，引入的頻響因子為

當電路出現主極點情況時，即其中一個極點頻率

高于其他極點頻率4倍以上時，即可認為電路的

由該主極點確定，即

8.2.2MOSFET放大電路頻率響應

實際放大電路的完整頻率響應特性由3個頻段的工作特性共同構成：中頻段、低頻段、高頻段。

增益帶寬積GB=|AM|?BW是放大器的一個重要指標，通常是一個常數。若提高增益，則犧牲帶寬。

（1）高頻響應

考慮高頻部分的頻率響應，可以用高頻模式來代替MOSFET。

R'L=ro∥RD∥RLCeq=(1+gmR'L)Cgd令Cin=Cgs+Ceq，R‘sig=Rsig∥RG，可得結論：①上限3dB頻率由Rsig和Cin共同決定，Rsig越大，fH越小。②Cin通常由Ceq決定，而Ceq和gmRL‘關系極大。（1+gmRL‘

）稱為倍增因子。減少中頻增益

，可以提高fH的值。（2）低頻響應

截止角頻率：合成的頻率響應函數：總的放大電路頻率響應函數：8.2.3BJT共射放大電路的頻率響應分析頻率響應曲線

由分立元件組成的共射放大電路，從頻率響應曲線圖中可以看出，其響應曲線分為3個頻段。1．中頻段放大電路的增益為2．高頻響應（高頻等效電路如下圖）

密勒定理3．低頻響應通過以上分析可以看出：（1）多