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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一6.6.3版圖設計6.6模擬集成電路設計實例目錄6.6.2電路仿真6.6.1電路圖設計與參數計算1.劃分隔離區集電極同電位npn管放于同一隔離區（VT18、VT19）基極同電位pnp管放于同一隔離區（VT3、VT4）npn管集電極與pnp管基極電位相同，放于同一隔離區（VT1、VT2與VT8、VT9）電阻可單獨或與晶體管放于同一隔離區內，與晶體管同區需要npn管集電極電位（或pnp管的基極電位）高于電阻兩個端點的電位（如VT14、R6、R7）電容面積較大，單獨放在一隔離區內2.元件版圖設計晶體管版圖規劃：24只晶體管+10個電阻+1個電容24只晶體管：15只npn（14小+1大），9只pnp（橫向pnp7只+縱向pnp2只）14只小npn管：工作電流均在1mA以下，工作于線性區，可按照工藝約束計算發射區面積1只大npn管VT14：輸出電流要求5~10mA，按照電流需求計算發射區面積2.元件版圖設計6只單集電極橫向pnp管：主要考慮ec穿通與電流增益的要求縱向pnp晶體管VT20：與npn管VT14構成互補輸出級，考慮負載驅動能力，該晶體管采用三發射極條結構，以增加有效發射區周長1只雙集電極橫向pnp管VT13：考慮集電極分區2.元件版圖設計雙射極縱向pnp管VT23：工作電流不大，約為幾百μA?？紤]其單位發射區周長電流容量小，設計時其發射區面積比小尺寸NPN管的大，發射區外圍用n＋環隔離。2.元件版圖設計電阻版圖規劃10個電阻：阻值大精度要求不高，采用溝道電阻15kΩ/□，如R2（50kΩ）、R9（50kΩ）和R10（40kΩ）；阻值大精度要求高R5（39kΩ）

、阻值小R1、R3、R4、R6、R7采用硼擴散電阻考慮面積，電阻條寬選接近規則最小值小電阻，考慮精度，電阻條寬可以選大一些電容版圖規劃電容Cp

：容值30pF，采用MOS電容，介質選柵氧，若柵氧厚度tox為200nm，則其面積為：3.排版與布線整體版圖規劃依據外圍管腳布局、連接關系、信號性能、驅動要求等需求推敲布局，考慮散熱、面積等因素，優先確定對指標影響大、面積大、精度要求高、寄生參數敏感的部分電路布局，其余電路可以依據類型、隔離、面積進行優化布局3.排版與布線同類型、對稱：VT1、VT2，VT3、VT4，VT5、VT6

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